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發(fā)布了文章 2025-11-27 15:48
MOSFET：電子世界的“開關(guān)大師”與技術(shù)演進
在現(xiàn)代電子設(shè)備的核心部件中，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）無疑是當之無愧的“開關(guān)大師”。從智能手機的芯片到新能源汽車的動力控制系統(tǒng)，從光伏逆變器到工業(yè)機器人，MOSFET以其高效的開關(guān)特性和穩(wěn)定的控制性能，支撐著整個電子信息產(chǎn)業(yè)的運轉(zhuǎn)。對于電子工程相關(guān)專業(yè)的學(xué)生和行業(yè)從業(yè)者而言，深入理解MOSFET的技術(shù)本質(zhì)、發(fā)展脈絡(luò)與應(yīng)用邏輯，既是夯實專309瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-25 14:38
ZK3080T：低壓大電流場景下的功率器件標桿
在功率電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，元器件的性能直接決定了電子設(shè)備的可靠性、效率與安全性。ZK3080T作為一款在低壓大電流領(lǐng)域表現(xiàn)突出的功率器件，其“30V/80A”的核心參數(shù)組合、TO-252封裝設(shè)計以及±20%的參數(shù)精度控制，使其成為消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域的優(yōu)選元器件。深入剖析ZK3080T的技術(shù)特性、應(yīng)用價值與使用要點，對于電子工程師優(yōu)化電路設(shè)117瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-17 11:19
中科微電ZK40N100G：Trench工藝+緊湊封裝，中低壓大電流場景新標桿
在功率半導(dǎo)體器件向“高效化、小型化、高可靠性”轉(zhuǎn)型的趨勢下，中科微電推出的N溝道MOS管ZK40N100G，憑借40V耐壓、90A大電流的硬核參數(shù)，搭配Trench（溝槽）工藝與PDFN5x6-8L緊湊封裝，精準破解中低壓場景下“大電流承載、低能耗、小體積”的核心痛點，成為消費電子、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域的優(yōu)選解決方案。本文將從參數(shù)解析、技術(shù)優(yōu)勢、場景落地329瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-07 17:27
低壓大電流新選擇：ZK40N190G MOSFET的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用價值
在新能源、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域的快速發(fā)展中，低壓大電流場景對功率器件的承載能力、散熱性能和可靠性提出了越來越高的要求。ZK40N190G作為一款采用Trench溝槽工藝的N溝道MOSFET，以40V耐壓、190A超大電流承載能力及PDFN5x6-8L封裝優(yōu)勢，精準匹配低壓大電流功率變換需求，成為眾多高功率密度設(shè)備的核心功率器件選擇。586瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-06 16:52
能量調(diào)控的精巧使者：ZK68N80T MOSFET的特性與價值
在電力電子系統(tǒng)的精密架構(gòu)中，MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）始終占據(jù)著核心地位，它們?nèi)缤芰苛鬓D(zhuǎn)的“閘門”，精準控制著電流的通斷與強弱。ZK68N80T這款N溝道MOSFET，以其明確的性能標識、優(yōu)化的封裝設(shè)計和先進的制造工藝，成為眾多設(shè)備中不可或缺的“能量調(diào)控使者”，在方寸之間演繹著高效與可靠的雙重擔當。512瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-06 16:25
功率器件MOS管中的實干家：ZK100G120B的性能優(yōu)勢與場景賦能
在布滿精密元件的電路板上，功率器件就像“能量調(diào)度官”，負責電能的高效傳輸與精準控制。ZK100G120B這款標注著“100V、120A、SGT、TO-263-2L”的器件，沒有華麗的外觀，卻以扎實的參數(shù)配置和可靠的性能表現(xiàn)，在中低壓功率場景中占據(jù)重要地位。當我們深入解讀它的各項參數(shù)密碼，便能發(fā)現(xiàn)它成為眾多工程師首選的核心原因。409瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-06 14:49
中科微電ZK40P80G：小封裝大能量的P溝道MOS管新選擇
中科微電推出的ZK40P80G P溝道MOS管，突破性地將-80A大電流、-40V高耐壓與PDFN5x6-8L緊湊封裝相結(jié)合，搭配1.5mΩ低導(dǎo)通電阻與成熟Trench工藝，為小型化、高功率密度設(shè)備提供了理想的功率解決方案。212瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-06 14:35
ZK40P80T：P溝道MOS管中的高功率性能擔當
中科微電深耕功率器件領(lǐng)域，針對P溝道器件的應(yīng)用痛點，推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管，以-40V耐壓、-80A電流的強勁參數(shù)，搭配1.5mΩ低導(dǎo)通電阻與成熟Trench工藝，為反向電壓控制、電池管理等場景提供了高效可靠的解決方案，重新定義了中低壓P溝道MOS管的性能標準。194瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-06 13:44
中科微電ZK150G002P：高耐壓大電流N溝槽MOS管的性能突破
在功率半導(dǎo)體器件的迭代浪潮中，N溝槽MOS管憑借其優(yōu)異的開關(guān)特性與電流控制能力，成為高功率電子系統(tǒng)的核心組成部分。當市場對器件的耐壓等級、電流承載能力提出更高要求時，一款兼具150V高耐壓、200A大電流與3.5毫歐低導(dǎo)通電阻的N溝槽MOS管——ZK150G002P應(yīng)運而生。它不僅精準契合了新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域的嚴苛需求，更以硬核參數(shù)彰顯了功率半導(dǎo)體技術(shù)的167瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-11-05 16:30
ZK40N100G：PDFN封裝賦能的中低壓大電流MOS管標桿
在中低壓功率電子系統(tǒng)的設(shè)計中，MOS管的電流承載能力、封裝尺寸與能效表現(xiàn)，是決定產(chǎn)品競爭力的核心要素。ZK40N100G作為一款高性能N溝道MOS管，以40V耐壓、90A大電流、PDFN5x6-8L緊湊封裝及Trench工藝加持，精準適配消費電子、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域的大功率需求，成為兼顧“強性能、小體積、高效率”的優(yōu)選器件，為電路設(shè)計突破空間與能效瓶頸提294瀏覽量
