動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2026-01-06 16:49
澤攸科技 | EBL和EUV光刻機(jī)有何區(qū)別?如何影響半導(dǎo)體行業(yè)?
從技術(shù)路徑上看,電子束光刻和大家熟悉的EUV光刻并不是同一類問(wèn)題的解法。電子束光刻本質(zhì)上是一種直接寫(xiě)入技術(shù),利用聚焦電子束在抗蝕劑上逐點(diǎn)曝光,通過(guò)電磁控制精確描繪圖形。這種方式不依賴掩模,在設(shè)計(jì)頻繁迭代的研發(fā)階段非常有優(yōu)勢(shì),尤其適合量子器件、新型材料結(jié)構(gòu)、原型芯片以及掩模制作等場(chǎng)景。991瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-08-19 10:31
澤攸科技 | 臺(tái)階儀:微觀形貌的精密解析工具 —— 原理、技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用
在精密制造與前沿科研領(lǐng)域,微觀表面形貌的量化表征是保障產(chǎn)品性能與推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。臺(tái)階儀作為一種高精度表面測(cè)量?jī)x器,通過(guò)對(duì)樣品表面高度差、粗糙度及薄膜厚度等參數(shù)的精確獲取,為半導(dǎo)體、納米材料、光學(xué)工程等領(lǐng)域提供了不可或缺的技術(shù)支撐。1.7k瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-08-15 15:14
電子束光刻機(jī)
產(chǎn)品型號(hào):ZEL304G 標(biāo)配:激光干涉樣品臺(tái) 樣品臺(tái)行程:≤105 mm 圖像分辨率:≤1nm @ 15 kV;≤1.5 nm @ 1kV220瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-08-15 15:11
DMD無(wú)掩膜光刻機(jī)
產(chǎn)品型號(hào):ZML 紫外光源中心波長(zhǎng):405 nm 曝光均勻度:90%以上 最小特征線寬:0.5um127瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-08-15 15:09
全自動(dòng)臺(tái)階儀JS2000C/3000C
產(chǎn)品型號(hào):JS2000C/3000C 臺(tái)階高度最大范圍:160um 臺(tái)階高度重復(fù)性:≤0.5nm 探針加力范圍:0.5mg~50mg78瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-08-15 15:07
半自動(dòng)臺(tái)階儀JS100C/200C/300C
產(chǎn)品型號(hào):JS100C/200C/300C 樣品尺寸:6寸(JS100C)/ 8寸(JS200C)/ 12寸(JS 重復(fù)性測(cè)量偏差:≤0.5nm(1o lum標(biāo)準(zhǔn)塊重復(fù)掃描30次) 注釋:詳情咨詢澤攸科技94瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-08-15 15:05
手動(dòng)臺(tái)階儀JS10C
產(chǎn)品型號(hào):JS10C 型號(hào):JS10C79瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-08-15 15:02
ZEM Pro單晶燈絲臺(tái)式掃描電鏡
產(chǎn)品型號(hào):ZEM Pro 分辨率:優(yōu)于3nm 放大倍數(shù):360000105瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-08-15 11:46
ZEM20臺(tái)式掃描電鏡
產(chǎn)品型號(hào):ZEM20 分辨率:優(yōu)于4nm 放大倍數(shù):36000098瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2025-08-15 11:38
ZEM Ultra場(chǎng)發(fā)射臺(tái)式掃描電鏡
產(chǎn)品型號(hào):ZEM Ultra 分辨率:優(yōu)于2.5nm 放大倍數(shù):100萬(wàn)倍97瀏覽量