淺談IGBT模塊的散熱設(shè)計技巧
在電力電子領(lǐng)域，IGBT模塊是當(dāng)之無愧的“功率核心”，從儲能PCS、變頻器到新能源汽車電控，其穩(wěn)定運(yùn)....
拆解MOS單管的三大核心參數(shù)
在開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、新能源等電子設(shè)備中，MOS單管是決定電路效率、可靠性與成本的核心器件。不少工程....
簡單講透MOS單管的導(dǎo)通損耗
周五技術(shù)咖時間到！對于電力電子工程師來說，MOS 單管的導(dǎo)通損耗是繞不開的核心問題 —— 它直接影響....
散熱不足對IGBT性能和壽命有什么影響
在電力電子系統(tǒng)中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為核心開關(guān)器件，承擔(dān)著電能轉(zhuǎn)換與控制的關(guān)鍵任務(wù)。但....
佳恩半導(dǎo)體亮相2025深圳國際電子展
2025年8月26-28日，深圳國際電子展（ELEXCON 2025） 在深圳會展中心（福田）盛大舉....
如何平衡IGBT模塊的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
IGBT模塊的開關(guān)損耗（動態(tài)損耗）與導(dǎo)通損耗（靜態(tài)損耗）的平衡優(yōu)化是電力電子系統(tǒng)設(shè)計的核心挑戰(zhàn)。這兩....
IGBT模塊上橋臂驅(qū)動電路原理詳解
IGBT以發(fā)射極電壓為基準(zhǔn)電位驅(qū)動。開關(guān)動作時，上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之....
IGBT器件的防靜電注意事項(xiàng)
IGBT作為功率半導(dǎo)體器件，對靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手，詳細(xì)闡述使用過程中防靜電的具....
雜散電感對IGBT開關(guān)過程的影響(2)
為驗(yàn)證對主回路雜散電感效應(yīng)的分析并考察不同電感量以及門極驅(qū)動情況下的實(shí)際情況，我們?nèi)藶閷p 大小進(jìn)....
佳恩半導(dǎo)體亮相2025慕尼黑上海電子展
此前，2025年4月15日至17日，全球半導(dǎo)體行業(yè)矚目的盛會——?慕尼黑上海電子展（Electron....
雜散電感對IGBT開關(guān)過程的影響(1)
IGBT的開關(guān)損耗特性研究對IGBT變流器設(shè)計具有重要的意義，在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散....
IGBT正弦波調(diào)光器的工作原理和優(yōu)勢
IGBT正弦波調(diào)光器是一種用于調(diào)節(jié)燈光亮度的設(shè)備，其工作原理主要基于IGBT的開關(guān)特性和對正弦波信號....
功耗對IGBT性能的影響，如何降低IGBT功耗
在電力電子的廣闊領(lǐng)域中，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為核心器件，其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎整個系統(tǒng)的運(yùn)行....
IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象
IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象是指在IGBT關(guān)斷時，其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管（FWD）從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)?...
IGBT模塊如何助力新能源發(fā)展
在全球積極推進(jìn)能源轉(zhuǎn)型的大背景下，新能源領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，而 IGBT 模塊作為其中的關(guān)鍵器件，發(fā)揮著不....
IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)說明
IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn) 1.1 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、通過實(shí)驗(yàn)獲取IGBT驅(qū)動板及IGBT模塊的主....
IGBT模塊三電平電路故障時的關(guān)管順序
在1字形二極管鉗位三電平電路中，當(dāng)發(fā)生短路故障或過流故障時，傳統(tǒng)的關(guān)斷IGBT的做法是，檢測到故障的....
佳恩半導(dǎo)體IGBT項(xiàng)目科技成果達(dá)到國際先進(jìn)水平
日前，中科知慧(北京)科技成果評價有限公司組織專家，對青島佳恩半導(dǎo)體有限公司完成的“IGBT1200....
工商網(wǎng)監(jiān)