IGBT好壞的測(cè)量方法
將萬(wàn)用表設(shè)置到 R×1KQ 位置。用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，如果一級(jí)和另外兩極的電阻值是無(wú)窮大的，則更換表筆后....
散熱不足對(duì)IGBT性能和壽命有什么影響
在電力電子系統(tǒng)中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為核心開(kāi)關(guān)器件，承擔(dān)著電能轉(zhuǎn)換與控制的關(guān)鍵任務(wù)。但....
佳恩半導(dǎo)體亮相2025深圳國(guó)際電子展
2025年8月26-28日，深圳國(guó)際電子展（ELEXCON 2025） 在深圳會(huì)展中心（福田）盛大舉....
如何平衡IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗（動(dòng)態(tài)損耗）與導(dǎo)通損耗（靜態(tài)損耗）的平衡優(yōu)化是電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)。這兩....
IGBT模塊上橋臂驅(qū)動(dòng)電路原理詳解
IGBT以發(fā)射極電壓為基準(zhǔn)電位驅(qū)動(dòng)。開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)，上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之....
疊層母排在IGBT變流器中的應(yīng)用（3）
測(cè)量回路雜散電感常用方法有雙脈沖法、短路法及諧振法。雙脈沖法通過(guò)測(cè)量獲取IGBT關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓Vp....
疊層母排在IGBT變流器中的應(yīng)用（2）
回路中各環(huán)節(jié)電感值對(duì)于減小回路的總雜散電感而言十分重要。由于直流支撐電容器和IGBT的內(nèi)部電感是定值....
疊層母排在IGBT變流器中的應(yīng)用（1）
研究IGBT器件的開(kāi)關(guān)及特性對(duì)實(shí)現(xiàn)IGBT變流器的高性能具有重要的意義，IGBT DC Link主回....
IGBT模塊吸收回路分析模型
盡管開(kāi)關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同，但對(duì)于吸收電路的分析而言，則只需考慮器件的外特性，IGBT關(guān)斷時(shí)模型可....
IGBT器件的防靜電注意事項(xiàng)
IGBT作為功率半導(dǎo)體器件，對(duì)靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手，詳細(xì)闡述使用過(guò)程中防靜電的具....
雜散電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程的影響(2)
為驗(yàn)證對(duì)主回路雜散電感效應(yīng)的分析并考察不同電感量以及門極驅(qū)動(dòng)情況下的實(shí)際情況，我們?nèi)藶閷?duì)Lp 大小進(jìn)....
佳恩半導(dǎo)體亮相2025慕尼黑上海電子展
此前，2025年4月15日至17日，全球半導(dǎo)體行業(yè)矚目的盛會(huì)——?慕尼黑上海電子展（Electron....
雜散電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程的影響(1)
IGBT的開(kāi)關(guān)損耗特性研究對(duì)IGBT變流器設(shè)計(jì)具有重要的意義，在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散....
IGBT正弦波調(diào)光器的工作原理和優(yōu)勢(shì)
IGBT正弦波調(diào)光器是一種用于調(diào)節(jié)燈光亮度的設(shè)備，其工作原理主要基于IGBT的開(kāi)關(guān)特性和對(duì)正弦波信號(hào)....
功耗對(duì)IGBT性能的影響，如何降低IGBT功耗
在電力電子的廣闊領(lǐng)域中，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為核心器件，其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行....
IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象
IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象是指在IGBT關(guān)斷時(shí)，其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管（FWD）從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)?...
IGBT在中頻電源中常見(jiàn)的故障模式及解決方法
在現(xiàn)代工業(yè)電氣領(lǐng)域，中頻電源應(yīng)用廣泛，而 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為中頻電源的核心器件，起著....
IGBT模塊如何助力新能源發(fā)展
在全球積極推進(jìn)能源轉(zhuǎn)型的大背景下，新能源領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，而 IGBT 模塊作為其中的關(guān)鍵器件，發(fā)揮著不....
IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)說(shuō)明
IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn) 1.1 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲取IGBT驅(qū)動(dòng)板及IGBT模塊的主....
IGBT模塊三電平電路故障時(shí)的關(guān)管順序
在1字形二極管鉗位三電平電路中，當(dāng)發(fā)生短路故障或過(guò)流故障時(shí)，傳統(tǒng)的關(guān)斷IGBT的做法是，檢測(cè)到故障的....
佳恩半導(dǎo)體IGBT項(xiàng)目科技成果達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平
日前，中科知慧(北京)科技成果評(píng)價(jià)有限公司組織專家，對(duì)青島佳恩半導(dǎo)體有限公司完成的“IGBT1200....
如何減小IGBT死區(qū)時(shí)間
通過(guò)以上方程，現(xiàn)在可以根據(jù)測(cè)量值來(lái)計(jì)算所需的死區(qū)時(shí)間。使用計(jì)算出的死區(qū)時(shí)間，需要進(jìn)行最壞情況下的測(cè)量....
IGBT驅(qū)動(dòng)器要考慮什么因素
各種拓?fù)鋵?duì)IGBT驅(qū)動(dòng)器的要求各不相同，比如： 兩電平拓?fù)渫ǔＲ蠖搪繁Ｗo(hù)和過(guò)壓保護(hù)即可。常用的短路....
工商網(wǎng)監(jiān)