氮化鋁陶瓷基板：熱匹配硅芯片，良品率超99.5%
在高速發(fā)展的光通信領(lǐng)域，光模塊的性能與可靠性至關(guān)重要，其中散熱基板材料的選擇直接影響到芯片的穩(wěn)定性和....
氮化硅陶瓷微波諧振腔基座：高透波性能引領(lǐng)工業(yè)創(chuàng)新
高透波性能氮化硅陶瓷微波諧振腔陶瓷基座是現(xiàn)代高頻電子設(shè)備和微波系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，其性能直接影響到微波....
氮化硅導(dǎo)電復(fù)合陶瓷：研磨拋光性能與應(yīng)用深度解析
氮化硅導(dǎo)電復(fù)合陶瓷作為一種創(chuàng)新型工程材料，在研磨拋光領(lǐng)域憑借其獨(dú)特的物理化學(xué)性能，正逐步替代傳統(tǒng)陶瓷....
氮化硅陶瓷封裝基板：抗蠕變性能保障半導(dǎo)體長效可靠
隨著半導(dǎo)體技術(shù)向高功率、高集成度和高頻方向演進(jìn)，封裝基板的可靠性與性能成為關(guān)鍵。氮化硅陶瓷以其卓越的....
高純熱壓碳化硅陶瓷外延基座的性能優(yōu)勢(shì)與制造工藝解析
高純度熱壓燒結(jié)碳化硅陶瓷外延生長基座是半導(dǎo)體制造和先進(jìn)電子產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵部件，廣泛應(yīng)用于金屬有機(jī)化學(xué)氣....
熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷手指：半導(dǎo)體封裝的性能突破
半導(dǎo)體封裝作為集成電路制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)材料性能要求極為苛刻，尤其是在高溫、高應(yīng)力及精密操作環(huán)境中。....
氮化硅陶瓷精密定位板：真空千小時(shí)耐用的電子封裝核心部件
在高端電子封裝領(lǐng)域，精密定位板需在極端環(huán)境中保持長期穩(wěn)定，尤其是在真空或惰性氣氛中連續(xù)工作1000小....
高抗彎強(qiáng)度氮化硅陶瓷晶圓搬運(yùn)臂解析
熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷晶圓搬運(yùn)臂是半導(dǎo)體潔凈室自動(dòng)化中的關(guān)鍵部件，其高抗彎強(qiáng)度范圍在600至1000兆帕....
氮化硅陶瓷高頻電路絕緣環(huán)性能
氮化硅陶瓷高頻電路絕緣環(huán)：各向同性微觀結(jié)構(gòu)保障性能一致性 在高頻電子設(shè)備（如雷達(dá)、通信基站、功率放大....
氮化硅陶瓷高溫傳感器護(hù)套耐熱循環(huán)可靠性
在高溫、強(qiáng)腐蝕性環(huán)境及劇烈熱循環(huán)工況下工作的傳感器，其保護(hù)套筒（護(hù)套）的可靠性直接決定了測量精度與設(shè)....
氮化鋁陶瓷散熱片在5G應(yīng)用中的關(guān)鍵作用
隨著5G技術(shù)的飛速發(fā)展，高頻、高速、高功率密度器件帶來了前所未有的散熱挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)金屬及普通陶瓷材料已....
氮化硅大功率電子器件封裝陶瓷基板
氮化硅陶瓷導(dǎo)熱基片憑借其優(yōu)異的綜合性能，在電子行業(yè)，尤其是在高功率密度、高可靠性要求領(lǐng)域，正扮演著越....
導(dǎo)電陶瓷特性與應(yīng)用深度解析
導(dǎo)電陶瓷：電子行業(yè)的“智慧基石”——特性與應(yīng)用深度解析 導(dǎo)電陶瓷打破了傳統(tǒng)陶瓷絕緣的刻板印象，通過特....
氮化硅陶瓷射頻功率器件載體：性能、對(duì)比與制造
氮化硅陶瓷憑借其獨(dú)特的物理化學(xué)性能組合，已成為現(xiàn)代射頻功率器件載體的關(guān)鍵材料。其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性....
工商網(wǎng)監(jiān)