（2）模式寄存器

　　L82C37A 內(nèi)部每個(gè)通道都有一個(gè)6位的模式寄存器，其結(jié)構(gòu)如圖3所示。

　　圖3　模式寄存器

　　該寄存器是確定工作模式的，這是一個(gè)D觸發(fā)器，其輸入/輸出均與數(shù)據(jù)總線相連。在輸入控制信號(hào)ME=1時(shí)，總線數(shù)據(jù)寫入寄存器。ME=0時(shí)數(shù)據(jù)鎖存。MS有效時(shí)，模式寄存器的數(shù)據(jù)送往相應(yīng)控制的控制端。如果CPU查詢模式寄存器則可使EMR有效，將其內(nèi)容讀到數(shù)據(jù)線上。

　　模式寄存器由A0-A3和D0、D1來選擇，當(dāng)A0-A3為1101，D0 D1為00時(shí)，則選中通道0的模式寄存器。此時(shí)CPU可以對(duì)其進(jìn)行讀/寫操作。

　　在DMA控制器中，還有命令寄存器、狀態(tài)寄存器、請(qǐng)求寄存器、屏蔽寄存器、暫存寄存器等。在此不贅述。

　　2.6　L82C37A版圖設(shè)計(jì)

　　L82C37A的版圖是采用2.0μm硅柵CMOS單層金屬布線規(guī)則進(jìn)行設(shè)計(jì)的。

　　主要的設(shè)計(jì)規(guī)則如下（單位：μm）：

　?。?）N/P管溝道長(zhǎng)度　　　　　　2.0/2.5

　?。?）多晶硅最小條寬/間距　　　2.0/3.0

　?。?）多晶硅包孔　　　　　　　1.25

　?。?）多晶硅在場(chǎng)區(qū)出頭　　　　2.0

　?。?）有源區(qū)最小寬/間距　　　　3.0/2.5

　　（6）P阱包N管有源　　　　　　3.0

　?。?）P阱距P管有源　　　　　　7.0

　　（8）P+包有源　　　　　　　　2.0

　?。?）孔最小尺寸　　　　　　　2.0×2.0

　　（10）鋁最小寬/間距　　　　　4.0/4.0

　?。?1）鋁線包孔　　　　　　　　1.0

　?。?2）鈍化窗口尺寸　　　　　　100×100

　　L82C37A控制電路部分的版圖均由標(biāo)準(zhǔn)單元電路版圖構(gòu)成，在版圖完成之后，對(duì)版圖進(jìn)行了DRC、ERC、LVS檢查，以確保其正確性。

　　2.7　L82C37A工藝研制

　　L82C37A采用2.0μm硅柵CMOS全離子注入工藝制造。襯底材料為N型硅，晶向?yàn)椤?00〉，電阻率為6～9Ω.cm。

　?。?）工藝流程

　　選片→一次氧化→光刻P阱→P阱注入→P阱推進(jìn)→預(yù)氧化→LPCVDSi3N4→光刻有源→P管場(chǎng)注入→光刻→N管場(chǎng)注入→場(chǎng)氧化→預(yù)柵氧化→溝道→調(diào)整注入→柵氧化→多晶硅淀積→多晶硅摻磷→光刻多晶→光刻 P+區(qū)→P+注入→光刻N(yùn)+區(qū)→N+注入→淀積二氧化硅→源漏區(qū)推進(jìn)→光刻電極孔→濺射Al-Si膜→光刻→合金→鈍化→光刻→蒸金→中測(cè)→壓焊→封裝

　　（2）工藝參數(shù)和器件物理參數(shù)

　　一氧：100 nm

　　P阱結(jié)深：≥3.5μm

　　預(yù)氧：50nm

　　Si3N4：150nm

　　場(chǎng)氧：900nm

　　一柵：50nm

　　柵氧：450nm

　　多晶：400～450nm

　　摻磷：R□單晶≤8Ω/□ R□poly≤2.5Ω/□

　　LPSiO2:600 nm

　　Si-Al:1.4 μm

　　鈍化（LPSiO2/PESi3N4）： 300/500 nm

　　VTN:0.6～0.9V

　　ΒVDSN≥16V

　　VNTL Al/Si≥16V

　　VTP:0.8～1.2V

　　ΒVDSP≥18V

　　2.8　測(cè)試

　　2.8.1　測(cè)試程序

　　L82C37A的工作方式比較復(fù)雜，時(shí)序要求比較繁瑣，測(cè)試脈沖的調(diào)制也比較嚴(yán)格。對(duì)于不同的輸入端，根據(jù)時(shí)序的要求，進(jìn)行7種不同時(shí)序調(diào)制，并同時(shí)進(jìn)行兩次分級(jí)調(diào)制。對(duì)于I/O讀和I/O寫分別采用150ns和100ns的歸零取反調(diào)制，地址線A0-A3采用雙向的歸零調(diào)制。對(duì)于數(shù)據(jù)總線D7-D0也采用歸零調(diào)制。其它輸入采用不歸零調(diào)制。

　　2.8.2　測(cè)試碼點(diǎn)

　　L82C37A由于功能比較復(fù)雜，時(shí)序要求又比較嚴(yán)格，測(cè)試碼點(diǎn)的產(chǎn)生比較長(zhǎng)。根據(jù)L82C37A的功能特性要求，分成4種不同類型的測(cè)試碼點(diǎn)圖形，有利于進(jìn)行測(cè)試分析。

　　2.8.3　交、直流參數(shù)測(cè)試

　　L82C37A電路的交、直流參數(shù)測(cè)試是按照參數(shù)手冊(cè)的交、直流參數(shù)要求進(jìn)行測(cè)試的。

　　3　結(jié)束語

　　L82C37A電路在DIC-8032大型測(cè)試系統(tǒng)上完全按照手冊(cè)要求，進(jìn)行全功能、全參數(shù)測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明，各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)均達(dá)到國(guó)外同類產(chǎn)品的性能參數(shù)規(guī)范，可替換使用。L82C37A能在-55℃～+125℃全溫區(qū)、8MHz頻率條件下可靠地工作，達(dá)到了用戶要求，可批量生產(chǎn).