總部位于廈門的三安光電營(yíng)業(yè)收入超48億元，MOCVD（LED外延片制造設(shè)備）總數(shù)量已達(dá)到279臺(tái)，形成年產(chǎn)LED外延2400萬(wàn)片、LED芯片3000億粒的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，各項(xiàng)數(shù)據(jù)均居于全國(guó)第一，并在廈門
2016-11-10 18:03:38
4998 器件及III-V族化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。生長(zhǎng)高質(zhì)量的材料是半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵要素。2019年，外延片的需求超過(guò)了780萬(wàn)片6英寸晶圓，這主要是由LED和功率器件驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生的。預(yù)計(jì)到2025年，外延片需求將達(dá)到至頂峰，相當(dāng)于2130萬(wàn)片6英寸晶圓，主要驅(qū)動(dòng)力來(lái)自
2020-01-30 09:58:585823 12月30日消息 根據(jù)中欣晶圓官方的消息，中欣晶圓12英寸第一枚外延片正式下線，成為國(guó)內(nèi)首家獨(dú)立完成12英寸單晶、拋光到外延研發(fā)、生產(chǎn)的企業(yè)。
2020-12-31 10:57:314702 片銷量第一，營(yíng)收受市場(chǎng)價(jià)格下跌明顯 當(dāng)前，天域半導(dǎo)體已經(jīng)成為中國(guó)首家技術(shù)領(lǐng)先的專業(yè)碳化硅外延片供應(yīng)商，其及其技術(shù)可以用于在汽車、5G基站、數(shù)據(jù)中心、雷達(dá)及家用電器等場(chǎng)景。同時(shí)也是中國(guó)首批實(shí)現(xiàn)4英吋及6英吋碳化硅外延片量產(chǎn)的公司之一，以及中國(guó)首
2025-01-06 06:58:004476 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ， 短短兩天內(nèi)，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)接連迎來(lái)重磅突破。12月23日，廈門瀚天天成宣布成功開(kāi)發(fā)全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅（SiC）外延晶片；次日， 晶盛機(jī)電 便官宣其自主研發(fā)
2025-12-28 09:55:37820 我國(guó)科學(xué)家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國(guó)氧化鎵領(lǐng)域研究連續(xù)取得突破日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
寄予厚望，希望其可成為Micro LED量產(chǎn)前的過(guò)渡產(chǎn)品。 “新科狀元”聚燦光電LED外延片產(chǎn)能約450萬(wàn)片(折2英寸)，芯片產(chǎn)能約330萬(wàn)片。而且其在建產(chǎn)能十分龐大，據(jù)了解，聚燦光電LED外延片
2018-06-14 14:44:35
AOC 冠捷 I2369V 維修過(guò)程冠捷I2369V液晶顯示器維修手冊(cè).pdf (4.7 MB )冠捷23寸以上彩電電源圖紙.pdf (1.24 MB )
2019-05-30 04:36:17
光電子應(yīng)用正在推動(dòng)砷化鎵（GaAs）晶圓和外延片市場(chǎng)進(jìn)入一個(gè)新時(shí)代！在GaAs射頻市場(chǎng)獲得成功之后，GaAs光電子正成為一顆冉冉升起的新星
2019-09-03 06:05:38
缺陷，幫助LED客戶選擇高質(zhì)量的外延片、芯片。4.芯片工藝和清潔度觀察電極加工是制作LED芯片的關(guān)鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨，會(huì)接觸到很多化學(xué)清洗劑，如果芯片清洗不夠干凈，會(huì)使
2015-03-11 17:08:06
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
冠軍基本無(wú)緣，必會(huì)將精力全部集中于歐冠。相比之下，馬競(jìng)?cè)孕璺中穆?lián)賽。對(duì)于以防守見(jiàn)長(zhǎng)的兩隊(duì)來(lái)說(shuō)，少犯錯(cuò)的一方將更接近勝利。在四支勁旅當(dāng)中，切爾西的奪冠賠率高達(dá)1賠5.50，倒數(shù)第一。作為藍(lán)軍球迷，小弟卻
2014-04-23 14:14:37
集團(tuán)就曾投資1550萬(wàn)美元在深圳設(shè)立一家名為唯冠光電照明有限公司的全資子公司，主要經(jīng)營(yíng)研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售及安裝于一體的LED照明業(yè)務(wù)。2010年，集團(tuán)旗下的武漢唯冠科技有(46A-3GRI)限公司
2012-07-30 17:03:26
` 有誰(shuí)用過(guò)SEMILAB的SRP-2000外延片厚度測(cè)試儀，關(guān)于測(cè)試儀的機(jī)構(gòu)和控制部分，尤其是精度部分希望交流，資料可發(fā)g-optics@163.com，多謝！`
2018-11-20 20:25:37
價(jià)格已達(dá)萬(wàn)元，而百寸級(jí)別的更是高達(dá)幾十萬(wàn)。 隨著激光電視發(fā)展迅速，讓我們僅需花費(fèi)萬(wàn)元左右，就能在家體驗(yàn)百寸大屏觀影的震撼。小米，海信，長(zhǎng)虹等品牌廠商都已經(jīng)布局激光電視，也越來(lái)越好的激光電視在不斷問(wèn)世
2019-03-08 12:30:54
內(nèi)的波長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)偏差標(biāo)準(zhǔn)為1.3nm，波長(zhǎng)范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小，2英寸硅襯底LED大多數(shù)在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產(chǎn)硅4545
2014-01-24 16:08:55
各位大神，目前國(guó)內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測(cè)器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
介紹了對(duì)新型發(fā)光二極管外延片光致發(fā)光系統(tǒng)的改進(jìn)，以VC.net 為語(yǔ)言工具編制軟件，對(duì)發(fā)光二極管外延片關(guān)鍵性能參數(shù)的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行分析。增加了薄膜厚度測(cè)量的性能，完善了
2009-05-26 10:23:36
19 VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國(guó)IR 公司推出VDMOS 結(jié)構(gòu)，將器件耐壓、導(dǎo)通電阻和電流處理能力提高到一個(gè)新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一個(gè)管芯包括幾千個(gè)元胞
2009-12-21 10:52:2442 介紹了對(duì)新型發(fā)光二極管外延片光致發(fā)光系統(tǒng)的改進(jìn)，以VC.net 為語(yǔ)言工具編制軟件，對(duì)發(fā)光二極管外延片關(guān)鍵性能參數(shù)的測(cè)量結(jié)果進(jìn)行分析。增加了薄膜厚度測(cè)量的性能，完善了
2009-12-23 14:33:5625 LED制作流程分為兩大部分。首先在襯低上制作氮化鎵（GaN）基的外延片，這個(gè)過(guò)程主要是在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延爐中完成的。準(zhǔn)備好制作GaN基外延片所需的材料源和各種高純
2010-01-09 10:39:1467 LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技
2010-12-21 16:39:290 LED外延片代工廠走勢(shì)分析
延續(xù)2009年第2季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣自谷底彈升，包括臺(tái)積電、聯(lián)電、特許半導(dǎo)體(Chartered)及中芯等前4大外延片代工廠，2009年第3季合計(jì)營(yíng)收達(dá)43。3
2009-11-27 11:02:14906 冠捷23寸IPS液晶iF23海外上市
冠捷的新品顯示器在國(guó)內(nèi)的上市時(shí)間往往要早于國(guó)外，作為冠捷的一款I(lǐng)PS高端液晶23寸iF23備受外界關(guān)注。雖然國(guó)內(nèi)用戶
2010-03-20 09:19:331536 升譜光電成功研發(fā)高效應(yīng)急LED燈具
地震等自然災(zāi)害發(fā)生時(shí)，應(yīng)急照明燈是逃生、救災(zāi)等的必需設(shè)備，但是，這種應(yīng)急燈具往往有
2010-04-02 13:33:21688 據(jù)LEDinside消息，新強(qiáng)光電(NeoPac Opto)宣布，該公司配合其固態(tài)照明通用平臺(tái)(NeoPac Universal Platform)及可持續(xù)性的LEDs標(biāo)準(zhǔn)光源技術(shù)，
2010-11-17 09:17:091505 隆達(dá)電子于日前產(chǎn)出并成功點(diǎn)亮全國(guó)第一片* 6吋LED發(fā)光二極管晶粒制程圓片，展現(xiàn)了隆達(dá)電子LED晶粒制程技術(shù)之領(lǐng)先地位。隆達(dá)電子之先進(jìn)制程項(xiàng)目室引進(jìn)新一代的制程設(shè)備，同時(shí)
2010-12-28 08:53:282867 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長(zhǎng)的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 20世紀(jì)80年代早期開(kāi)始使用外延片，它具有標(biāo)準(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長(zhǎng)和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。
2011-05-06 11:55:522259 外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來(lái)就在每張 外延片 隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。 半導(dǎo)體制造
2011-09-22 16:38:321589 本內(nèi)容介紹了LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)，LED外延片--襯底材料，評(píng)價(jià)襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:543460 LED芯片產(chǎn)生前的LED外延片生長(zhǎng)的基本原理,LED外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程比較復(fù)雜,目前LED外延片生長(zhǎng)技術(shù)主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）方法。
2012-05-15 09:48:402568 繼2月份宣布量產(chǎn)4英寸和6英寸藍(lán)寶石襯底后，蘇州海鉑晶體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“海鉑晶體”）再次宣布：公司已于近期順利生產(chǎn)出10英寸晶錠，良品率達(dá)80%以上。目前中國(guó)臺(tái)灣一家外延
2012-08-03 14:30:582654 
科銳公司日前宣布推出其最新低基面位錯(cuò)（LBPD）100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯(cuò)材料的外延漂移層的總基面位錯(cuò)密度小于1cm-2，引起Vf偏移的基面位錯(cuò)容量小于0.1cm-2。
2012-10-16 15:13:214858 4月26日，海信在廣州發(fā)布了全球首款88英寸超短焦4K激光電視悅享版新品，目前，海信4K激光電視已經(jīng)涵蓋88英寸、100英寸、120英寸三個(gè)大屏尺寸段。
2017-04-27 10:29:532443 據(jù)悉，LED封裝服務(wù)提供商億光電子和LED外延片及芯片制造商晶元光電五月份綜合收益分別為19.85億新臺(tái)幣（6640萬(wàn)美元）和18.14億新臺(tái)幣；前者環(huán)比增長(zhǎng)2.43%，但同比下降16.16%，后者環(huán)比增長(zhǎng)8.94%，但同比下降18.07%。
2018-06-15 15:25:001565 據(jù)報(bào)道，聚燦擬募投項(xiàng)目變更，公司擬將原募集資金項(xiàng)目“聚燦光電科技股份有限公司 LED 芯片生產(chǎn)研發(fā)項(xiàng)目”變更為“聚燦光電科技（宿遷）有限公司 LED 外延片、芯片生產(chǎn)研發(fā)項(xiàng)目（一期）”。
2018-03-03 15:51:012241 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，全新光電VCSEL外延片仍需等待蘋(píng)果公司的產(chǎn)品審核，而加入蘋(píng)果iPhone系列手機(jī)和其他設(shè)備的VCSEL 3D傳感器供應(yīng)鏈，將成為該公司2018年的主要業(yè)務(wù)目標(biāo)之一。
2018-04-03 14:49:329446 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子幾乎訂購(gòu)了中國(guó)LED外延片和芯片制造商三安光電位于廈門的Mini LED產(chǎn)能，以確保其將在2018年第三季度推出的大尺寸高端液晶電視背光芯片供應(yīng)。
2018-05-16 10:24:005853 據(jù)悉，LED外延片和芯片制造商晶元光電將于8月29日至31日在臺(tái)北舉行的2018年臺(tái)灣智慧顯示與觸控展（Touch Taiwan 2018）上展示Mini LED應(yīng)用。
2018-07-04 16:34:002049 據(jù)業(yè)內(nèi)人士稱，三安光電將在2019年第一季度建立首條Micro LED外延片和芯片生產(chǎn)線。
2018-09-04 16:53:002266 據(jù)消息稱，三安已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了直徑為20微米的Micro LED產(chǎn)品；與此同時(shí)，三安還將生產(chǎn)4微米LED和10微米的LED倒裝芯片。三安計(jì)劃在2019年年底前開(kāi)始生產(chǎn)用于智能可穿戴設(shè)備、100英寸以上大尺寸面板和汽車尾燈等小尺寸面板的Micro LED產(chǎn)品。
2018-09-05 10:33:207235 LED的波長(zhǎng)、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延片材料，因此，外延片材料作為LED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技術(shù)的發(fā)展及工藝非常重要。
2018-11-01 16:41:125593 近日，華燦光電在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，LED芯片成本主要由原材料、設(shè)備折舊、人工成本等構(gòu)成，公司LED外延片擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度將視行業(yè)情況而定。
2018-11-29 15:27:142386 南昌市光電產(chǎn)業(yè)推介會(huì)暨乾照光電南昌基地項(xiàng)目投產(chǎn)儀式在南昌舉行，該基地項(xiàng)目總投資50億元，用地600畝，其中一期投資25億，年生產(chǎn)能力可達(dá)960萬(wàn)（折2寸片）藍(lán)綠外延芯片。這意味著國(guó)內(nèi)紅黃光LED芯片龍頭乾照光電，在藍(lán)綠芯片上再下一城，穩(wěn)居全色系LED第一梯隊(duì)。
2018-12-13 10:31:216903 近日，漳州高新區(qū)和福建一輪善淳科技發(fā)展有限公司進(jìn)行項(xiàng)目對(duì)接，雙方就8/12寸集成電路用單晶硅拋光片、外延片項(xiàng)目的合作達(dá)成一致意見(jiàn)并現(xiàn)場(chǎng)簽訂框架協(xié)議。
2018-12-19 14:46:416162 近日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，其控股子公司聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱“聚能晶源”）成功研制“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”，聚
2018-12-20 14:45:207537 1月9日晚間，國(guó)星光電(002449)發(fā)布公告，宣布投資10億擴(kuò)產(chǎn)新一代LED封裝器件及配套外延芯片。
2019-01-14 15:05:403749 據(jù)悉，原先計(jì)劃在2019年第二季度開(kāi)始生產(chǎn)用于硅基傳感器芯片的6英寸外延片的鼎元光電，由于工廠建設(shè)延遲，將于2019年第三季度開(kāi)始試產(chǎn)，并將在2020年量產(chǎn)。
2019-06-26 15:24:021882 據(jù)悉，LED外延片和芯片制造商晶元光電（Epistar）日前表示，公司有望在2019年回歸盈利，盡管困難重重。
2019-06-24 15:55:462186 近幾年，“LED”一詞熱得燙手，國(guó)內(nèi)LED技術(shù)與市場(chǎng)發(fā)展迅速，取得了外延片、芯片核心技術(shù)的突破性進(jìn)展。那么，關(guān)于LED外延片、芯片，你了解多少呢？
2019-11-25 14:06:4922365 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問(wèn)題并應(yīng)對(duì) microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應(yīng)用其獨(dú)特的應(yīng)變工程技術(shù)，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN-on-Si） 外延片的出色一致性和可重復(fù)性。此外，公司還報(bào)告了其 300 mm 外延片的成功發(fā)展藍(lán)圖。
2020-04-08 16:53:125033 
晶棒長(zhǎng)成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是外延片。
2020-04-16 17:08:322307 LED外延片其實(shí)是襯底材料作用的，也就是說(shuō)在使用一些照明產(chǎn)業(yè)當(dāng)中，這種材料被廣泛的運(yùn)用于芯片加工。導(dǎo)體外延片的存在是與發(fā)光產(chǎn)業(yè)相連接的，也就是說(shuō)在進(jìn)行LED外延片的選擇方上，要與外形的晶體相符合，另外也與其他的客觀因素有著相當(dāng)大的關(guān)系，最主要的是與穩(wěn)定性和導(dǎo)熱性有著密切聯(lián)系。
2020-07-17 16:29:596397 日前，LED外延片和芯片制造商晶元光電（Epistar）總裁Lee bing －jye透露，智能手表將是Micro LED的第一個(gè)主要應(yīng)用，從現(xiàn)在起3－4年時(shí)間內(nèi)Micro LED可能會(huì)大量應(yīng)用在智能手表上。
2020-08-12 16:42:241268 通信、數(shù)據(jù)中心、激光、紅外、精密光學(xué)、鏡頭及模組、機(jī)器視覺(jué)、光電傳感等版塊。其中，專業(yè)的外延片生產(chǎn)廠商-西安唐晶量子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“唐晶量子”）連續(xù)3年參展，本次帶來(lái)其主打的兩款高端GaAs外延片產(chǎn)品VCSEL和HBT。
2020-09-15 10:11:055077 12月15日，友達(dá)光電宣布其9.4寸高解析度柔性Micro LED顯示器榮獲「2020年科技部新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)優(yōu)良廠商創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)」，友達(dá)亦成功將Micro LED導(dǎo)入車載市場(chǎng)
2020-12-16 11:09:071150 雖然在商用化學(xué)氣相沉積設(shè)備中可以在一次運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)多片4H－SiC襯底的同質(zhì)外延生長(zhǎng)，但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上，這導(dǎo)致基座的直徑隨著數(shù)量或者外延晶片總面積的增加而增加。
2020-12-26 03:52:291175 根據(jù)中欣晶圓官方的消息，中欣晶圓12英寸第一枚外延片正式下線，成為國(guó)內(nèi)首家獨(dú)立完成12英寸單晶、拋光到外延研發(fā)、生產(chǎn)的企業(yè)。 官方表示，12月28日杭州中欣晶圓迎來(lái)了具有歷史意義的一天：在12英寸
2020-12-31 09:44:145522 2020年打響開(kāi)年漲價(jià)“第一槍”的聚燦光電并未憑此獲益。 4月28日，聚燦光電發(fā)布年度業(yè)績(jī)報(bào)告，其2020年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收14.07億元，同比增長(zhǎng)23.05%;歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為2137萬(wàn)元
2021-05-10 11:00:582301 
的。IVWorks（韓國(guó)）利用基于深度學(xué)習(xí)的人工智能 (AI) 外延技術(shù)制造氮化鎵 (GaN) 外延片，這是直流功率器件和 5G 通信設(shè)備的關(guān)鍵材料，已獲得 670 萬(wàn)美元的 B 輪投資. 因此，IVWorks 現(xiàn)在已獲得總計(jì) 1000 萬(wàn)美元的資金。三星旗下專業(yè)投資子公司三星風(fēng)險(xiǎn)投資參與了
2022-07-29 18:19:472652 
該外延片專為新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)，以適用目前更高效的800V電壓架構(gòu)。并且該外延片基于國(guó)產(chǎn)設(shè)備開(kāi)發(fā)，完全自主可控。
2022-11-18 10:08:542005 蘇州納米科技城召開(kāi)碳化硅（SiC）外延片投產(chǎn)新聞發(fā)布會(huì)。會(huì)上公司創(chuàng)始人、總經(jīng)理呂立平宣布，公司采用國(guó)產(chǎn)CVD設(shè)備和國(guó)產(chǎn)襯底生產(chǎn)的6英寸SiC外延片，已于近期通過(guò)兩大權(quán)威機(jī)構(gòu)的雙重檢測(cè)，性能指標(biāo)完全媲美國(guó)際大廠，為我國(guó)碳化硅行業(yè)創(chuàng)下了一個(gè)毫無(wú)爭(zhēng)議
2022-11-29 18:06:053670 來(lái)源：奧趨光電 奧趨光電于近期成功實(shí)現(xiàn)了氮化鋁（AlN）晶體從2英寸到3英寸的迭代擴(kuò)徑生長(zhǎng)（見(jiàn)圖一），制備出了直徑達(dá)76 mm的鋁極性AlN單晶錠及3英寸襯底樣片（見(jiàn)圖二）。此3英寸AlN單晶錠
2022-12-23 15:55:112513 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007546 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長(zhǎng)一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來(lái)，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。
2023-02-06 17:14:355313 通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長(zhǎng)的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:254281 氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片，它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造高精度的零件和組件，如電路板、電子控制器、電子模塊、電子接口、電子連接器等。
2023-02-14 14:05:415426 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3215328 2020年，晶能光電推出8英寸硅襯底InGaN紅光外延技術(shù)，目前仍在持續(xù)研發(fā)以提升InGaN紅光光效；2021年9月，晶能光電成功制備像素點(diǎn)間距為25微米、像素密度為1000PPI的硅襯底InGaN紅、綠、藍(lán)三基色Micro LED陣列。目前，像素點(diǎn)間距這一重要技術(shù)指標(biāo)已縮至8微米。
2023-02-21 10:53:161649 對(duì)于Micro
LED而言，
一張
4寸外延的
片內(nèi)波長(zhǎng)差小于2nm才勉強(qiáng)滿足使用要求，除此之外Micro
LED對(duì)更高光效的
外延也提出了要求；如何通過(guò)對(duì)
外延結(jié)構(gòu)以及生長(zhǎng)方法和工藝進(jìn)行
一系列優(yōu)化從而降低
外延缺陷密度，增加電子和空穴的傳輸?shù)鹊龋?/div>
2023-02-27 11:04:411900 從保障外延片品質(zhì)入手，提升Micro LED生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本外，應(yīng)用更大尺寸的外延片也是Micro LED成本考量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)的LED行業(yè)普遍在4英寸，而Micro LED的生產(chǎn)工藝會(huì)擴(kuò)大到6乃至8英寸，更大的襯底尺寸可以更好控制Micro LED的成本。
2023-05-10 09:50:041644 外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:098486 
近日，成都辰顯光電有限公司（以下簡(jiǎn)稱辰顯光電）在成都高新區(qū)成功點(diǎn)亮了國(guó)內(nèi)首款P0.5 TFT基無(wú)邊框29英寸Micro-LED拼接屏。該拼接屏采用了25微米LED芯片，由4個(gè)14.5英寸
2023-08-02 11:05:592055 對(duì)于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測(cè)量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會(huì)出現(xiàn)反映外延層厚度信息的連續(xù)干涉條紋。
2023-08-05 10:31:474603 
近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:442195 此外，研磨技術(shù)的缺點(diǎn)還有統(tǒng)一性不高，多片加工時(shí)對(duì)外延片的厚度的組合比較苛刻，并且加工效率較低。如果將研磨后的外延片再進(jìn)行CMP處理，則需要較長(zhǎng)的時(shí)間才能去除掉損傷層。并且由于襯底的厚度不同，外延的厚度也不同，因此每一片外延片的減薄要求也不同，整體加工效率較低。
2023-09-27 16:35:432065 
紫金山觀察消息顯示，該項(xiàng)目一期投資19.3億元，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)估新增年收入25億元，將形成8-12英寸硅外延片456萬(wàn)片/年，6-8英寸化合物外延片12.6萬(wàn)片/年的生產(chǎn)能力，支撐開(kāi)展大尺寸硅外延和化合物外延研發(fā)以及產(chǎn)業(yè)化，擴(kuò)大在高端功率器件、集成電路等應(yīng)用領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
2023-11-14 15:44:121346 半導(dǎo)體的外延片和晶圓的區(qū)別？ 半導(dǎo)體的外延片和晶圓都是用于制造集成電路的基礎(chǔ)材料，它們之間有一些區(qū)別和聯(lián)系。在下面的文章中，我將詳細(xì)解釋這兩者之間的差異和相關(guān)信息。 首先，讓我們來(lái)了解一
2023-11-22 17:21:258105 近日，乾照光電取得多項(xiàng)LED芯片相關(guān)專利，分別是“一種LED芯片及其制備方法”、“一種垂直結(jié)構(gòu)LED芯片”、“一種LED外延結(jié)構(gòu)“。
2023-12-03 14:11:351939 采用國(guó)星光電自主研發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)路線，實(shí)現(xiàn)＞50多萬(wàn)顆Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，轉(zhuǎn)移良率＞99.9%。此外，國(guó)星Micro LED研發(fā)平臺(tái)未來(lái)還可支持12寸以內(nèi)基板上芯片多次拼接鍵合。
2023-12-08 10:07:36879 成都辰顯光電有限公司在2024年1月16日宣布，成功點(diǎn)亮了全球首款88英寸P0.5 前維護(hù)TFT基Micro-LED拼接屏
2024-01-22 11:30:321576 預(yù)計(jì)該項(xiàng)目投資總額3.5億元人民幣，將引進(jìn)碳化硅外延設(shè)備及輔助設(shè)備共計(jì)116套。其中包括一條具備24萬(wàn)片年產(chǎn)量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產(chǎn)線。
2024-02-29 16:24:011234 3月6日，聚燦光電發(fā)布公告，宣布擬變更“Mini/Micro LED芯片研發(fā)及制造擴(kuò)建項(xiàng)目”的部分募集資金（共計(jì)8億元）用途，用于新項(xiàng)目“年產(chǎn)240萬(wàn)片紅黃光外延片、芯片項(xiàng)目”的實(shí)施。
2024-03-08 13:58:421890 
近日，成都辰顯光電有限公司成功點(diǎn)亮了國(guó)內(nèi)首款27英寸TFT基P0.7 Micro-LED拼接箱體。
2024-03-18 15:46:411357 麥斯克電子近日宣布，其年產(chǎn)360萬(wàn)片8英寸硅外延片的項(xiàng)目已成功封頂。據(jù)CEFOC中電四公司透露，該項(xiàng)目的總投資額超過(guò)14億元，建設(shè)規(guī)模宏大，占地建筑面積超過(guò)5萬(wàn)平方米。預(yù)計(jì)項(xiàng)目建成并投產(chǎn)后，將大幅提升麥斯克電子在硅外延片領(lǐng)域的生產(chǎn)能力，年產(chǎn)量將達(dá)到360萬(wàn)片8英寸硅外延片。
2024-05-06 14:58:312197 前言硅片按照產(chǎn)品工藝進(jìn)行分類，主要可分為硅拋光片、外延片和SOI硅片。上期我們已經(jīng)介紹SOI硅片，本期關(guān)注硅拋光片和外延片。硅拋光片硅拋光片又稱硅單晶拋光片，單晶硅錠經(jīng)過(guò)切割、研磨和拋光處理后得到
2024-06-12 08:09:075146 
外延片和擴(kuò)散片都是半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的材料。它們的主要區(qū)別在于制造過(guò)程和應(yīng)用領(lǐng)域。 制造過(guò)程： 外延片是通過(guò)在單晶硅片上生長(zhǎng)一層或多層半導(dǎo)體材料來(lái)制造的。這個(gè)過(guò)程通常使用化學(xué)氣相沉積（CVD）或
2024-07-12 09:16:522550 實(shí)驗(yàn)名稱：基于單端接觸原理的LED外延片無(wú)損檢測(cè)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：基于單注入模式，使用新型檢測(cè)系統(tǒng)獲取LED外延片的電學(xué)參數(shù)與光學(xué)參數(shù)。研究方向：LED外延片檢測(cè)測(cè)試設(shè)備：光譜儀、函數(shù)信號(hào)發(fā)生器
2024-10-25 10:29:541235 
隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)的主流尺寸，其外延生長(zhǎng)室的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
2024-12-31 15:04:18398 
一、引言
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種具有優(yōu)異物理和化學(xué)性質(zhì)的材料，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。高質(zhì)量、大面積的SiC外延片是實(shí)現(xiàn)高性能SiC
2025-01-07 15:19:59423 一、引言
在半導(dǎo)體制造業(yè)中，外延生長(zhǎng)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色?；瘜W(xué)氣相沉積（CVD）作為一種主流的外延生長(zhǎng)方法，被廣泛應(yīng)用于制備高質(zhì)量的外延片。而在CVD外延生長(zhǎng)過(guò)程中，石墨托盤作為承載和支撐半導(dǎo)體
2025-01-08 15:49:10364 引言
碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信及高溫環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外延生長(zhǎng)過(guò)程中，掉落物缺陷（如顆粒脫落、乳凸等）一
2025-02-10 09:35:39401 引言
碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導(dǎo)體材料，因其卓越的物理和化學(xué)性質(zhì)，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外延片的制造過(guò)程中，表面污染物的存在會(huì)嚴(yán)重影響
2025-02-11 14:39:46414 一、引言
碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長(zhǎng)工藝參數(shù)起著決定性
2025-09-18 14:44:40645 
近日，上揚(yáng)軟件憑借深厚的行業(yè)積淀、領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力以及眾多經(jīng)市場(chǎng)驗(yàn)證的成功案例，在激烈的競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出，成功中標(biāo)麥斯克電子材料股份有限公司（麥斯克電子）8英寸外延片工廠 CIM 系統(tǒng)實(shí)施項(xiàng)目。此次合作
2025-10-14 11:50:46683 11月5日上午，冠捷科技集團(tuán)旗下AOC商顯、飛利浦商顯與Micro-LED顯示領(lǐng)域的知名企業(yè)——成都辰顯光電有限公司（以下簡(jiǎn)稱“辰顯光電”）戰(zhàn)略合作簽約儀式在上海冠捷大廈成功舉行。雙方代表齊聚一
2025-11-10 10:58:24382 
外延片氧化清洗流程是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，旨在去除表面污染物并為后續(xù)工藝（如氧化層生長(zhǎng)）提供潔凈基底。以下是基于行業(yè)實(shí)踐和技術(shù)資料的流程解析：一、預(yù)處理階段初步清洗目的：去除外延片表面的大顆粒塵埃
2025-12-08 11:24:01244 
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