CGH55030F1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號： CGH55030F1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

瞬時帶寬 300 MHz 瞬時帶寬
峰值功率能力 30 W 峰值功率能力
增益 10 dB 小信號增益
4 W PAVE 4 W PAVE < 2.0% EVM
平均功率平均功率為 4 W 時效率為 25%

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGH55030F1/CGH55030P1 是專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得H55030F1/CGH55030P1 非常適合 5.5 – 5.8-GHz WiMAX 和 BWA 放大器應用。該晶體管提供旋入式法蘭和焊接式藥丸封裝。基于適當?shù)耐獠科ヅ湔{整；H55030F1/CGH55030P1 也適用于 4.9 – 5.5-GHz 應用。

特征
300 MHz 瞬時帶寬
30 W 峰值功率能力
10 dB 小信號增益
4 W PAVE < 2.0% EVM
平均功率為 4 W 時效率為 25%

應用
WiMAX 固定接入 802.16-2004 OFDM 應用
多載波 DOCSIS 應用

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