電子發(fā)燒友網(wǎng)>汽車電子>英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進(jìn)導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)效率和設(shè)計(jì)魯棒性

英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進(jìn)導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)效率和設(shè)計(jì)魯棒性

【2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有顯著的性能優(yōu)勢。這使得全新 MOSFET 成為所有的標(biāo)準(zhǔn)和未來車用 40V MOSFET 應(yīng)用的理想選擇，如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、制動(dòng)系統(tǒng)、斷開開關(guān)和新區(qū)域架構(gòu)。OptiMOS 7 系列產(chǎn)品還可用于電池管理、電子保險(xiǎn)絲盒以及 DC-DC 和 BLDC 驅(qū)動(dòng)器。
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英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級(jí)副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。該系列采用領(lǐng)先的技術(shù)，能在緊湊的設(shè)計(jì)中提供優(yōu)異的效率和功率。這些半導(dǎo)體器件具有卓越的功率密度和能效，同時(shí)具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻?！?br /> ?
全新 OptiMOS 系列產(chǎn)品降低了開關(guān)損耗，并提高了安全工作區(qū)（SOA）的魯棒性和高雪崩電流能力。因此，它們有助于未來高效汽車應(yīng)用的設(shè)計(jì)。該器件系列采用多種堅(jiān)固的車規(guī)級(jí)功率封裝方式，包括 TDSON-8、HSOF-5、HSOF-8 和頂部冷卻封裝。得益于緊湊的外形，該系列可在提高系統(tǒng)效率的同時(shí)大幅降低空間需求。此外，新產(chǎn)品可以改善冷卻，同時(shí)降低了系統(tǒng)成本。借助這些器件，設(shè)計(jì)人員能夠輕松設(shè)計(jì)出質(zhì)量卓著的產(chǎn)品和應(yīng)用。
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供貨情況
OptiMOS 40 V 系列已經(jīng)投產(chǎn)，首批產(chǎn)品可于 2023 年 8 月開始訂購。更多信息請(qǐng)?jiān)L問 www.infineon.com/optimos7。
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如需進(jìn)一步了解英飛凌在提高能源效率方面做出的貢獻(xiàn)，請(qǐng)?jiān)L問：www.infineon.com/green-energy。
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英飛凌(142485) 英飛凌(142485)
MOSFET(230991) MOSFET(230991)

評(píng)論

意法半導(dǎo)體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管，具備更好的節(jié)能降噪特性

2022 年 6 月 23 日，中國 – 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時(shí)優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換

2022-06-24 09:57:45

2122

MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對(duì)電流通過的阻礙程度。

2025-05-26 15:09:34

3819

一文探究SiC MOSFET的短路魯棒性

SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、反向阻斷特性好、熱導(dǎo)率高、開關(guān)速度快等優(yōu)勢，在高功率、高頻率應(yīng)用領(lǐng)域中占有重要地位。然而，SiC MOSFET面臨的一個(gè)關(guān)鍵挑戰(zhàn)是降低特征導(dǎo)通電阻（RON,SP）與提升短路耐受時(shí)間(tSC)之間的權(quán)衡。

2025-08-04 16:31:12

3055

IR推出低導(dǎo)通電阻的車用功率MOSFET AUIRFR4292和AUIRFS6535

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動(dòng)機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。

2012-08-15 11:25:08

3403

Vishay推出最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。

2012-11-28 21:17:40

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飛兆半導(dǎo)體推出型號(hào)為FDB9403的40V PowerTrench MOSFET

飛兆半導(dǎo)體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403，該產(chǎn)品可幫助設(shè)計(jì)人員在汽車動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。

2012-12-04 14:56:04

1314

IR推出具有基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻的全新300V功率MOSFET

IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）），全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計(jì)人員在多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用時(shí)減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。

2013-01-22 13:27:21

1631

Vishay推出高性能CMOS模擬開關(guān) 導(dǎo)通電阻只有1.5?

Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲（SPST）CMOS模擬開關(guān)

2019-03-08 15:06:39

2742

性價(jià)比一流：英飛凌推出面向低頻率應(yīng)用的600 V CoolMOSTM S7超結(jié)MOSFET

英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案。對(duì)于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效。

2020-03-04 07:46:00

1790

英飛凌OptiMOS?源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置

OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對(duì)多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。

2020-11-04 11:20:37

1997

東芝推出采用新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET，支持車載設(shè)備對(duì)更大電流的需求

中國上海， 2023 年 2 月 3 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET

2023-02-06 10:01:47

1486

英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率

2023-12-12 18:04:37

1464

英飛凌為汽車應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS? 7

? 【 2024 年 4 月 15 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進(jìn)功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS? 7

2024-04-16 09:58:44

5848

新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計(jì)穩(wěn)健性和開關(guān)效率

，在40 V 產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號(hào)的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對(duì)各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)和未來的48 V汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，包括電動(dòng)

2024-06-18 17:51:28

1177

汽車48V、AI數(shù)據(jù)中心驅(qū)動(dòng)，英飛凌OptiMOS 7系列器件解析

看英飛凌的OptiMOS 7系列產(chǎn)品。 ? 官網(wǎng)產(chǎn)品列表來源：英飛凌 OptiMOS系列是英飛凌面向中低壓領(lǐng)域的產(chǎn)品，產(chǎn)品覆蓋10V到300V區(qū)間，主打一個(gè)高性能和高性價(jià)比。OptiMOS系列的特點(diǎn)包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度，適合于較高開關(guān)頻率的應(yīng)用，像通信應(yīng)

2025-02-27 00:58:00

2676

英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2，適用于汽車和工業(yè)功率電子應(yīng)用

? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率密度而設(shè)計(jì)。它提供一系列精細(xì)化的產(chǎn)品組合，在25°C時(shí)R?DS(on)?值

2025-07-02 15:00:30

1604

40V功率MOSFET能滿足汽車要求嗎？

意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。

2019-08-09 07:28:08

MOSFET導(dǎo)通電阻Rds

（1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。（2）Rds（on）時(shí)正溫度系數(shù)，會(huì)隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds

2025-12-23 06:15:35

OptiMOS 3功率MOSFET系列產(chǎn)品為高能效產(chǎn)品提供更高性能

的設(shè)計(jì)而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計(jì)，使更高電壓等級(jí)的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓

2018-12-07 10:21:41

開關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響

”這個(gè)參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ)，按照同樣步驟來推導(dǎo)。右側(cè)電路圖在上次給出的升降壓轉(zhuǎn)換器簡圖上標(biāo)出了作為開關(guān)的MOSFET的導(dǎo)通電阻

2018-11-30 11:48:22

汽車類40V至1kV輸入反激式參考設(shè)計(jì)包括BOM及框圖

) 或電動(dòng)汽車 (EV) 牽引逆變器系統(tǒng)。40V 最低輸入電壓支持來自牽引電機(jī)的可再生制動(dòng)的功能安全測試。該參考設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一款碳化硅 (SiC) MOSFET，該器件具有用于降低開關(guān)損耗的高阻斷

2018-10-15 14:56:46

英飛凌40V和60V MOSFET

，英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開發(fā)工作。與OptiMOS?3技術(shù)直接比較，結(jié)果表明，新一代MOSFET不僅可極大地降低通態(tài)電阻RDS(on)，還可大幅改進(jìn)開關(guān)特性。阻斷電壓為

2018-12-06 09:46:29

EN系列可保持低導(dǎo)通電阻與開關(guān)速度，改善噪聲性能

第二代。非常有助于改善包括電源在內(nèi)的PFC等各種功率轉(zhuǎn)換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級(jí)結(jié)MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快的特點(diǎn)，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結(jié)合了平面

2018-12-05 10:00:15

IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET

`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻

2010-05-06 08:55:20

ROHM新品 | 適用于工業(yè)設(shè)備和基站電機(jī)的新一代雙極MOSFET

泛的需求，ROHM還開發(fā)出+40V和+60V耐壓的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，產(chǎn)品陣容已達(dá)12款。本系列產(chǎn)品采用ROHM新工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低的導(dǎo)通電阻，±40V耐壓產(chǎn)品的導(dǎo)

2021-07-14 15:17:34

SJ MOSFET的效率改善和小型化

公司也有生產(chǎn)，但是ROHM在推進(jìn)獨(dú)自開發(fā)。此次內(nèi)置的SJ MOSFET不僅實(shí)現(xiàn)了650V的高耐壓，還實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷，開關(guān)速度也非?？臁＿@將大大改善開關(guān)即MOSFET的導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗。這

2019-04-29 01:41:22

【在線研討會(huì)】英飛凌新 OptiMOS 全面提升不同負(fù)載效率

新的功率密度和能效標(biāo)準(zhǔn)。　極低的門極電荷，輸出電荷以及極低的導(dǎo)通電阻使得New OptiMOS成為服務(wù)器，數(shù)據(jù)通信和電信產(chǎn)品電壓調(diào)節(jié)器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器

2012-07-13 10:50:22

強(qiáng)魯棒性低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)手冊

設(shè)計(jì)，TI推出的新一代低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片UCC27624針對(duì)以上提到的風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)，作出了相應(yīng)優(yōu)化，大大提升了芯片的魯棒性：高達(dá)30V的VDD最大耐壓值，提升了安全裕度；提高了內(nèi)部LDO的噪聲抑制能力，從而提升

2022-11-03 08:28:01

碳化硅如何改進(jìn)開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)？

?！　】偨Y(jié)　　與硅替代品相比，SiC MOSFET 具有一系列優(yōu)勢，再加上其在硬開關(guān)應(yīng)用中的魯棒性，使其值得在最有效的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中加以考慮。650 V CoolSiC 系列的推出使 SiC? MOSFET 技術(shù)在經(jīng)濟(jì)上更加可行，適合那些將功率轉(zhuǎn)換推向極限的用戶。

2023-02-23 17:11:32

結(jié)構(gòu)小巧綠色環(huán)保的OptiMOS 3 MOSFET可達(dá)到更高的效率

達(dá)100A的電流處理能力等特性，使該系列產(chǎn)品在40至80V電壓等級(jí)的低電阻MOSFET應(yīng)用方面樹立了全新的標(biāo)準(zhǔn)。OptiMOS 3產(chǎn)品用于要求高效率和高功率密度的功率轉(zhuǎn)換和電源管理系統(tǒng)，應(yīng)用范圍廣泛

2018-12-07 10:23:12

銳駿新款超低導(dǎo)通MOSRUH4040M、80M更適用于新產(chǎn)品研發(fā)

銳駿半導(dǎo)體本周正式發(fā)布兩款全新超低導(dǎo) 通電阻MOSFET產(chǎn)品，型號(hào)分別為RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B（40V/80A）。這兩款產(chǎn)品均采用DFN5060封裝，憑借先進(jìn)

2024-10-14 09:40:16

降低高壓MOSFET導(dǎo)通電阻的原理與方法

的矛盾?！　〖幢闳绱耍邏?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET在額定結(jié)溫下的導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通壓降仍居高不下，耐壓500V以上的MOSFET 的額定結(jié)溫、額定電流條件下的導(dǎo)通電壓很高，耐壓800V以上的導(dǎo)通電壓高得驚人，導(dǎo)

2023-02-27 11:52:38

高耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET的種類與特征

%。特性方面的定位是標(biāo)準(zhǔn)特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快”的特征，但存在其高速性導(dǎo)致噪聲比平面型大的課題。為改善這個(gè)問題開發(fā)了EN系列。該系列產(chǎn)品融合了

2018-12-03 14:27:05

Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MO

Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位

2009-11-25 09:51:01

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TI發(fā)布具備更低導(dǎo)通電阻的集成負(fù)載開關(guān)

TI發(fā)布具備更低導(dǎo)通電阻的集成負(fù)載開關(guān) 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (RON) 比同類競爭產(chǎn)品低

2009-12-21 08:45:27

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TI推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān)--TI TPS

TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān) TI 宣布推出一

2010-01-08 17:36:28

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德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET，可以

德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET，可以顯著降低上表面熱阻采用創(chuàng)新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5

2010-01-15 08:39:05

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英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件

英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)

2010-01-26 09:22:57

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英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS

英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列為提高計(jì)算和電信產(chǎn)品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示

2010-03-01 11:20:47

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IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET

IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET 　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620

2010-03-12 10:28:39

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IR智能電源開關(guān)為24V汽車應(yīng)用提供超低導(dǎo)通電阻

IR智能電源開關(guān)為24V汽車應(yīng)用提供超低導(dǎo)通電阻 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出 AUIPS7111S 高側(cè)智能電源開關(guān)。該產(chǎn)品具有超低的導(dǎo)

2010-03-19 09:14:55

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導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?

導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么? 傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VI

2010-03-23 09:27:47

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IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻

IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系

2010-04-09 11:50:32

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英飛推出全新650V 高性能功率MOSFET系列

英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及

2010-07-05 08:48:26

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飛兆半導(dǎo)體推出低導(dǎo)通電阻MOSFET

　　飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)

2010-12-29 09:09:39

1887

IR推出堅(jiān)固的新型平面MOSFET系列

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)上的重載應(yīng)用。

2011-07-12 08:40:54

1219

英飛凌推出單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品:OptiMOS P2

英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步

2011-09-13 08:33:16

897

英飛凌推出新型汽車電源管理40V P通道OptiMOS P2系列

英飛凌科技推出采用先進(jìn)溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準(zhǔn)

2011-09-28 19:35:41

898

Toshiba推車用低導(dǎo)通電阻功率MOSFET

東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專為汽車應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實(shí)現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車應(yīng)用，還適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和開關(guān)穩(wěn)壓器

2013-01-22 10:25:30

1159

瑞薩電子推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品

瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲(chǔ)存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。

2013-03-06 09:50:10

1310

e絡(luò)盟進(jìn)一步擴(kuò)充英飛凌CoolMOS與OptiMOS系列功率MOSFET

e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。

2015-03-02 17:37:38

1775

英飛凌推出面向18?40kHz開關(guān)用途的低損耗IGBT

英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開關(guān)頻率的低損耗1200V耐壓IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）“RC-E系列”（英文發(fā)布資料）。新產(chǎn)品在IGBT上集成續(xù)流用體二極管

2016-11-14 14:51:36

1744

魯棒性是什么意思_Robust為什么翻譯成魯棒性

魯棒性的定義魯棒性是什么意思？頭一次看到這個(gè)詞的你可能會(huì)想歪（邪惡的笑臉）。但其實(shí)魯棒性是一個(gè)專業(yè)術(shù)語，廣泛應(yīng)用與控制領(lǐng)域、信號(hào)處理領(lǐng)域、軟件領(lǐng)域等。魯棒是Robust的音譯，也就是健壯和強(qiáng)壯

2017-11-29 09:08:28

130656

MOSFET的導(dǎo)通電阻的概念及應(yīng)用場合介紹

MOSFET的導(dǎo)通電阻

2018-08-14 00:12:00

15153

TI 超小型 FemtoFET MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號(hào) MOSFET 晶體管為移動(dòng)設(shè)備節(jié)省電源，延長電池使用壽命德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻

2018-10-13 11:03:01

728

英飛凌科聯(lián)合Schweizer開發(fā)出面向輕度混合動(dòng)力汽車新技術(shù)

英飛凌聯(lián)合Schweizer電子股份公司成功開發(fā)出面向輕度混合動(dòng)力汽車的新技術(shù)：芯片嵌入式功率MOSFET。

2019-05-14 16:58:30

1693

關(guān)于英飛凌OptiMOS實(shí)現(xiàn)這款90W車載充電器方案介紹

英飛凌革命性OptiMOS產(chǎn)品的P溝道功率MOSFET之一，在導(dǎo)通電阻的開關(guān)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，能經(jīng)受極高的質(zhì)量考驗(yàn)以滿足高性能的需求；加入增強(qiáng)模式，可根據(jù)不同應(yīng)用場景選擇Normal Level

2019-09-24 11:37:51

3853

SiC MOSFET是具有低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片

安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅（SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻

2020-06-15 14:19:40

4976

雪崩下SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)的魯棒性評(píng)估

本文將探討如何在雪崩工作條件下評(píng)估 SiC MOSFET 的魯棒性。MOSFET 功率變換器，特別是電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導(dǎo)通期間出現(xiàn)失效或柵極驅(qū)動(dòng)命令信號(hào)錯(cuò)誤，就會(huì)致使變換器功率開關(guān)管在雪崩條件下工作。

2020-08-09 10:33:00

2538

揚(yáng)杰科技發(fā)布N40-150V SGT功率MOSFET新品，全面提升開關(guān)和導(dǎo)通特性

產(chǎn)品特點(diǎn) 1、優(yōu)異的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性； 2、更好的導(dǎo)通電阻溫度特性，顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性； 3、配合先進(jìn)的封裝技術(shù)，SGT MOSFET器件有助于提升系統(tǒng)效率和功率密度； 4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。

2020-11-26 14:54:43

4615

英飛凌OptiMOS? 6 100 V系列通過技術(shù)革新，為高開關(guān)頻率應(yīng)用樹立全新行業(yè)標(biāo)桿

OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計(jì)理念，具有更低的導(dǎo)通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) （FOM）。

2021-12-03 10:50:38

1562

英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。

2022-02-15 13:51:38

2671

降低高壓MOSFET導(dǎo)通電阻的原理與方法

在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒有競爭對(duì)手，但隨著MOS的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之以

2022-03-17 09:35:33

3704

什么是OptiMOS MOSFET？

OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨(dú)特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo)，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費(fèi)類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車

2022-08-19 15:05:05

6088

東芝推出具有低導(dǎo)通電阻的新款功率器件

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。

2022-09-01 15:37:53

1079

東芝新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET支持車載大電流設(shè)備

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB

2023-02-04 18:31:45

3725

EN系列：保持低導(dǎo)通電阻與開關(guān)速度，改善噪聲性能

超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。

2023-02-10 09:41:07

1710

資料下載 | 低導(dǎo)通電阻 Nch 功率MOSFET（銅夾片型）產(chǎn)品參考資料

近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），備受各個(gè)廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系列

2023-05-17 13:35:02

1478

ME3121AM6G 高效率 40V輸入 1A負(fù)載同步整流DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器

ME3121是一款高效率的同步整流降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器芯片，輸入電壓最高可達(dá)40V，內(nèi)部集成兩顆低導(dǎo)通電阻的NMOSFET功率開關(guān)，低側(cè)開關(guān)導(dǎo)通電阻170mΩ，高側(cè)開關(guān)導(dǎo)通電阻410mΩ，可支持1A

2023-05-22 14:42:40

4292

CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET：高速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力

摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。

2023-06-08 14:28:28

2140

英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列

采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。

2023-07-03 16:11:12

1765

東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。

2023-08-24 11:19:10

1596

納芯微推出首款車規(guī)級(jí)40V/單通道90mΩ智能低邊開關(guān)NSE11409系列

納芯微推出首款車規(guī)級(jí)40V/單通道90mΩ智能低邊開關(guān)NSE11409系列納芯微全新推出首款業(yè)界領(lǐng)先的NSE11409系列智能低邊開關(guān)芯片，該款芯片是專門針對(duì)驅(qū)動(dòng)高可靠性負(fù)載應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)汽車和工業(yè)場景中的繼電器、執(zhí)行閥、照明和加熱電阻絲等負(fù)載元件。

2022-10-27 13:42:50

1862

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。

2023-10-13 16:25:12

1705

魯棒性的含義以及如何提高模型的魯棒性？

魯棒性的含義以及如何提高模型的魯棒性？什么是魯棒性？魯棒性是指一個(gè)系統(tǒng)或模型面對(duì)輸入或參數(shù)的變化時(shí)所表現(xiàn)出的穩(wěn)定性和可靠性。在機(jī)器學(xué)習(xí)中，魯棒性是指模型在面對(duì)輸入數(shù)據(jù)的變化時(shí)能夠保持穩(wěn)定的表現(xiàn)

2023-10-29 11:21:53

5518

具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET

ROHM 推出“RS6xxxxBx/ RH6xxxxBx系列”共13款 Nch MOSFET*1產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V)，這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動(dòng)以24V 、36V 、48V

2023-11-20 01:30:56

1063

面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的40V輸入、3.5A Silent Switcher μModule穩(wěn)壓器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《面向汽車和工業(yè)應(yīng)用的40V輸入、3.5A Silent Switcher μModule穩(wěn)壓器.pdf》資料免費(fèi)下載

2023-11-23 09:39:28

英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15

2023-12-29 12:30:49

1820

昕感科技推出超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件

近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。

2024-01-04 14:37:57

1617

英飛凌推出CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，提升電力效率與可靠性

另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。

2024-03-10 12:32:41

1774

英飛凌推出新一代OptiMOS? MOSFET技術(shù)封裝

全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進(jìn)的OptiMOS? MOSFET技術(shù)，專為滿足汽車電子產(chǎn)品中對(duì)熱效率和空間利用有嚴(yán)苛要求的場合設(shè)計(jì)。

2024-04-15 15:49:33

1566

英飛凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7

英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅(jiān)固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。

2024-05-07 15:08:07

1440

英飛凌推出CoolMO S7T和S7TA SJ MOSFET

英飛凌推出的CoolMOS? S7T和S7TA SJ MOSFET，集成了先進(jìn)的溫度傳感器技術(shù)，專為工業(yè)和汽車領(lǐng)域設(shè)計(jì)，顯著提升了結(jié)溫測量的精準(zhǔn)度與穩(wěn)定性。這一創(chuàng)新不僅簡化了溫度監(jiān)測流程，還增強(qiáng)了功能安全性，為低頻大電流開關(guān)應(yīng)用樹立了新標(biāo)桿。

2024-09-03 14:51:39

1102

意法半導(dǎo)體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管

意法半導(dǎo)體近期推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強(qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢，并具備出色的抗噪能力，專為非邏輯電平控制的應(yīng)用場

2024-12-11 14:27:00

971

瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領(lǐng)域應(yīng)用

近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點(diǎn)。新型

2025-01-13 11:41:38

958

CSD18511KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N溝道NexFET?功率MOSFET，設(shè)計(jì)用于最小化功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。它采用TO-220塑料封裝，具有低柵極電荷（Qg）和低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），適用于次級(jí)側(cè)同步整流和電機(jī)控

2025-04-15 16:23:11

775

CSD18510KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET，單 TO-220,1.7mOhm數(shù)據(jù)手冊

電荷 ?：Qg（總柵極電荷）在VGS=10V時(shí)為118nC，有助于減少開關(guān)損耗。 ? 低導(dǎo)通電阻 ?：RDS(on)（漏源導(dǎo)通電阻）在VGS=10V時(shí)為1.4mΩ，有助于降低傳導(dǎo)損耗。 ? 低熱阻 ?：結(jié)到殼熱阻

2025-04-16 10:13:57

766

CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊

mm 塑料封裝參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品概述 ? 型號(hào) ?：CSD18513Q5A ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點(diǎn) ?：低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端

2025-04-16 10:54:00

758

揚(yáng)杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品

揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時(shí)提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。

2025-06-27 09:43:53

1352

MDD MOS導(dǎo)通電阻對(duì)BMS系統(tǒng)效率與精度的影響

在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為電池組充放電的開關(guān)與保護(hù)核心元件，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）參數(shù)對(duì)系統(tǒng)性能有著直接且深遠(yuǎn)的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調(diào)試或可靠性

2025-11-12 11:02:47

339

選型手冊：MOT4523D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性，適用于負(fù)載開關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品

2025-11-19 15:25:38

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選型手冊：MOT4180G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4180G是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等領(lǐng)域

2025-11-25 15:23:16

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選型手冊：VS4020AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AP是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借極低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一

2025-11-26 14:55:52

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選型手冊：VS4620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等

2025-11-28 12:03:51

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選型手冊：VS4620GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域

2025-12-01 15:07:36

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選型手冊：VS4610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品

2025-12-02 09:32:01

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關(guān)于0.42mΩ超低導(dǎo)通電阻MOSFET的市場應(yīng)用與挑戰(zhàn)

在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，MOSFET作為開關(guān)元件，扮演著重要角色。由于其導(dǎo)通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低導(dǎo)通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統(tǒng)

2025-12-16 11:01:13

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探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破

探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破在電子工程師的日常工作中，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N

2025-12-18 14:30:06

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探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù)：從原理到應(yīng)用

探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù)：從原理到應(yīng)用在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET技術(shù)的不斷創(chuàng)新推動(dòng)著各類電力電子設(shè)備向更高效率、更高功率密度和更高系統(tǒng)可靠性邁進(jìn)。英飛凌作為行業(yè)的領(lǐng)軍者

2025-12-20 10:35:06

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搜索歷史

英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進(jìn)導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)效率和設(shè)計(jì)魯棒性

評(píng)論

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英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進(jìn)導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)效率和設(shè)計(jì)魯棒性

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英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進(jìn)導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)效率和設(shè)計(jì)魯棒性