在修理中常見(jiàn)的電磁爐大致分為兩類(lèi)：

　　由LM339（四電壓比較器）輸出脈沖信號(hào)。

　　1： 觸發(fā)部分由正負(fù)兩組電源，管子用PNP\NPN組成，類(lèi)似這種電路，后級(jí)大多是用大功率管多個(gè)復(fù)合而成，組成高壓開(kāi)關(guān)部分，在代換中，前一個(gè)用帶阻尼的行管替代即可。后幾個(gè)則很難找到特性一致的管子，解決的辦法是在散熱器安裝孔允許的情況下改用大電流的管子以減少數(shù)量，金屬封裝得如：BUS13A等，塑封的如：BU2525/BU2527/BU2532/D3998一類(lèi)，用兩個(gè)就可以。

　　2：功控管用IGBT絕緣柵開(kāi)關(guān)器件；

　　這些機(jī)器特征是不用雙電源觸發(fā)，只有+5V和+12V，LM339通過(guò)觸發(fā)集成塊TA8316帶動(dòng)IGBT

　　這種情況下只能用此一類(lèi)的管子代替，損壞程度大致為，只有管子壞，換上即可。其次是整流橋同時(shí)損壞，（一般是燒半壁），在其次是觸發(fā)集成塊TA8316壞，連帶LM339N一起損壞的很少見(jiàn)。

　　對(duì)于高壓模塊，由于這方面的參數(shù)手冊(cè)很少，希望大家搜集轉(zhuǎn)貼，以便代換時(shí)參考。

　　不能貿(mào)然更換，最好有示波器先測(cè)其G極波形及幅值（沒(méi)有的話用萬(wàn)用表測(cè)此點(diǎn)直流電壓應(yīng)在1-2.5伏之間變化）。接上線盤(pán)前要確定其它幾路小電源供電正常。

　　絕緣柵雙極晶體管（Iusulated Gate Bipolar Transistor）簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT，是一種集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激勵(lì)場(chǎng)控型器件優(yōu)點(diǎn)于一體的高壓、高速大功率器件。

　　目前有用不同材料及工藝制作的IGBT， 但它們均可被看作是一個(gè)MOSFET輸入跟隨一個(gè)雙極型晶體管放大的復(fù)合結(jié)構(gòu)IGBT有三個(gè)電極（見(jiàn)上圖）， 分別稱(chēng)為柵極G（也叫控制極或門(mén)極） 、集電極C（亦稱(chēng)漏極） 及發(fā)射極E（也稱(chēng)源極） 。

　　從IGBT的下述特點(diǎn)中可看出， 它克服了功率MOSFET的一個(gè)致命缺陷， 就是于高壓大電流工作時(shí)， 導(dǎo)通電阻大， 器件發(fā)熱嚴(yán)重， 輸出效率下降。

　　IGBT的特點(diǎn)：1.電流密度大， 是MOSFET的數(shù)十倍。

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