資料介紹
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。
主要構(gòu)造 :
a.普通二極管,PN結(jié)(通俗講晶圓)利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的。
b.肖特基二極管,PN結(jié)(通俗講晶圓)是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極,利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的 。
主要參數(shù):
a. DC Reverse Voltage/工作電壓,選型時大于線路最高電壓,設(shè)計時管子留有余量,建議使用管子60%~70%*VR
b.Mean Rectifying current/工作電流,選型時大于線路最大電流,設(shè)計時管子留有余量,建議使用管子60%~70%*Io
c.Forward voltage/正向壓降,此值越小越好。
注:正向壓降隨正向電流變化而變化,即正向電流越大,正向壓降也變大。
d.封裝

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