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摘要t傳統(tǒng)的柵介質(zhì)材料Si02不能滿足CMOS晶體管尺度進(jìn)一步縮小的要求，因此高介電柵介質(zhì)材料在近
幾年得到了廣泛的研究，進(jìn)展迅速．本文綜述了國內(nèi)外對高介電材料的研究成果，并結(jié)合作者的工作介紹了高
介電柵介質(zhì)在晶化溫度、低介電界面層、介電擊穿和金屬柵電極等方面的最新研究進(jìn)展．
幾年得到了廣泛的研究，進(jìn)展迅速．本文綜述了國內(nèi)外對高介電材料的研究成果，并結(jié)合作者的工作介紹了高
介電柵介質(zhì)在晶化溫度、低介電界面層、介電擊穿和金屬柵電極等方面的最新研究進(jìn)展．
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