資料介紹
晶體管是依靠輸入電流變化來(lái)控制輸出電流的器件,但理想的放大器是不應(yīng)該損耗信號(hào)源的輸出電流的,所以在一個(gè)由晶體管構(gòu)成的放大電路中,因?yàn)橛谢鶚O電流的存在,不可避免地會(huì)對(duì)輸入信號(hào)帶來(lái)?yè)p耗。與晶體管不同的是,場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是一種用電壓來(lái)控制電流的器件,具有很高的輸入阻抗,且溫度穩(wěn)定性好、噪聲低。按照結(jié)構(gòu)的不同,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為以下兩類(lèi):
1. 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)
N型溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
P型溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2. 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)
增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(N溝道、P溝道)
耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(N溝道、P溝道)
絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管在實(shí)際應(yīng)用中多見(jiàn)增強(qiáng)型MOS管,N型溝道的簡(jiǎn)稱(chēng)為“NMOS”,P型溝道的簡(jiǎn)稱(chēng)為“PMOS”,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的外觀如圖所示。

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