資料介紹
由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助。當(dāng)MOSFET作用在電路中時(shí),由于MOSFET速度比較快,因此關(guān)斷過(guò)程中不會(huì)產(chǎn)生負(fù)壓,但值得一提的是,在干擾較重的情況下,這一現(xiàn)象是有助于提高可靠性的。本文將針對(duì)IGBT以及MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行大致的介紹,幫助大家理解。...
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