資料介紹
integrated photodetector.
This unit is 8-lead DIP package.
TLP351 is suitable for gate driving circuit of IGBT or power MOS FET.
Especially TLP351 is capable of “direct” gate drive of lower Power
IGBTs.
? Peak output current: ±0.6 A (max)
? Guaranteed performance over temperature: ?40 to 100°C
? Supply current: 2 mA (max)
? Power supply voltage: 10 to 30 V
? Threshold input current : IF = 5 mA (max)
? Switching time (tpLH/tpHL) : 700 ns (max)
? Common mode transient immunity: 10 kV/μs
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