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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>IC datasheet pdf>Toshiba東芝場效應(yīng)晶體管硅N溝道MOS型英文手冊

      Toshiba東芝場效應(yīng)晶體管硅N溝道MOS型英文手冊

      2024-08-21 | pdf | 0.21 MB | 次下載 | 免費

      資料介紹

      卓越的低導(dǎo)通電阻性能

      SSM6N44FE的最大特點之一是其低導(dǎo)通電阻（RDS(on){DS(on)}DS(on)），這一參數(shù)對于MOSFET的整體性能至關(guān)重要。在較低的導(dǎo)通電阻下，SSM6N44FE能夠在導(dǎo)通狀態(tài)下大幅減少功率損耗，進而提高設(shè)備的整體能效。根據(jù)文檔中的數(shù)據(jù)，這款MOSFET在VGS{GS}GS為4.5V時，典型RDS(on)_{DS(on)}DS(on)僅為26mΩ，這意味著在同類產(chǎn)品中，它的表現(xiàn)非常出色。

      低柵極電荷量

      柵極電荷（Qg_gg）是另一個影響MOSFET開關(guān)性能的重要因素。SSM6N44FE擁有非常低的柵極電荷量（Qg_gg），這使得它能夠更快地開關(guān)，顯著提高了電路的開關(guān)頻率，同時減少了動態(tài)功耗。對于高速開關(guān)電路應(yīng)用，這一特性尤為關(guān)鍵。

      出色的耐壓能力

      在某些需要高電壓操作的應(yīng)用場景下，MOSFET的耐壓能力尤為重要。SSM6N44FE的最大漏源電壓（VDS_{DS}DS）為40V，能夠滿足大部分中低壓應(yīng)用的需求。這一特性使得它在電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池保護電路中有著廣泛的應(yīng)用。

      MOS 場效應(yīng)晶體管
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