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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>MOSFET開關(guān)損耗分析

      MOSFET開關(guān)損耗分析

      2016-01-04 | pdf | 1144KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對(duì)MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖，定位了MOSFET 開關(guān)損耗的來(lái)源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少M(fèi)OSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
      MOSFET開關(guān)
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