一、 種類

　　按照材料分類

　　? 硅太陽(yáng)能電池：以硅為基體材料（單晶硅、多晶硅、非晶硅）

　　? 化合物半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池：由兩種或兩種以上的元素組成具

　　半導(dǎo)體特性的化合物半導(dǎo)體材料制成的太陽(yáng)能電池（硫化鎘、

　　砷化稼、碲化鎘、硒銦銅、磷化銦）

　　? 有機(jī)半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池：用含有一定數(shù)量的碳－碳鍵且導(dǎo)電

　　能力介于金屬和絕緣體之間的半導(dǎo)體材料制成的電池（分子

　　晶體、電荷轉(zhuǎn)移絡(luò)合物、高聚物）

　　單晶硅太陽(yáng)電池

　　特點(diǎn)

　　硅系列太陽(yáng)能電池中，單晶硅的光電轉(zhuǎn)換效率最高，技術(shù)也最成熟，高性能單晶硅電池是建立在高質(zhì)量單晶硅材料和相關(guān)成熟的加工工藝基礎(chǔ)上。提高轉(zhuǎn)換效率主要是靠單晶硅表面微結(jié)構(gòu)處理和分區(qū)摻雜工藝。單晶硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率無(wú)疑是最高的，在大規(guī)模應(yīng)用和工業(yè)生產(chǎn)中仍舊占據(jù)主導(dǎo)地位，但由于受單晶硅材料價(jià)格及相應(yīng)繁瑣的電池工藝影響，致使單晶硅成本據(jù)高不下，嚴(yán)重影響了其廣泛應(yīng)用。

　　單晶硅太陽(yáng)能電池的特點(diǎn)是對(duì)于大于0.7μm的紅外光也有一定的靈敏度。以p型單晶硅為襯底，其上擴(kuò)散n型雜質(zhì)的太陽(yáng)能電池與n型單晶硅為襯底的太陽(yáng)能電池相比，其光譜特性的峰值更偏向左邊（短波長(zhǎng)一方）。它對(duì)從藍(lán)到紫色的短波長(zhǎng)（波長(zhǎng)小于0.5μm）的光有較高的靈敏度，但其制法復(fù)雜，成本高，僅限于空間應(yīng)用。此外，帶狀多晶硅太陽(yáng)能電池的光譜特性也接近于單晶硅太陽(yáng)能電池的光譜特性。