隨著電力電子器件制造技術的發(fā)展，高性能、大容量的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）因其具有電壓型控制、輸入阻抗大、驅動功率小、開關損耗低及工作頻率高等特點，而越來越多地應用到工作頻率為幾十kHz以下，輸出功率從幾kW到幾百kW的各類電力變換裝置中。IGBT逆變器中最重要的環(huán)節(jié)就是高性能的過流保護電路的設計。專用驅動模塊都帶有過流保護功能。一些分立的驅動電路也帶有過電流保護功能。在工業(yè)應用中，一般都是利用這些瞬時過電流保護信號，通過觸發(fā)器時序邏輯電路的記憶功能，構成記憶鎖定保護電路，以避免保護電路在過流時的頻繁動作，實現(xiàn)可取的過流保護。本文分析了大功率可控整流電壓型逆變器中封鎖驅動及整流拉逆變式雙重保護電路結構。
　　IGBT失效原因和保護方法
　　IGBT失效原因分析
　　引起IGBT失效的原因有：
　　1）過熱損壞集電極電流過大引起的瞬時過熱及其它原因，如散熱不良導致的持續(xù)過熱均會使IGBT損壞。如果器件持續(xù)短路，大電流產生的功耗將引起溫升，由于芯片的熱容量小，其溫度迅速上升，若芯片溫度超過硅本征溫度（約250℃），器件將失去阻斷能力，柵極控制就無法保護，從而導致IGBT失效［1］。實際運行時，一般最高允許的工作溫度為130℃左右。
　　2）超出關斷安全工作區(qū)引起擎住效應而損壞擎住效應分靜態(tài)擎住效應和動態(tài)擎住效應。IGBT為PNPN4層結構，其等效電路如圖1所示。體內存在一個寄生晶閘管，在NPN晶體管的基極與發(fā)射極之間并有一個體區(qū)擴展電阻Rs，P型體內的橫向空穴電流在Rs上會產生一定的電壓降，對NPN基極來說，相當于一個正向偏置電壓。在規(guī)定的集電極電流范圍內，這個正偏置電壓不大，對NPN晶體管不起任何作用。當集電極電流增大到一定程度時，該正向電壓足以使NPN晶體管開通，進而使NPN和PNP晶體管處于飽和狀態(tài)。于是，寄生晶閘管導通，門極失去控制作用，形成自鎖現(xiàn)象，這就是所謂的靜態(tài)擎住效應。IGBT發(fā)生擎住效應后，集電極電流增大，產生過高功耗，導致器件失效。動態(tài)擎住效應主要是在器件高速關斷時電流下降太快，dvCE/dt很大，引起較大位移電流，流過Rs，產生足以使NPN晶體管開通的正向偏置電壓，造成寄生晶閘管自鎖［2］。
　　
　　3）瞬態(tài)過電流IGBT在運行過程中所承受的大幅值過電流除短路、直通等故障外，還有續(xù)流二極管的反向恢復電流、緩沖電容器的放電電流及噪聲干擾造成的尖峰電流。這種瞬態(tài)過電流雖然持續(xù)時間較短，但如果不采取措施，將增加IGBT的負擔，也可能會導致IGBT失效。