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MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配設(shè)計(jì)詳細(xì)資料說明

2020-06-16 | pdf | 0.34 MB | 次下載 | 2積分

資料介紹

  當(dāng)今多種 MOSFET 技術(shù)和硅片制程并存,而且技術(shù)進(jìn)步日新月異。要根據(jù) MOSFET 的電壓 / 電流或管芯尺寸,對如何將 MOSFET 驅(qū)動器與 MOSFET 進(jìn)行匹配進(jìn)行一般說明,實(shí)際上顯得頗為困難,甚至不可能。與任何設(shè)計(jì)決策一樣,在為您設(shè)計(jì)中的 MOSFET 選擇合適的 MOSFET 驅(qū)動器時,需要考慮幾個變量。需要考慮的參數(shù)至少需要包括輸入至輸出的傳輸時延、靜態(tài)電流、抗閉鎖和電流驅(qū)動能力。驅(qū)動器的功率消耗也影響著封裝的決定和驅(qū)動器的選擇。本應(yīng)用筆記將詳細(xì)討論與 MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關(guān)的 MOSFET 驅(qū)動器功耗。還將討論如何根據(jù) MOSFET 所需的導(dǎo)通和截止時間將 MOSFET 驅(qū)動器的電流驅(qū)動能力與 MOSFET 柵極電荷相匹配。 Microchip 提供許多不同種類的 MOSFET 驅(qū)動器,它們采用不同的封裝,因此可以使設(shè)計(jì)者為應(yīng)用中的 MOSFET 選擇最合適的 MOSFET 驅(qū)動器。

  對 MOSFET 的柵極進(jìn)行充電和放電需要同樣的能量,無論充放電過程快或慢 (柵極電壓的上升和下降)。因此,MOSFET 驅(qū)動器的電流驅(qū)動能力并不影響由 MOSFET 柵極的容性負(fù)載產(chǎn)生的驅(qū)動器功耗。

MOSFET 驅(qū)動器 封裝
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