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本文在N 阱CMOS 工藝的基礎(chǔ)上，采用0．6 μm DP-DM 工藝，設(shè)計(jì)了一個(gè)較小靜態(tài)功耗，小輸入失調(diào)電壓，高增益，高共模抑制比和電源抑制比，大輸出擺幅，較高帶寬，以及THD很小的輸出功率運(yùn)算放大器，可適用于大部分AB 類(lèi)音頻功放芯片。
關(guān)鍵詞: 音頻功放，AB 類(lèi)輸出運(yùn)放，音響技術(shù)
1 引 言
眾所周知，AB 類(lèi)音頻功放具有比A 類(lèi)更高的效率(一般在50％左右)，比B 類(lèi)更低的交越失真[1]，廣泛應(yīng)用于各種手機(jī)和MP3 等便攜式設(shè)備中，是現(xiàn)在音頻功放市場(chǎng)上的主體力量。輸出運(yùn)放是音頻功放芯片的核心部分，占其絕大部分版圖面積，他的性能和集成度直接影響到整個(gè)音頻功放芯片的各性能參數(shù)及其面積大小。
關(guān)鍵詞: 音頻功放，AB 類(lèi)輸出運(yùn)放，音響技術(shù)
1 引 言
眾所周知，AB 類(lèi)音頻功放具有比A 類(lèi)更高的效率(一般在50％左右)，比B 類(lèi)更低的交越失真[1]，廣泛應(yīng)用于各種手機(jī)和MP3 等便攜式設(shè)備中，是現(xiàn)在音頻功放市場(chǎng)上的主體力量。輸出運(yùn)放是音頻功放芯片的核心部分，占其絕大部分版圖面積，他的性能和集成度直接影響到整個(gè)音頻功放芯片的各性能參數(shù)及其面積大小。
音頻功放
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