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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>IC資料>IC中文資料>基于24VL014帶有半陣列寫保護(hù)的 1K I2 C串行 EEPROM

      基于24VL014帶有半陣列寫保護(hù)的 1K I2 C串行 EEPROM

      2018-07-02 | pdf | 0.55 MB | 次下載 | 3積分

      資料介紹

      　　特性：

      　　? 單電源供電，工作電壓低至 1.5V

      　　? 低功耗 CMOS 技術(shù)：

      　　- 400 μA 工作電流 （最大值）

      　　- 1 μA 待機(jī)電流 （最大值）

      　　? 2 線串行接口總線，與 I

      　　2C? 兼容

      　　? 施密特觸發(fā)器輸入，可抑制噪聲

      　　? 輸出斜率控制，可消除地彈

      　　? 兼容 100 kHz 和 400 kHz

      　　? 頁寫緩沖區(qū)最大為 16 字節(jié)

      　　? 自定時寫周期 （包括自動擦除）

      　　? 可對半個陣列 （40h-7Fh）進(jìn)行硬件寫保護(hù)

      　　? 最多可級聯(lián) 8 個器件

      　　? 擦除 / 寫次數(shù)高于 1 百萬次

      　　? ESD 保護(hù) 》 4，000V

      　　? 數(shù)據(jù)保持時間 》 200 年

      　　? 提供工廠編程 （QTP）服務(wù)

      　　? 8引腳PDIP、SOIC、TSSOP、TDFN和MSOP封裝

      　　? 溫度范圍：

      　　? 無鉛，符合 RoHS 規(guī)定

      基于24VL014帶有半陣列寫保護(hù)的 1K I2 C串行 EEPROM

      存儲器 EEPROM
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