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ISIS為61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位靜態(tài)RAM，16位組成512K字。它是用ISSI的高性能CMOS工藝制造的。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)相結(jié)合，產(chǎn)生了高性能和低功耗的器件。當(dāng)CE為高（取消選擇）時，器件采用待機(jī)模式，在該模式下，功耗可以通過CMOS輸入電平降低。通過使用芯片使能和輸出使能輸入、CE和OE，可以方便地擴(kuò)展存儲器?；顒拥蛯懭雴⒂茫╓E）控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許上字節(jié)（UB）和下字節(jié)（LB）訪問該設(shè)備采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)44針TSOP II型和48針迷你BGA（9mm x 11mm）封裝。
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