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      如何使用光電導方法產(chǎn)生高功率太赫茲電磁

      2020-10-15 | pdf | 0.05 MB | 次下載 | 1積分

      資料介紹

      　　目前，簡便易行的產(chǎn)生脈沖THz輻射的主要方法有兩種，即光電導激發(fā)機制和光整流效應。前者是利用超快脈沖激光觸發(fā)直流偏置下的光電半導體，因光生載流子在偏置電場作用下加速運動而輻射THz電磁波。光電導THz電磁輻射發(fā)射系統(tǒng)的性能與光電導芯片、天線的幾何結(jié)構(gòu)和觸發(fā)激光脈沖寬度有關(guān)。其中，光電導芯片是產(chǎn)生THz電磁波的關(guān)鍵部件，性能良好的光電導芯片應該具有載流子壽命短，遷移率高和能夠承受高電壓，大電流的能力。光整流效應是一種非線性效應，利用亞皮秒量級激光脈沖和非線性介質(zhì)相互作用產(chǎn)生的低頻電極化場也可以輻射出THz電磁波，用整流效應輻射THz電磁波的強度和頻率分布決定于激光脈沖的特征和非線性介質(zhì)的性質(zhì)。由于光整流效應產(chǎn)生的THz波的能量僅僅來源于入射激光脈沖的能量，而光電導激發(fā)機制輻射THz波的能量主要加載在光電導體上的偏置電場，所以用光電導激發(fā)機制輻射的THz電磁波能量通常比用光整流效應產(chǎn)生的THz波能量強。結(jié)合用半絕緣GaAs材料研制橫向型超快光電導開關(guān)的研究經(jīng)驗，我們已經(jīng)研制了具有條形電極結(jié)構(gòu)的GaAs光電導偶極天線，在fs超快激光脈沖觸發(fā)下進行了THz電磁波的發(fā)射和測試實驗，得到了頻譜寬度大于2THz、脈沖寬度約1ps的THz電磁波。

      芯片 電磁波 GaAs
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