靜電放電（ESD）理論研究的已經(jīng)相當(dāng)成熟，為了模擬分析靜電事件，前人設(shè)計(jì)了很多靜電放電模型。常見(jiàn)的靜電模型有：人體模型（HBM），帶電器件模型，場(chǎng)感應(yīng)模型，場(chǎng)增強(qiáng)模型，機(jī)器模型和電容耦合模型等。芯片級(jí)一般用 HBM 做測(cè)試，而電子產(chǎn)品則用 IEC 6 1000-4-2 的放電模型做測(cè)試。為對(duì) ESD 的測(cè)試進(jìn)行統(tǒng)一規(guī)范，在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面，歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴(yán)格的瞬變沖擊抑制標(biāo)準(zhǔn)；電子產(chǎn)品必須符合這一標(biāo)準(zhǔn)之后方能銷往歐共體的各個(gè)成員國(guó)。因此，大多數(shù)生產(chǎn)廠家都把 IEC 61000-4-2 看作是 ESD 測(cè)試的事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)。我國(guó)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)（GB/T 17626.2-1998）等同于 I EC 6 1000-4-2。大多是實(shí)驗(yàn)室用的靜電發(fā)生器就是按 IEC 6 1000-4-2 的標(biāo)準(zhǔn)，分為接觸放電和空氣放電。靜電發(fā)生器的模型如圖 1。放電頭按接觸放電和空氣放電分尖頭和圓頭兩種。

　　IEC 61000-4-2 的 靜電放電的波形如圖 2，可以看到靜電放電主要電流是一個(gè)上升沿在 1nS 左右的一個(gè)上升沿，要消除這個(gè)上升沿要求 ESD 保護(hù)器件響應(yīng)時(shí)間要小于這個(gè)時(shí)間。靜電放電的能量主要集中在幾十 MHz 到 500MHz，很多時(shí)候我們能從頻譜上考慮，如濾波器濾除相應(yīng)頻帶的能量來(lái)實(shí)現(xiàn)靜電防護(hù)。其放電頻譜如下，這個(gè)圖是我自己畫(huà)的，只能定性的看，不能定量。