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通過(guò)對(duì) Si ， CaAs ， Ge 等半導(dǎo)體材料單晶拋光片清洗工藝技術(shù)的研究 ， 分析得出了半導(dǎo)體材料單晶拋光片的清洗關(guān)鍵技術(shù)條件。首先用氧化性溶液將晶片表面氧化 ， 然后用一定的方法將晶片表面的氧化物去除 ， 從而實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片進(jìn)行清洗的目的。采用這種先氧化再剝離的方法 ，可有效去除附著在晶片表面的雜質(zhì)及各種沾污物。對(duì)于不同的材料 ， 氧化過(guò)程以及剝離過(guò)程可以在不同的溶液中相互獨(dú)立地進(jìn)行 ; 也可以組合在一起 ， 使用一種混合液同時(shí)實(shí)現(xiàn)氧化及剝離。采用氧化、剝離的清洗原理 ， 可提高半導(dǎo)體材料拋光片的清洗工藝技術(shù)水平 ， 同時(shí)也對(duì)新材料拋光片的清洗工藝起到一定的指導(dǎo)作用。
半導(dǎo)體
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