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IGBT/MOSFET等全控型開(kāi)關(guān)器件在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日趨廣泛，相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)芯片集成度也越來(lái)越高，其中欠壓保護(hù)功能由于可以防止開(kāi)關(guān)管在門(mén)極電壓較低時(shí)飽和導(dǎo)通，被各大驅(qū)動(dòng)芯片公司集成到了自家的驅(qū)動(dòng)芯片上。本文以TI的UCC5320驅(qū)動(dòng)芯片為例，介紹欠壓保護(hù)的作用。另外，在雙電源供電時(shí)欠壓保護(hù)功能可能會(huì)失效，而UCC5320E在雙電源供電時(shí)依然可以實(shí)現(xiàn)欠壓保護(hù)。
一、欠壓保護(hù)的重要性
??????? 圖1顯示了在一個(gè)固定Vds下，門(mén)極電壓Vgs會(huì)如何影響MOSFET。虛線的右邊是飽和區(qū)，在這個(gè)區(qū)域里漏極電流不受漏源電壓Vds的影響，只取決于門(mén)極電壓Vgs。MOSFET工作在飽和區(qū)域時(shí)功耗較大，因?yàn)榇藭r(shí)它同時(shí)流過(guò)大電流承受大電壓。虛線的左邊是線性區(qū)，此時(shí)MOSFET相當(dāng)于一個(gè)小電阻，可以流過(guò)大電流而不在漏源兩端產(chǎn)生大的電壓差。對(duì)于大電流的應(yīng)用場(chǎng)合，讓MOSFET工作在飽和區(qū)是非常危險(xiǎn)的…
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