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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>為蜂窩手機(jī)選擇電源管理

      為蜂窩手機(jī)選擇電源管理

      2022-11-18 | pdf | 144.68KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      電源管理 IC電源管理 IC大多數(shù)無(wú)線手機(jī)的核心是電源管理 IC (PMIC)。PMIC 處理大部分電源要求和其他模塊，例如接口或音頻。領(lǐng)先的模擬半導(dǎo)體制造商提供 PMIC 作為全定制、半定制和/或標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，通常使用針對(duì)混合信號(hào)和電源優(yōu)化的 5V 亞微米 BiCMOS 工藝。尚未集成到手機(jī)其他地方的任何模塊都可以集成到 PMIC 中；然而，建議進(jìn)行一些節(jié)制，大多數(shù)無(wú)線手機(jī)的核心是電源管理 IC (PMIC)。PMIC 處理大部分電源要求和其他模塊，例如接口或音頻。領(lǐng)先的模擬半導(dǎo)體制造商提供 PMIC 作為全定制、半定制和/或標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，通常使用針對(duì)混合信號(hào)和電源優(yōu)化的 5V 亞微米 BiCMOS 工藝。尚未集成到手機(jī)其他地方的任何模塊都可以集成到 PMIC 中；然而，建議進(jìn)行一些節(jié)制，如圖 1所示如圖 1所示. 不集成特定塊的原因有：1) 如果使用不同的工藝設(shè)計(jì)，塊可能更便宜或更小；2) 由于技術(shù)的進(jìn)步或客戶要求的變化，模塊可能會(huì)從一種設(shè)計(jì)更改為另一種設(shè)計(jì)；3）該塊可能不跨平臺(tái)通用；4) 該區(qū)塊可能對(duì)進(jìn)度表提出激進(jìn)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)/風(fēng)險(xiǎn)；5) 由于噪聲耦合等性能原因，該塊可能不適合集成。. 不集成特定塊的原因有：1) 如果使用不同的工藝設(shè)計(jì)，塊可能更便宜或更??；2) 由于技術(shù)的進(jìn)步或客戶要求的變化，模塊可能會(huì)從一種設(shè)計(jì)更改為另一種設(shè)計(jì)；3）該塊可能不跨平臺(tái)通用；4) 該區(qū)塊可能對(duì)進(jìn)度表提出激進(jìn)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)/風(fēng)險(xiǎn)；5) 由于噪聲耦合等性能原因，該塊可能不適合集成。圖 1. 低風(fēng)險(xiǎn)、受限集成的示例，MAX1502 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品電源管理 IC 僅集成了支持流行 CDMA 芯片組所需的最常用模塊。圖 1. 低風(fēng)險(xiǎn)、受限集成的示例，MAX1502 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品電源管理 IC 僅集成了支持流行 CDMA 芯片組所需的最常用模塊。盡管如此，將盡可能多的模塊集成到 PMIC 中的原因顯然是為了節(jié)省成本和尺寸，尤其是當(dāng)集成對(duì)于大量手機(jī)來(lái)說很常見時(shí)。可以通過逐步增加連續(xù)設(shè)計(jì)的集成來(lái)管理風(fēng)險(xiǎn)。盡管如此，將盡可能多的模塊集成到 PMIC 中的原因顯然是為了節(jié)省成本和尺寸，尤其是當(dāng)集成對(duì)于大量手機(jī)來(lái)說很常見時(shí)。可以通過逐步增加連續(xù)設(shè)計(jì)的集成來(lái)管理風(fēng)險(xiǎn)。低壓差線性穩(wěn)壓器低壓差線性穩(wěn)壓器蜂窩手機(jī)通常需要 5 到 12 個(gè)獨(dú)立的低壓降 (LDO) 線性穩(wěn)壓器。這個(gè)數(shù)字很高，不是因?yàn)橛羞@么多單獨(dú)的電壓，而是因?yàn)?LDO 還充當(dāng)具有電源抑制比 (PSRR) 的開/關(guān)開關(guān)，以防止噪聲耦合。大多數(shù) LDO 都集成在 PMIC 中，但由于 PCB 布局/布線、壓控振蕩器等特定組件的噪聲敏感性或需要為集成數(shù)碼相機(jī)等非標(biāo)準(zhǔn)模塊供電，一些分立單元仍然存在。采用分立形式，采用 SOT23 封裝的單個(gè) 150mA LDO 多年來(lái)一直是流行的選擇。然而，如今更新的封裝、亞微米工藝和更好的設(shè)計(jì)以更小的尺寸提供更高的性能。您現(xiàn)在可以在 SOT23 封裝中獲得單個(gè) 300mA LDO，在 SOT23 封裝中獲得雙 150mA LDO，或帶有標(biāo)準(zhǔn)和超低噪聲（10μVRMS 和 85dB PSRR）變體的小型 SC70 中的單個(gè) 120mA LDO。此外，現(xiàn)代 UCSP? 提供盡可能小的尺寸，而新的 QFN 封裝允許最大的管芯尺寸，并在 3mm x 3mm 的塑料封裝中提供最高的熱導(dǎo)率。因此，QFN 封裝可實(shí)現(xiàn)更高電流的 LDO 以及每個(gè)封裝中更多的 LDO。甚至還有三重、四重和五重 LDO，它們減少了分立實(shí)施和 PMIC 之間的界限。因此，QFN 封裝可實(shí)現(xiàn)更高電流的 LDO 以及每個(gè)封裝中更多的 LDO。甚至還有三重、四重和五重 LDO，它們減少了分立實(shí)施和 PMIC 之間的界限。因此，QFN 封裝可實(shí)現(xiàn)更高電流的 LDO 以及每個(gè)封裝中更多的 LDO。甚至還有三重、四重和五重 LDO，它們減少了分立實(shí)施和 PMIC 之間的界限。蜂窩手機(jī)通常需要 5 到 12 個(gè)獨(dú)立的低壓降 (LDO) 線性穩(wěn)壓器。這個(gè)數(shù)字很高，不是因?yàn)橛羞@么多單獨(dú)的電壓，而是因?yàn)?LDO 還充當(dāng)具有電源抑制比 (PSRR) 的開/關(guān)開關(guān)，以防止噪聲耦合。大多數(shù) LDO 都集成在 PMIC 中，但由于 PCB 布局/布線、壓控振蕩器等特定組件的噪聲敏感性或需要為集成數(shù)碼相機(jī)等非標(biāo)準(zhǔn)模塊供電，一些分立單元仍然存在。采用分立形式，采用 SOT23 封裝的單個(gè) 150mA LDO 多年來(lái)一直是流行的選擇。然而，如今更新的封裝、亞微米工藝和更好的設(shè)計(jì)以更小的尺寸提供更高的性能。
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