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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>東芝推出第三代碳化硅MOSFET來(lái)提高工業(yè)設(shè)備效率

      東芝推出第三代碳化硅MOSFET來(lái)提高工業(yè)設(shè)備效率

      2023-02-20 | pdf | 0.10 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具 有低導(dǎo)通電阻和大幅降低的開(kāi)關(guān)損耗。10種產(chǎn)品分別為5種1200V和5種650V產(chǎn)品，已經(jīng)開(kāi)始發(fā)貨。 新產(chǎn)品將單位面積的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)A)降低了約43%[3]，使代表傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間關(guān)系的重要指標(biāo)——漏源導(dǎo)通電 阻*柵-漏電荷(RDS(ON)*Qgd)降低了約80%[4]。開(kāi)關(guān)損耗也減少了約20%[5]，因而同時(shí)降低了導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗。這些新產(chǎn) 品可提高設(shè)備效率。
      MOSFET 東芝 碳化硅
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