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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>IGBT雙脈沖測(cè)試原理

      IGBT雙脈沖測(cè)試原理

      2023-02-22 | pdf | 0.26 MB | 次下載 | 2積分

      資料介紹

      開(kāi)通特性測(cè)試采用雙脈沖測(cè)試法。由計(jì)算機(jī)設(shè)定并控制輸出漏極電壓VDD值到被測(cè)器件的測(cè)試要求值（一般為被測(cè)器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGS到測(cè)試要求值，計(jì)算機(jī)控制接通開(kāi)關(guān)S1,并控制輸出被 測(cè)雙脈沖觸發(fā)信號(hào)，開(kāi)通和關(guān)斷被測(cè)器件兩次，被測(cè)器件第一次開(kāi)通后，漏極電流ID上升，直至被測(cè)器件飽和導(dǎo)通且ID達(dá)到測(cè)試規(guī)定值時(shí)，關(guān)斷被測(cè)器件(設(shè)為t1時(shí)刻)，之后電感L經(jīng)二極管（Q1內(nèi)部二極 管）續(xù)流，ID迅速減小，直至ID降為零時(shí)，第二次開(kāi)通被測(cè)器件(設(shè)為t2時(shí)刻)，此后電感L中的電流向ID轉(zhuǎn)移，ID迅速上升(若L足夠大，t1～t2間隔足夠短，L中的電流可視為恒流），直至被測(cè)器件再次達(dá) 到飽和導(dǎo)通時(shí)(設(shè)為t3時(shí)刻)，關(guān)斷被測(cè)器件。記錄下被測(cè)器件ID、VDS以及VGS在t2～t3之間的導(dǎo)通波形，其中，VDS采樣到示波器的CH1通道，ID取樣到示波器的CH2通道，VGS采樣到示波器的CH3通 道，示波器通過(guò)光通訊方式將測(cè)試波形傳輸給計(jì)算機(jī)，由計(jì)算機(jī)對(duì)測(cè)試波形進(jìn)行分析與計(jì)算，最后顯示測(cè)試結(jié)果。
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