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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性

      SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性

      2023-06-19 | pdf | 1.08 MB | 次下載 | 免費

      資料介紹

      SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結(jié)構(gòu)的中間，N區(qū)夾在兩個P區(qū)域之間，當(dāng)電流被限制在靠近P體區(qū)域的狹窄的N區(qū)中流過時，將產(chǎn)生JFET效應(yīng)，從而增加通態(tài)電阻；同時，這種結(jié)構(gòu)的寄生電容也較大。

      MOSFET SiC
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