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由于全球在努力開發(fā)更高效的電動汽車并減少溫室氣體 排放，因此當(dāng)今的汽車設(shè)計(jì)正在朝著 48V 電氣化趨勢 發(fā)展。帶式起動發(fā)電機(jī) (BSG) 和電動發(fā)電機(jī)等 48V 傳 動系統(tǒng)組件可能需要非常高的功率輸出，有些甚至需要 高達(dá) 30kW 或更高的功率。DRV3255-Q1 專為滿足此 類需求而設(shè)計(jì)，因此非常適合這些應(yīng)用。這些大功率半 橋設(shè)計(jì)面臨的一項(xiàng)嚴(yán)峻挑戰(zhàn)是，如何通過優(yōu)化來避免外 部 MOSFET 的熱損失導(dǎo)致不必要的 PCB 發(fā)熱。一種 優(yōu)化方法是降低 MOSFET 處于導(dǎo)通狀態(tài)時的漏源極電 阻（通常稱為 RDS(on)）。本文討論了使用 DRV3255- Q1 進(jìn)行大功率電橋設(shè)計(jì)時的原理圖和布局優(yōu)化最佳做 法。這一概念也適用于具有高拉電流和灌電流能力的其 他驅(qū)動器。
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