資料介紹
碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體在使電動(dòng)汽車擺脫對(duì)里程優(yōu)勢(shì)的焦慮方面發(fā)揮了重要作用。雖然在最高電壓(800-1,250 V)下,SiC可能仍然是首選技術(shù),但在較低電壓(如400 V)下,EV平臺(tái)可以利用GaN器件,從而提供更高的功率密度和效率。集成GaN晶體管驅(qū)動(dòng)器IC確保了處理旅途生活所需的耐用性和可靠性。
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