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研究了非晶FeSiB/Cu/FeSiB 夾心薄膜在100kHz～40MHz 范圍內(nèi)的巨磁
阻抗效應(yīng)。當(dāng)磁場(chǎng)和交流電流沿薄膜的縱向時(shí)，磁阻抗比隨磁場(chǎng)的增大而增強(qiáng)，
在磁場(chǎng)約1600A/m 下達(dá)到最大值，然后隨磁場(chǎng)的增大而下降到負(fù)值。在頻率3MHz、
磁場(chǎng)1600A/m 時(shí)磁阻抗比達(dá)到最大值17.2%。磁阻抗比的最大值及負(fù)的磁阻抗比
與夾心薄膜中磁各向異性軸的取向有關(guān)。另外，當(dāng)磁場(chǎng)施加在薄膜的橫向時(shí)，薄
膜表現(xiàn)出負(fù)的磁阻抗效應(yīng)，在頻率3MHz、磁場(chǎng)5600A/m 時(shí)，磁阻抗比達(dá)－13.4%。
阻抗效應(yīng)。當(dāng)磁場(chǎng)和交流電流沿薄膜的縱向時(shí)，磁阻抗比隨磁場(chǎng)的增大而增強(qiáng)，
在磁場(chǎng)約1600A/m 下達(dá)到最大值，然后隨磁場(chǎng)的增大而下降到負(fù)值。在頻率3MHz、
磁場(chǎng)1600A/m 時(shí)磁阻抗比達(dá)到最大值17.2%。磁阻抗比的最大值及負(fù)的磁阻抗比
與夾心薄膜中磁各向異性軸的取向有關(guān)。另外，當(dāng)磁場(chǎng)施加在薄膜的橫向時(shí)，薄
膜表現(xiàn)出負(fù)的磁阻抗效應(yīng)，在頻率3MHz、磁場(chǎng)5600A/m 時(shí)，磁阻抗比達(dá)－13.4%。
阻抗
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