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DRT MC SOI LIGBT器件新結(jié)構(gòu)的可實(shí)現(xiàn)性初探
本文在介紹了減薄漂移區(qū)多溝道SOI LIGBT結(jié)構(gòu)雛形之后,首先初步探討了這種器件的先進(jìn)VLSI工藝可實(shí)現(xiàn)性;然后比較深入討論了減薄漂移區(qū)的工藝可實(shí)現(xiàn)性和與漂移區(qū)厚度相關(guān)的漂移區(qū)新結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)性;接著指出了這種器件雛形結(jié)構(gòu)存在的幾個(gè)主要問(wèn)題,有針對(duì)性的分析了改進(jìn)措施,并提出了同心圓環(huán)源漏互包SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)。
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