NAND FLASH存儲(chǔ)模塊設(shè)計(jì)(XC3S1600E和NAND512W3A構(gòu)成)
資料介紹
目前最新型的彈載黑匣子在實(shí)時(shí)性、大容量、高可靠性、高速率等方面又有了新的要求,炮彈彈道實(shí)驗(yàn)中姿態(tài)、軌跡、旋轉(zhuǎn)速率等參數(shù)在被采集后需要及時(shí)存人存儲(chǔ)模塊中。傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊多用ARM作為其控制核心,但是由于ARM 的時(shí)鐘頻率較低且需用軟件實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ),這使得存儲(chǔ)的速度和效率較低,在整個(gè)存儲(chǔ)周期中大多為軟件的運(yùn)行時(shí)間。而FPGA 有ARM 無法比擬的優(yōu)勢(shì),F(xiàn)PGA 時(shí)鐘頻率高、內(nèi)部延時(shí)小,全部控制邏輯由硬件完成,速度快、效率高。在此技術(shù)基礎(chǔ)上,為了滿足數(shù)據(jù)存儲(chǔ)對(duì)速度的要求,本文將介紹一種基于FPGA,采用VerilogHDL硬件描述語言設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊。存儲(chǔ)芯片采用意法半導(dǎo)體公司的NAND512W3A,利用FPGA 構(gòu)建讀寫FIFO 緩存、硬件擦除和讀寫以及壞塊屏蔽NANDFLASH,從而加快了黑匣子數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的速度和可靠性。

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