完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
文章：1324個(gè) 瀏覽：45274次 帖子：21個(gè)
功率電子器件即功率半導(dǎo)體器件（power electronic device），通常是指用于控制大功率電路的電子器件（數(shù)十至數(shù)千安培的電流，數(shù)百伏以上的...
SiCMOSFET如何實(shí)現(xiàn)降低功率轉(zhuǎn)換過程中能量損耗
人們普遍認(rèn)為，SiCMOSFET可以實(shí)現(xiàn)非?？斓拈_關(guān)速度，有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制，在實(shí)際...
2021-01-27 標(biāo)簽：SiC功率半導(dǎo)體功率晶體管 4.3k 0
車規(guī)模塊系列（四）：Cu-Clip互連技術(shù)簡析
在上篇討論TPAK封裝時(shí)，我們聊到了Cu-Clip技術(shù)，當(dāng)然它可以應(yīng)用在很多模塊封裝形式當(dāng)中
淺談功率半導(dǎo)體的燒結(jié)芯片貼裝技術(shù)
Micro-Punch 工具對模具的數(shù)量或位置沒有限制；它可以適應(yīng)任何 DBC 尺寸或配置，它可以獨(dú)立壓制最薄和最小的模具，即使它們彼此非常接近。
2022-02-06 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 4.3k 0
Simcenter Micred Power Tester功率循環(huán)測試儀
SimcenterMicredPowerTester功率循環(huán)測試儀使用結(jié)合了有效功率循環(huán)和熱結(jié)構(gòu)退化監(jiān)測的測試硬件，評估功率半導(dǎo)體的熱可靠性和使用壽命。...
2025-01-09 標(biāo)簽：測試儀功率半導(dǎo)體 4.2k 0
IGBT功率模塊的熱阻網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)研究
隨著絕緣柵雙極晶體管（IGBT ）向高功率和高集成度方向發(fā)展，在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進(jìn)，熱產(chǎn)生問題日益突出，對散熱的要求越來越高，IGBT 芯片是產(chǎn)生...
一文讀懂電控系統(tǒng)核心——功率半導(dǎo)體IGBT模塊
前言功率半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)不可或缺的一部分，在電力轉(zhuǎn)換和控制中起著核心作用。而IGBT模塊作為其中一個(gè)極其高效、聽話且力量巨大的”電能開關(guān)“被廣...
2025-09-10 標(biāo)簽：IGBT電控系統(tǒng)功率半導(dǎo)體 4.2k 0
想讓大家了解什么是功率半導(dǎo)體，那么在此之前有必要先說說人類社會(huì)技術(shù)革命至關(guān)重要的幾次飛躍
2023-02-02 標(biāo)簽：芯片交流電功率半導(dǎo)體 4.1k 0
功率半導(dǎo)體器件種類眾多，按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類，其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大，是最主要的品類。
2020-11-25 標(biāo)簽：電動(dòng)車IGBT功率半導(dǎo)體 4.1k 0
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Translator, IGBT）是電氣化軌道交通裝備中負(fù)責(zé)電能轉(zhuǎn)換的核心部件。高壓大...
回顧IGBT的技術(shù)發(fā)展：7代技術(shù)及工藝改進(jìn)
新能源汽車的成本構(gòu)成中，最大頭當(dāng)然是動(dòng)力電池，第二高的就是IGBT。 在電動(dòng)汽車特斯拉Model 3上，提供電源的是，7000節(jié)18650電池，這些...
igbt內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理分析
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，具有MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的高輸入阻抗和GTR（大功率晶體管）的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)...
2024-01-10 標(biāo)簽：IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 4.1k 0
功率半導(dǎo)體二極管，簡稱為功率二極管，與其較小的結(jié)構(gòu)信號二極管相比具有更大的PN結(jié)面積，從而實(shí)現(xiàn)高達(dá)數(shù)百安培(KA)的高正向電流能力和高達(dá)數(shù)百安培的反...
功率半導(dǎo)體的封裝方式多種多樣，這些封裝方式不僅保護(hù)了功率半導(dǎo)體芯片，還提供了電氣和機(jī)械連接，確保了器件的穩(wěn)定性和可靠性。以下是對功率半導(dǎo)體主要封裝方式的...
2024-07-24 標(biāo)簽：封裝晶體管功率半導(dǎo)體 4.1k 0
PN結(jié)曲率效應(yīng)的產(chǎn)生及其對擊穿電壓的影響
在我們現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件中，PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位，其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導(dǎo)體器件的可靠性及適用范圍。
2023-11-24 標(biāo)簽：PN結(jié)擊穿電壓功率半導(dǎo)體 4.1k 0
淺析功率半導(dǎo)體IGBT及SiC技術(shù)的相關(guān)知識
電力電子技術(shù)在新能源汽車中應(yīng)用廣泛，是汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎(chǔ)。
功率半導(dǎo)體用于電力電子領(lǐng)域。使用固態(tài)設(shè)備，電力電子控制和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的電力。這些包括汽車、手機(jī)、電源、太陽能逆變器、火車和風(fēng)力渦輪機(jī)。 常常有人將功...
2023-02-02 標(biāo)簽：逆變器功率半導(dǎo)體功率IC 3.9k 0
銀 （Ag）/銅 （Cu） 壓力燒結(jié)（見圖 1）是一種應(yīng)用于粉末材料（即納米顆粒）的熱處理工藝，以提供更高的強(qiáng)度、完整性和導(dǎo)電性。
2021-11-12 標(biāo)簽：熱敏電阻IGBT功率半導(dǎo)體 3.9k 0
IGBT功率半導(dǎo)體的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
IGBT模塊可以分為低壓（600V以下），中壓（600V-1200V）和壓（1200V-6700V），IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電...
2023-02-22 標(biāo)簽：變頻器IGBT功率半導(dǎo)體 3.8k 0
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 標(biāo)簽：器件功率半導(dǎo)體功率密度 3.8k 0
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
機(jī)器人發(fā)燒友
