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功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

SiC功率元器件中浪涌抑制電路設(shè)計

只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個數(shù)量級以上，因此不會立即流過過大的直通電流。所以即使流過了直通電流，也具有足夠的冷卻能...

2024-01-25 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 1k 0

開關(guān)電源拓撲計算公式

上述公式是穩(wěn)態(tài)工作時，功率器件上的電壓、電流應(yīng)力。選擇功率器件時，其電壓耐量可放一個合適的余量（保證最壞情況下的電壓峰值不超過此值），電流耐量則得按器件...

2023-04-28 標簽：開關(guān)電源 BUCK 變換器 1k 0

導(dǎo)入寬帶隙半導(dǎo)體滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求

益登科技 300W 電源解決方案采用以 SiC/GaN 為材料的 MOSFET 和肖特基勢壘二極管，以降低開關(guān)損耗和恢復(fù)損耗，搭配 PFC 和 LLC ...

2023-06-02 標簽：半導(dǎo)體功率器件數(shù)字控制器 1k 0

支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

德州儀器的默認過流保護方法被歸類為“電流鎖存”保護；這意味著，若在器件中檢測到任何過流故障，F(xiàn)ET將安全關(guān)斷，并在故障復(fù)位前保持關(guān)斷狀態(tài)。在我們的70m...

2019-04-24 標簽：德州儀器功率器件氮化鎵 1k 0

功率器件的材料演進之路

如今，我們已經(jīng)無法想象沒有電的生活了。我們生活的各個方面越來越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過程中，功率轉(zhuǎn)換起著至關(guān)重要的作用。

2023-08-10 標簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1k 0

GaN HEMT憑什么贏得市場青睞

硅基半導(dǎo)體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。

2025-02-27 標簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 997 0

新型SIC功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計及制造技術(shù)

　　柵極電壓。上升過程，P阱中電子流向溝道，空穴流出P阱，在流經(jīng)P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時，P阱瞬態(tài)電位上升，等效閾值電壓升高; 　　漏極電壓下...

2023-10-08 標簽：新能源汽車電阻功率器件 995 0

印制板銅皮走線的注意事項

模塊電源行列也有部分產(chǎn)品采用多層板，主要便于集成變壓器電感等功率器件，優(yōu)化接線、功率管散熱等。具有工藝美觀一致性好，變壓器散熱好的優(yōu)點，但其缺點是成本較...

2023-11-03 標簽：功率器件模塊電源變壓器 964 0

光伏發(fā)電中功率器件的應(yīng)用分析

碳化硅功率器件主要應(yīng)用于新能源車的電驅(qū)電控系統(tǒng)，相較于傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體器件，碳化硅功率器件在耐壓等級、開關(guān)損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優(yōu)勢，有助...

2023-08-02 標簽：MOSFET 光伏光伏發(fā)電 954 0

新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測技術(shù)研究

提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測電路，設(shè)計了兼具結(jié)溫監(jiān)測功能的驅(qū)動電路，并提出了- -種結(jié)溫反推方法，提升了結(jié)...

2023-05-23 標簽：MOSFET IGBT 功率器件 942 0

淺談采埃孚的IGBT功率器件數(shù)字孿生技術(shù)

該方法創(chuàng)建了基于Ansys Twin Builder軟件的熱降階模型，并和CFD的3D熱仿真進行了對比。簡化的ROM降階模型在所有的計算結(jié)果中都獲得了可...

2023-08-21 標簽：溫度傳感器逆變器 IGBT 930 0

具有集成驅(qū)動器和自我保護功能的GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計

德州儀器(TI)推出了一種新的集成氮化鎵(GaN)功率級產(chǎn)品家族，該家族采用了一種低成本緊湊的四方扁平無引線(OFN)封裝，封裝尺寸為12毫米x12毫米...

2025-02-25 標簽：ti 功率器件 GaN 927 0

功率器件結(jié)溫監(jiān)測技術(shù)研究

? ? ? ? 審核編輯：彭靜

2023-05-31 標簽：功率器件監(jiān)測技術(shù) 924 0

如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動汽車電池的充電能力

2023-11-23 標簽：汽車電池功率器件 904 0

功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南

動態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán)，主要采用...

2023-02-10 標簽：MOSFET 測試系統(tǒng)分立器件 894 0

碳化硅為什么如此火爆呢

隨著新能源汽車市場的爆發(fā)，電動汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場，行業(yè)普遍預(yù)估，2027年車用碳化硅功率器件市場規(guī)模能達到60億美元。

2023-09-11 標簽：逆變器功率器件 SiC 893 0

中微愛芯高速中壓全橋驅(qū)動電路AiP2180介紹

AiP2180是一款高速中壓全橋驅(qū)動電路。該電路主要用于驅(qū)動中壓功率器件，如N型MOSFET或IGBT等，電路內(nèi)置可調(diào)死區(qū)控制，可以調(diào)節(jié)驅(qū)動效率，支持獨...

2025-04-10 標簽：MOSFET 驅(qū)動電路功率器件 892 0

比亞迪丨電驅(qū)動系統(tǒng)發(fā)展及關(guān)鍵技術(shù)

扁線電機2021年滲透率約為27%，預(yù)計今年滲透率可達40%，隨著扁線技術(shù)的成熟，未來用量增長迅猛。

2023-05-10 標簽：比亞迪驅(qū)動系統(tǒng)功率器件 880 0

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十四）----熱成像儀測溫度概述

摘要功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、SiC高功率密度設(shè)計的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識和測試的基本技能，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利...

2025-09-12 標簽：功率器件熱成像儀熱設(shè)計 878 0

功率ic是怎么做出來的

功率IC是通過半導(dǎo)體工藝制造出來的電子器件，具有集成度高、功率密度高、體積小等特點。功率IC的制造過程主要分為以下幾個步驟：晶圓制備：用高純度硅作為原...

2023-02-18 標簽：IC 功率器件功率IC 875 0

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深度學(xué)習(xí)

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工業(yè)4.0

工業(yè)4.0

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工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計達2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
英偉達

英偉達

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Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
BeagleBone

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mbed

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無人機技術(shù)

無人機技術(shù)

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以無人駕駛來說，城市中將建造一個巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機就能隨時呼叫無人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
OpenWrt

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OpenWrt 可以被描述為一個嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對比一個單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
LD3320

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ARM架構(gòu)

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ARM架構(gòu)過去稱作進階精簡指令集機器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個32位精簡指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計。
DragonBoard 410c

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Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強大，身材特別小巧的開發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機處理能力，幫您實現(xiàn)對各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍牙、多媒體、3D游戲等各項功能。
OpenCL

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OpenCL是一個為異構(gòu)平臺編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運行的函數(shù)）的語言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺的API組成。
嵌入式操作系統(tǒng)

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嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動接口、通信協(xié)議、圖形界面、標準化瀏覽器等。
Windows CE

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　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動計算平臺的基礎(chǔ)，它是一個開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
JDI

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JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標虛擬機的狀態(tài)，例如查看目標虛擬機上有哪些類和實例等。
NFS

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　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計算機一樣。
麒麟960

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麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
tizen

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SiliconLabs

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X86架構(gòu)

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uCOS II

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米爾科技

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米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計費控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
ARM公司

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ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
數(shù)字電子鐘

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A6處理器

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OpenStack是一個開源的云計算管理平臺項目，是一系列軟件開源項目的組合。由NASA（美國國家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會發(fā)布的一個自由軟件許可證）授權(quán)的開源代碼項目。
大聯(lián)大友尚

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YunOS

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MMU

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MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計算機硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計算機體系結(jié)構(gòu)中，負責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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OMAPL138

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OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點數(shù)字信號處理器（DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。

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