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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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如何實現(xiàn)IGBT的軟開關(guān)的應(yīng)用開發(fā)
正常IGBT的工作頻率在10—20kHz,其開關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動機變頻調(diào)速中,它是較好的選擇。它在中小容量裝置中淘汰功率雙極晶體...
功率器件被稱為功率電子器件,即具有處理高電壓和高電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。它是電子部件和電子設(shè)備-發(fā)電機的統(tǒng)稱。功率放大是晶體管的電流控制效果或F...
由圖可以看出,β-Ga2O3的主要優(yōu)勢在于禁帶寬度,但也存在著不足,主要表現(xiàn)在遷移率和導(dǎo)熱率低,特別是導(dǎo)熱性能是其主要短板。不過,相對來說,這些缺點對功...
與 Si 器件相比, SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能, 新特性給其結(jié)溫評估帶來了新挑 戰(zhàn), 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評估方法可能不再適用于 Si...
功率元器件應(yīng)用秘訣,采用專用MOSFET提高效率
金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)正經(jīng)歷重大改變。業(yè)界采取兩種截然不同的方法來達到更高效能,首先是經(jīng)由改善硅材料和制程技術(shù),以克服現(xiàn)有產(chǎn)品的...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)是現(xiàn)代電力電子設(shè)備中常用的功率器件,廣泛應(yīng)用于焊機、變頻...
SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用,例如電動汽車充電和牽引、儲能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率...
雙脈沖測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例,如下圖,通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個脈沖持續(xù)時間...
功率電子技術(shù)在汽車系統(tǒng)中的應(yīng)用
電子發(fā)燒友網(wǎng): 本文主要講述了汽車系統(tǒng)中的 功率電子技術(shù) 。 摘要: 20世紀(jì)初,電子產(chǎn)品就被運用到 汽車系統(tǒng) 中。此外,在20世紀(jì)60年代,隨著固體電...
2012-06-11 標(biāo)簽:功率器件動力傳動汽車系統(tǒng) 7.7k 0
隨著微電子技術(shù)日新月異的發(fā)展,作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的硅(Si)與砷化鎵(GaAs)在半導(dǎo)體器件中表現(xiàn)出的電學(xué)性能已逐漸接近其理論極限。
氮化鎵功率器件在陣列雷達收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用
本文重點討論氮化鎵功率器件在陣列雷達收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用。下面結(jié)合半導(dǎo)體的物理特性,對氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)的特點加以說明。
2022-04-24 標(biāo)簽:雷達功率器件收發(fā)系統(tǒng) 7.2k 0
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