功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件資訊

小巧、輕便、高效，安森美垂直GaN解鎖功率器件應(yīng)用更多可能

在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直GaN的GaN層生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動(dòng)...

2025-12-04 標(biāo)簽：安森美功率器件 GaN 742 0

納微半導(dǎo)體與文曄科技進(jìn)一步強(qiáng)化戰(zhàn)略合作

加利福尼亞州托倫斯 — 2025年11月27日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵（GaN）與GeneSiC碳化硅（SiC）技術(shù)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（...

2025-12-04 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.7k 0

第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)功率器件可靠性的詳解；

【博主簡(jiǎn)介】本人“愛在七夕時(shí)”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相...

2025-12-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.2k 0

上揚(yáng)軟件與晶睿電子啟動(dòng)新一輪深度合作項(xiàng)目

近日，上揚(yáng)軟件與浙江晶睿電子科技有限公司（簡(jiǎn)稱“晶睿電子”）在前期成功合作的基礎(chǔ)上，正式啟動(dòng)新一輪深度合作項(xiàng)目。本次合作中，上揚(yáng)軟件將為晶睿電子Si外延...

2025-12-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件硅外延片 468 0

傾佳電子戶儲(chǔ)與工商業(yè)混合逆變器功率器件從IGBT向SiC MOSFET全面轉(zhuǎn)型的驅(qū)動(dòng)因素深度研究報(bào)告

傾佳電子戶儲(chǔ)與工商業(yè)混合逆變器功率器件從IGBT向SiC MOSFET全面轉(zhuǎn)型的驅(qū)動(dòng)因素深度研究報(bào)告傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功...

2025-11-28 標(biāo)簽：IGBT 功率器件 SiC MOSFET 2.2k 0

傾佳電子市場(chǎng)報(bào)告：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

傾佳電子市場(chǎng)報(bào)告：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破 ——以基本半導(dǎo)體B2M065120Z在15kW混合逆變器中的應(yīng)用為例傾佳電...

2025-11-24 標(biāo)簽：功率器件 SiC 560 0

楊杰科技MOSFET功率器件在低空經(jīng)濟(jì)中的應(yīng)用

隨著"低空經(jīng)濟(jì)"首次被寫入2024年政府工作報(bào)告，中國(guó)低空經(jīng)濟(jì)正式進(jìn)入規(guī)?；l(fā)展階段。這一以真高1000米以下空域?yàn)楹诵牡慕?jīng)濟(jì)形態(tài)，...

2025-11-19 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件低空經(jīng)濟(jì) 1.3k 0

吉時(shí)利2614B大電流源表在功率器件測(cè)試中的精準(zhǔn)應(yīng)用

在功率半導(dǎo)體器件研發(fā)與生產(chǎn)領(lǐng)域，對(duì)器件性能參數(shù)的精準(zhǔn)測(cè)試是確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。吉時(shí)利2614B大電流源表憑借其卓越的性能與多功能集成特性，成為應(yīng)對(duì)高...

2025-11-13 標(biāo)簽：大電流功率器件 348 0

芯干線亮相2025中國(guó)電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)

11月8日，中國(guó)電源學(xué)會(huì)第28屆學(xué)術(shù)年會(huì)暨展覽會(huì)，在寶安國(guó)際會(huì)展中心盛大啟幕，來(lái)自海內(nèi)外電力電子、電源行業(yè)專家、學(xué)者、知名企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)、高校等5000...

2025-11-12 標(biāo)簽：功率器件 SiC GaN 2k 0

樂高化組裝，一鍵式測(cè)試 | 云鎵GaN自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試平臺(tái)

云鎵半導(dǎo)體樂高化組裝，一鍵式測(cè)試|云鎵GaN自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試平臺(tái)作為一種新型開關(guān)器件，GaN功率器件擁有開關(guān)速度快、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)前不同GaN工藝...

2025-11-11 標(biāo)簽：自動(dòng)化功率器件 GaN 1k 0

喜報(bào) | 第十四屆納博會(huì)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽首場(chǎng)路演，云鎵半導(dǎo)體一舉奪魁，直通決賽！

云鎵半導(dǎo)體喜報(bào)|第十四屆納博會(huì)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽首場(chǎng)路演，云鎵半導(dǎo)體一舉奪魁，直通決賽！創(chuàng)新引領(lǐng)未來(lái)，創(chuàng)業(yè)鑄就輝煌3月21日下午第十四屆中國(guó)國(guó)際納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)博...

2025-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 715 0

合科泰650V高壓MOS管HKTD7N65的特性和應(yīng)用

在工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場(chǎng)景中，功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKT...

2025-11-07 標(biāo)簽：MOS管功率器件合科泰 1.8k 0

泰科天潤(rùn)碳化硅器件在不同充換電場(chǎng)景中實(shí)現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用

從南國(guó)云南到內(nèi)蒙古礦區(qū)，從東海寧波到香港特別行政區(qū)，由泰科天潤(rùn)自主研發(fā)的碳化硅功率器件，正在全國(guó)各地充換電設(shè)施中穩(wěn)定運(yùn)行，見證著國(guó)產(chǎn)芯片在技術(shù)上有重大突破。

2025-11-06 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件碳化硅 908 0

重磅喜報(bào)！上海晶岳電子成功入選國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)

近日，工業(yè)和信息化部公示了國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)名單，晶岳榮耀上榜！這標(biāo)志著公司的技術(shù)實(shí)力、創(chuàng)新能力和行業(yè)地位獲得了國(guó)家層面的權(quán)威認(rèn)可?！皩＞匦?..

2025-11-06 標(biāo)簽：三極管電源管理IC 功率器件 640 0

芯干線邀您相約2025中國(guó)電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)

2025年11月8-9日，第四屆中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨展覽會(huì)、中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十八屆學(xué)術(shù)年會(huì)將在深圳國(guó)際會(huì)展中心召開，各領(lǐng)域的新技術(shù)、新成果、新產(chǎn)...

2025-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 GaN 1k 0

TO功率器件晶片粘接強(qiáng)度檢測(cè)：一套完整的推拉力測(cè)試機(jī)解決方案

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，TO（晶體管外形）封裝器件因其結(jié)構(gòu)堅(jiān)固、散熱良好而被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源汽車及能源管理等高可靠性場(chǎng)景。然而，其內(nèi)部晶片與基島之間...

2025-11-10 標(biāo)簽：功率器件晶片推拉力測(cè)試機(jī) 649 0

上海貝嶺IGBT產(chǎn)品BLG15T65FUA系列榮獲UL1557認(rèn)證

近日，上海貝嶺自主研發(fā)的安規(guī)級(jí)IGBT功率器件-BLG15T65FUA系列產(chǎn)品成功通過UL1557認(rèn)證。這一突破標(biāo)志著產(chǎn)品在安全性、可靠性表現(xiàn)上達(dá)到了先...

2025-11-04 標(biāo)簽：IGBT 功率器件上海貝嶺 1.8k 0

揚(yáng)杰科技榮獲2024年度江蘇省科技進(jìn)步獎(jiǎng)

近日，江蘇省科技廳公示2024年度省科技進(jìn)步獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)名單。揚(yáng)杰科技參與的兩大重點(diǎn)項(xiàng)目雙雙斬獲殊榮——與蘇州華興合作的 “先進(jìn)半導(dǎo)體多層封裝自動(dòng)化檢測(cè)關(guān)鍵技...

2025-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件揚(yáng)杰科技 1k 0

功率器件廠商?hào)|海半導(dǎo)體榮獲“國(guó)家專精特新企業(yè)”認(rèn)定

近日，東海半導(dǎo)體正式榮獲“國(guó)家專精特新企業(yè)”稱號(hào)。這一認(rèn)定，不僅是國(guó)家對(duì)我們?cè)诎雽?dǎo)體功率器件研發(fā)與設(shè)計(jì)領(lǐng)域深耕細(xì)作的高度肯定，更是對(duì)東海技術(shù)“以創(chuàng)新鑄魂...

2025-10-28 標(biāo)簽：功率器件 676 0

上海貝嶺產(chǎn)品在高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的應(yīng)用選型

上海貝嶺自2018年戰(zhàn)略布局工控和儲(chǔ)能市場(chǎng)以來(lái)，持續(xù)深耕光伏儲(chǔ)能、伺服變頻、工業(yè)電源、BMS、電動(dòng)工具、電動(dòng)車等核心領(lǐng)域，致力于為客戶提供高性價(jià)比的半導(dǎo)...

2025-10-27 標(biāo)簽：電源管理功率器件上海貝嶺 1.1k 0

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工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國(guó)加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市。
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以無(wú)人駕駛來(lái)說(shuō)，城市中將建造一個(gè)巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機(jī)就能隨時(shí)呼叫無(wú)人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
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OpenWrt 可以被描述為一個(gè)嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對(duì)比一個(gè)單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個(gè)完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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ARM架構(gòu)過去稱作進(jìn)階精簡(jiǎn)指令集機(jī)器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個(gè)32位精簡(jiǎn)指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
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Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強(qiáng)大，身材特別小巧的開發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機(jī)處理能力，幫您實(shí)現(xiàn)對(duì)各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實(shí)現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍(lán)牙、多媒體、3D游戲等各項(xiàng)功能。
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OpenCL是一個(gè)為異構(gòu)平臺(tái)編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺(tái)可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運(yùn)行的函數(shù)）的語(yǔ)言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺(tái)的API組成。
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嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡(jiǎn)稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動(dòng)軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動(dòng)接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
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　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
麒麟960

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麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動(dòng)設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計(jì)費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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OpenStack是一個(gè)開源的云計(jì)算管理平臺(tái)項(xiàng)目，是一系列軟件開源項(xiàng)目的組合。由NASA（美國(guó)國(guó)家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會(huì)發(fā)布的一個(gè)自由軟件許可證）授權(quán)的開源代碼項(xiàng)目。
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MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱作分頁(yè)內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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OMAPL138

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OMAP-L138是美國(guó)德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器（DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長(zhǎng)電池使用壽命的需求。

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放大器	運(yùn)算放大器	差動(dòng)放大器	電流感應(yīng)放大器	比較器	儀表放大器	可變?cè)鲆娣糯笃?	隔離放大器
時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
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線性穩(wěn)壓器	LDO	開關(guān)穩(wěn)壓器	DC/DC	降壓轉(zhuǎn)換器	電源模塊	MOSFET	IGBT
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