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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。
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NASA發(fā)布了使用其超大超強太空望遠鏡以空前分辨率和靈敏度觀測宇宙時拍攝的首批圖像。
JEDEC 制定的 JEP 95 《 JEDEC 注冊外形圖》標淮與 IEC SC47D 發(fā)布的標淮異曲同工,只不過其外形標淮是由其會員公司提出的。
國際上對封裝外形標淮化工作開展得較早,一般采用標淮增補單或外死注冊形式。 IEC SC47D 發(fā)布的 IEC 60191-2《半導體器件封裝標準 第2部...
貼片3904三極管_MMBT3904 絲印1AM三極管主要參數(shù)資料
3904三極管作為一種常見的低電壓、低電流信號晶體三極管,是半導體基本元器件之一。MMBT3904 SOT-23封裝型號的應用范圍很廣,人們家庭中的小家...
極小的物體被放大幾千倍,各種物質的豐富細節(jié)徐徐展開,人類觀察自然界的視野得到極大拓寬——這是光學顯微鏡賦予人類的“超能力”。不過,無限提高放大倍數(shù)是不可...
碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉換頻率下,400V電壓時,碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間;8...
目前,常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化鈹(BeO)、碳化硅(SiC)等。那么,誰才是最有發(fā)...
該圖的縱軸是每個集成功能(半導體芯片)的組件(晶體管)數(shù)量。此外,由于它被寫成Log2,這表明晶體管的數(shù)量將呈指數(shù)增長。
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料,在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領域具有硅半導體無法比擬的優(yōu)勢。然而,散熱問題是制約其...
隨著半導體制造技術的進一步發(fā)展,未來數(shù)年中裝備市場的宏觀增長速度會大概率繼續(xù)跑贏整體的器件市場。
氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導體材料,是第三代半導體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
中芯熱成是國內首家專注于紅外量子點材料成像芯片領域的國家級高新技術企業(yè),針對量子點、納米線、二維材料及鈣鈦礦等新型光電材料提供陣列型成像芯片制備、測試及...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(Bipolar Junction Transi...
在這種情況下,第三代化合物半導體材料——碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料進入了大眾的視線。與前兩代半導體材料相比,寬禁帶半導體材料因其在禁帶寬度...
CEO進一步指出,產品樣品制造的完成鞏固了 Odyssey 作為功率應用垂直 GaN 技術領導者的地位。它需要我們的重要知識產權來制造適用于客戶用例的產品。
SAOT系統(tǒng)主要由特制攝像機、球內傳感器和人工智能系統(tǒng)三部分組成。世界杯期間,每座球場頂部將設置12臺特制攝像機,對場上的足球和每名球員進行追蹤,以每秒...
場效應晶體管是由p型和n型兩部分組成。當給pn結加上正向電壓時,由于p區(qū)中的空穴由n區(qū)注入到pn結電場中形成空間電荷層,這些空間電荷與漂移到pn區(qū)的電子...
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