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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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2D材料3D集成實(shí)現(xiàn)光電儲(chǔ)備池計(jì)算
先進(jìn)材料與三維集成技術(shù)的結(jié)合為邊緣計(jì)算應(yīng)用帶來(lái)了新的可能性。本文探討研究人員如何通過(guò)單片3D集成方式將硒化銦光電探測(cè)器與二硫化鉬憶阻晶體管結(jié)合,實(shí)現(xiàn)傳感...
本文介紹了晶體管轉(zhuǎn)移特性曲線及其核心參數(shù)的意義。曲線描述了柵壓控制漏極電流的過(guò)程,涵蓋關(guān)斷、亞閾值與導(dǎo)通區(qū),是定義數(shù)字邏輯和平衡芯片性能的基石。
在飽和模式下,LED 將打開或關(guān)閉,因此,輸出晶體管完全關(guān)閉或完全打開,這意味著導(dǎo)通或非導(dǎo)通模式。此模式用于需要保護(hù)微控制器引腳免受輸出電路高壓影響的地方。
芯片可靠性是一門研究芯片如何在規(guī)定的時(shí)間和環(huán)境條件下保持正常功能的科學(xué)。它關(guān)注的核心不是芯片能否工作,而是能在高溫、高電壓、持續(xù)運(yùn)行等壓力下穩(wěn)定工作多久...
在功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)與選型中,單脈沖雪崩能量(Single Pulse Avalanche Energy, EAS)是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)。它量化...
2026-01-20 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFET電路設(shè)計(jì) 4.3k 0
晶體管的輸出特性曲線是半導(dǎo)體器件物理與芯片電路設(shè)計(jì)之間最關(guān)鍵的橋梁。這張圖表描繪了在固定柵極電壓下,晶體管的漏極電流如何隨漏源電壓變化,它本質(zhì)上是一張揭...
深度解析1mV信號(hào)放大1000倍的實(shí)現(xiàn)方式
許多傳感器或信號(hào)源的信號(hào)比較弱,而后續(xù)電路有極低可識(shí)別的閾值。比如ADC的輸入電壓范圍通常是 0~3.3V或0~5V,如果原始信號(hào)只有幾十μV,ADC就...
選型手冊(cè):AGM6015C N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM6015C是一款面向60V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220封裝,適配負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)域。...
選型手冊(cè):AGM40P150C P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM40P150C是一款面向40V低壓超大功率場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220封裝,適配負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)...
選型手冊(cè):AGMH6018C N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGMH6018C是一款面向60V低壓大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220封裝,適配負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)域。...
選型手冊(cè):AGM65N20AT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM65N20AT是一款面向200V高壓中功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-247封裝,適配高壓電源管理、同步整流...
選型手冊(cè):AGM012N10LL N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM012N10LL是一款面向100V中壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TOLX-8L封裝,適配高壓超大電流電源...
使用KickStart軟件對(duì)MOSFET進(jìn)行脈沖I-V特性表征
在晶體管器件的研發(fā)階段,制造商通常需要對(duì)設(shè)計(jì)原型進(jìn)行電學(xué)特性評(píng)估。直流(DC)測(cè)試是最常見(jiàn)的方法,但對(duì)于許多半導(dǎo)體器件而言,只有脈沖或短時(shí)導(dǎo)通(開關(guān))激...
選型手冊(cè):VSP011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP011N10MS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中壓大功率電源管理、DC...
2026-01-06 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 662 0
選型手冊(cè):VS1606GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS1606GS是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)...
2026-01-06 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 277 0
選型手冊(cè):VS3620GPMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3620GPMC是一款面向30V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流電源管理、D...
2026-01-06 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 278 0
IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)的應(yīng)用實(shí)踐指南 v3.0
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫(kù)」知識(shí)星球-關(guān)于IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用指南,第三次更新-「SysPro|動(dòng)力系統(tǒng)功能解讀」專欄內(nèi)容,全文155...
選型手冊(cè):VS1605ATM N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS1605ATM是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中壓大功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等...
2026-01-04 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 388 0
選型手冊(cè):VSP002N03MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP002N03MS-G是一款面向30V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流電源管...
2026-01-04 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 252 0
選型手冊(cè):VSP007N07MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP007N07MS是一款面向80V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中壓大功率電源管理、DC/DC...
2026-01-04 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 275 0
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