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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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科研人員將由氧化鋅制成的納米線穿到一種被稱為“taxels”的觸覺晶體管中,研發(fā)出一種全新的3D電流陣。將被廣泛運(yùn)用到人工/假肢皮膚、智能生物醫(yī)學(xué)治療以...
無晶圓半導(dǎo)體企業(yè)2012年業(yè)績再度超越IDM
全球無晶圓廠半導(dǎo)體企業(yè)(fabless)的整體業(yè)績表現(xiàn),又一次在 2012年超越了擁有自家晶圓廠的整合元件制造商(IDM)們。全球無晶圓廠晶片業(yè)者 20...
醫(yī)療科技簡史:從古埃及假肢到人類基因計(jì)劃。第一款聽診器的意外誕生?X射線的發(fā)現(xiàn)?晶體管為小型植入物帶來了哪些可能?
據(jù)國外媒體報(bào)道,MIT 的科學(xué)家已經(jīng)研發(fā)出了一種新型晶體管,新的晶體管通過材料原子結(jié)構(gòu)中的洞孔來讓電流通過,速度是當(dāng)前晶體管的 4 倍左右。
據(jù)最新報(bào)道,美國普渡大學(xué)和哈佛大學(xué)的研究人員推出了一項(xiàng)極為應(yīng)景的新發(fā)明:一種外形如同一顆圣誕樹一樣的新型晶體管,其重要組件“門”(柵極)的長度縮減到了突...
毋須晶體管?FDSOI技術(shù)助力SoC細(xì)化至10nm!
若采用完全耗盡型SOI(FDSOI)技術(shù),無需使晶體管立體化便可繼續(xù)推進(jìn)SoC微細(xì)化至10nm工藝左右。由于可以沿用原有半導(dǎo)體制造技術(shù)和設(shè)計(jì)技術(shù),因此無...
2012-12-24 標(biāo)簽:SoC意法半導(dǎo)體晶體管 3.2k 0
50多年前的一場停電風(fēng)波創(chuàng)造了首款電池供的心臟電起搏器,激活了一場醫(yī)療技術(shù)革命。后來,便攜式起搏器亦由此應(yīng)運(yùn)而生。其中緣由,詳見本文。
2012-12-21 標(biāo)簽:醫(yī)療設(shè)備晶體管心臟起搏器 8.7k 0
TriQuint半導(dǎo)體推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管
TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化鎵(GaN)HEMT射頻功率晶體管產(chǎn)品。
MIT的微系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室(Microsystems Technology Laboratories)聲稱已經(jīng)造出了史上最小的晶體管,用的卻是硅以外的材料。該...
臺(tái)積電和三星將實(shí)現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)
根據(jù)DigiTimes報(bào)道,三星將于2013年采用20納米技術(shù),同時(shí)開始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺(tái)積電也會(huì)在2013年下半年開始采用20納米技術(shù)生...
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實(shí)驗(yàn)室的研究人員利用原子力針尖誘導(dǎo)的局域催化還原反應(yīng),實(shí)現(xiàn)了在單層氧化石墨烯上直接繪制納米晶體管器件。相關(guān)研究成果...
2012-11-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管納米 1.6k 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 :據(jù)報(bào)道,在近日召開的美國化學(xué)協(xié)會(huì)第244屆全國會(huì)議與博覽上,一項(xiàng)關(guān)于DNA電路的研究顛覆了公眾對電路的認(rèn)知。這是一種利用電路導(dǎo)電...
IR推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列IRG7RC10FD
國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列,適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)...
本文核心議題: 通過本文介紹,我們將對Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術(shù)有著詳細(xì)的了解。業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的...
分析師點(diǎn)評Intel 22nm三柵技術(shù)
本文核心議題: 本文是對Intel 22nm三柵技術(shù)的后續(xù)追蹤報(bào)道,為此,這里搜集了多位業(yè)界觀察家、分析家對此的理解和意見,以便大家I更深入的了解nte...
晶體管模型“HiSIM_SOI”已成國際標(biāo)準(zhǔn)
近日,廣島大學(xué)開發(fā)的晶體管模型“HiSIM_SOI”已成為國際標(biāo)準(zhǔn)。本文就該晶體管模型進(jìn)行了詳細(xì)介紹。
Intel2011年5月6日研制成功的世界上第一個(gè)3D晶體管“Tri-Gate”現(xiàn)在已經(jīng)逐步進(jìn)入大家的視線了,本文將介紹3D晶體管的一些優(yōu)點(diǎn)。
什么是3D晶體管?3D晶體管,從技術(shù)上講,應(yīng)該是三個(gè)門晶體管。傳統(tǒng)的二維門由較薄的三維硅鰭(fin)所取代,硅鰭由硅基垂直伸出。
(一)晶體管材料與極性的判別 1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性 國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母AD表示晶體管的材料和極性。其中,A代表鍺...
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