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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動(dòng)器
柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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如何在電動(dòng)汽車系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)SiC FET設(shè)計(jì)
帶雙輸出反激變換器的半橋電路,為隔離的柵極驅(qū)動(dòng)器供電。在這里,12v軌為隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的主側(cè)和副側(cè)供電。
2021-03-04 標(biāo)簽:隔離電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管反激變換器 3.1k 0
源極驅(qū)動(dòng)器未集成VGH和VGL電源軌的設(shè)計(jì)
為5英寸以上的汽車LCD顯示器進(jìn)行的設(shè)計(jì)工作可能非常錯(cuò)綜復(fù)雜。顯示器源極驅(qū)動(dòng)器需要一個(gè)電壓范圍為10V至15V、被稱做模擬電壓器件漏極(AVDD)的電源...
2022-02-06 標(biāo)簽:顯示器柵極驅(qū)動(dòng)器電壓器 3.1k 0
大功率電池供電設(shè)備逆變器板如何助力熱優(yōu)化
電池供電電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案通??梢杂梅浅5偷墓ぷ麟妷禾峁?shù)百瓦的功率。在這些應(yīng)用中,為確保整個(gè)系統(tǒng)的能效和可靠性,必須正確管理電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的電流 。
2021-12-21 標(biāo)簽:逆變器柵極驅(qū)動(dòng)器 3.1k 0
羅姆提供先進(jìn)器件的工業(yè)電機(jī)設(shè)計(jì)系統(tǒng)級(jí)方案
工業(yè)電機(jī)是電機(jī)應(yīng)用的關(guān)鍵領(lǐng)域,沒有高效的電機(jī)系統(tǒng)就無法搭建先進(jìn)的自動(dòng)化生產(chǎn)線,由于應(yīng)用條件比較苛刻和對(duì)性能要求比較嚴(yán)格,設(shè)計(jì)復(fù)雜的工業(yè)電機(jī)系統(tǒng)涉及眾多元...
2020-12-17 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器柵極驅(qū)動(dòng)器 3k 0
安建半導(dǎo)體推出針對(duì)大電流高功率應(yīng)用的SGT MOSFET器件
近年來,工業(yè)及消費(fèi)市場(chǎng)對(duì)于系統(tǒng)的要求不斷提高,為達(dá)到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能,MOSFET作為功率核心部件擔(dān)當(dāng)著非常重要的角色。
2024-05-06 標(biāo)簽:MOSFET寄生電感柵極驅(qū)動(dòng)器 3k 0
?德州儀器DRV8329三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器深度解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments DRV8329/DRV8329-Q1三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器提供三個(gè)器件,每個(gè)器件均能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOS...
柵極驅(qū)動(dòng)器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)
碳化硅(SiC)MOSFET 的使用促使了多個(gè)應(yīng)用的高效率電力輸送,比如電動(dòng)車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。
ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器與APTGT75A120 IGBT的結(jié)合使用
絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)高效型解決方案,如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。
2019-08-16 標(biāo)簽:adiIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 3k 0
如何為您的SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器
雖然 SiC 提供了一系列優(yōu)勢(shì),包括更快的開關(guān)和更高的效率,但它也帶來了一些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),可以通過選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器來解決。
2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 3k 0
MCT8329A高速無傳感器梯形控制三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析
Texas Instruments MCT8329A三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器提供單芯片、無代碼、無傳感器梯形解決方案,用于需要高速運(yùn)行或極快啟動(dòng)的應(yīng)用。該...
2025-08-28 標(biāo)簽:三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器 2.9k 0
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器充放電中的能量轉(zhuǎn)換過程
在MOSFET開關(guān)中,柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)承擔(dān)著為其充電與放電的關(guān)鍵任務(wù),而這背后的能量轉(zhuǎn)換過程,直接影響驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率與熱設(shè)計(jì)。傳統(tǒng)功...
2025-08-19 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路寄生電感 2.8k 0
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
柵極驅(qū)動(dòng)器是保證SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵,設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等,本章節(jié)帶你了解SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電...
2025-04-24 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路SiC 2.8k 0
消費(fèi)者在購買手機(jī)充電器時(shí)會(huì)更傾向選擇原裝充電器,雖說現(xiàn)在第三方充電器的品質(zhì)足夠優(yōu)秀,并且相較部分手機(jī)原裝充電器而言,其支持的協(xié)議更全面,性能更強(qiáng),但還是...
2024-01-04 標(biāo)簽:充電器柵極驅(qū)動(dòng)器小米 2.8k 0
高性能隔離式DC/DC電源模塊UCC14240-Q1技術(shù)解析
Texas Instruments UCC14240-Q1穩(wěn)壓汽車直流-直流模塊是一款高隔離電壓 (3kV ~RMS~ ) 直流/直流模塊,設(shè)計(jì)用于為I...
HL型柵極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析
引言:在多相電源控制器里,PWM波輸出最為常見,但是HL型也使用較多,與PWM型相比,HL型控制更為獨(dú)立,更為靈活,抗干擾能力也較好,唯獨(dú)就是需要兩...
2023-11-13 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 2.7k 0
?STEVAL-LVLP01電機(jī)控制探索套件技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STEVAL-LVLP01電機(jī)控制探索套件基于STDRIVE101三相柵極驅(qū)動(dòng)器和STL8N10F7功率MOSFE...
柵極驅(qū)動(dòng)器原理:揭示電子器件中的關(guān)鍵組件
在當(dāng)今的數(shù)字時(shí)代,電子元件是塑造我們生活的無數(shù)技術(shù)奇跡的支柱。從智能手機(jī)到電動(dòng)汽車以及介于兩者之間的所有產(chǎn)品,電子元件都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。稱為柵極驅(qū)...
2023-12-06 標(biāo)簽:光耦柵極驅(qū)動(dòng)器 2.7k 0
為什么要擔(dān)心柵極驅(qū)動(dòng)器的電源?
在驅(qū)動(dòng)電路電壓軌處于正確值之前,不應(yīng)由 PWM 信號(hào)主動(dòng)驅(qū)動(dòng) IGBT/MOSFET。然而,當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng) DC/DC 上電或斷電時(shí),即使 PWM 信號(hào)處于...
2022-06-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBTdcdc轉(zhuǎn)換器 2.7k 0
博世推出的PMIC芯片—— CS600,就能很好地滿足了功能安全合規(guī)性的應(yīng)用需求。CS600可為系統(tǒng)提供完整的電源解決方案,包括μC、SoC以及相關(guān)外設(shè)的供電。
2024-02-25 標(biāo)簽:汽車電子電源管理芯片柵極驅(qū)動(dòng)器 2.6k 0
基于德州儀器TOLL封裝GaN器件優(yōu)化電源設(shè)計(jì)
當(dāng)今的電源設(shè)計(jì)要求高效率和高功率密度。因此,設(shè)計(jì)人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?/p>
2025-05-19 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)封裝GaN 2.6k 0
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