氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵功率器件的可靠性分析

氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設(shè)備功率的器件，它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調(diào)節(jié)器...

2023-02-19 標(biāo)簽：電子設(shè)備功率器件氮化鎵 1.1萬(wàn) 0

氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)及工作原理

　　氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體。

2023-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 1.1萬(wàn) 0

納微雙向氮化鎵開關(guān)和IsoFast高速驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)單級(jí)變換新范式

如今，超過(guò)70%的高壓功率變換器采用 “兩級(jí)” 硅基拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。例如，典型的AC-DC電動(dòng)汽車車載充電機(jī)（OBC）會(huì)先配置PFC級(jí)，再串聯(lián)DC-DC級(jí)，中...

2025-09-26 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1.1萬(wàn) 0

氮化鎵是什么晶體，氮化鎵（GaN）的重要性分析

氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...

2023-02-05 標(biāo)簽：led晶體功率器件 1.1萬(wàn) 0

氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)說(shuō)明

氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過(guò)深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)

2023-09-19 標(biāo)簽：MOSFETMOS管氮化鎵 1.1萬(wàn) 0

氮化鎵的技術(shù)優(yōu)缺點(diǎn)及在無(wú)線基站中的應(yīng)用分析

用于無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場(chǎng)重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場(chǎng)。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來(lái)的...

2020-02-12 標(biāo)簽：無(wú)線基站氮化鎵 1.1萬(wàn) 0

普通充電器 vs 氮化鎵充電器區(qū)別

當(dāng)前流行的主流充電器和電源頭都是采用“開關(guān)型”的電源模式，其核心的輸出效率和負(fù)載能力（輸出電流大小，恒壓）瓶頸就在內(nèi)部集成的開關(guān)管的頻率。

2024-03-18 標(biāo)簽：充電器功率轉(zhuǎn)換氮化鎵 1.1萬(wàn) 0

氮化鎵充電器原理 氮化鎵充電器原理圖

隨著科技的發(fā)展，電子產(chǎn)品已經(jīng)成為了我們生活中的必需品。而為了保持這些產(chǎn)品的正常運(yùn)行，需要一種高效、快速、安全的充電方式。氮化鎵充電器就是一種基于氮化鎵半...

2023-11-24 標(biāo)簽：充電器氮化鎵電磁波 1.1萬(wàn) 0

通過(guò)單片GaN集成提高性能，同時(shí)減小尺寸和成本

15 V 至 350 V 范圍內(nèi)的氮化鎵 （GaN） 異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管已被證明在功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和激光雷達(dá)脈沖光等應(yīng)用中在效率、尺寸、速度和成本...

2023-09-07 標(biāo)簽：emi雷達(dá)柵極 1.1萬(wàn) 0

iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來(lái)諸多優(yōu)勢(shì)

大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(zhǎng)，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSF...

2023-06-12 標(biāo)簽：電源晶體管PFC 1.0萬(wàn) 0

碳化硅和氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)

晶體結(jié)構(gòu)是通過(guò)原子（或離子/分子）組的周期性分布來(lái)實(shí)現(xiàn)的。理想情況下，考慮到在空間坐標(biāo)中延伸到無(wú)窮大的晶體，周期性轉(zhuǎn)化為平移不變性（或平移對(duì)稱性）。因此...

2022-07-29 標(biāo)簽：晶體氮化鎵碳化硅 1.0萬(wàn) 0

使用寬帶隙技術(shù)最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度

提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)將持續(xù)下去，從而實(shí)現(xiàn)新的市場(chǎng)、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計(jì)工程師介紹了意法半導(dǎo)體（ST）的電源解決方案...

2023-11-16 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 1.0萬(wàn) 0