智能手機(jī)中，除了芯片是更新?lián)Q代的大件，手機(jī)內(nèi)存也是在每一年都會(huì)迎來新變化，作為手機(jī)內(nèi)存生產(chǎn)大戶，三星已經(jīng)牢牢占據(jù)了內(nèi)存市場第一的寶座，在2016年第三季度，份額又有所提升。
2016-11-30 10:10:42
1451 很多的蘋果手機(jī)用戶都很苦惱自己的手機(jī)內(nèi)存不夠，想下個(gè)軟件拍個(gè)照片還老提示內(nèi)存不夠請(qǐng)先清理，那么到底該如何清理呢?
2016-12-13 02:15:125642 現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲(chǔ)介質(zhì)，就是各類移動(dòng)終端及手機(jī)的主要存儲(chǔ)介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲(chǔ)芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢？ 我們總是在說手機(jī)內(nèi)存，那到底是用
2018-01-29 07:40:4611200 
存儲(chǔ)器，NOR 與NAND 存儲(chǔ)邏輯的差異導(dǎo)致二者的應(yīng)用場景有很大不同。NOR 的優(yōu)勢在于隨機(jī)讀取與擦寫壽命，因此適合用來存儲(chǔ)代碼；NAND 的優(yōu)勢在于單位比特成本，花同樣的錢可以獲得更大的容量。
2023-09-11 16:59:2311631 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:002973 
NOR Flash和NAND Flash是兩種不同類型的閃存技術(shù)，它們?cè)诖鎯?chǔ)單元的連接方式、耐用性、壞塊管理等方面存在差異。
2024-07-10 14:25:454316 
[ZZ]EEPROM和FLASH，NAND FLASH和NOR FLASH的區(qū)別
2021-01-06 07:22:56
1、NAND Flash 和 NOR Flash區(qū)別2、串行通信的優(yōu)點(diǎn)3、三、五級(jí)流水線4、LDMIA R0! , {R1-R4}的尋址方式5、大小端存儲(chǔ)6、合法立即數(shù)7、STMDB R10
2021-07-16 07:23:16
NAND 比NOR 便宜；NAND 的容量比NOR 大（指相同成本）；NAND 的擦寫次數(shù)是NOR 的十倍；NAND 的擦除和寫入速度比NOR 快，讀取速度比NOR 稍慢；1、NAND 和NOR
2021-12-23 06:52:55
NAND和NOR flash的區(qū)別
2012-08-09 14:17:12
Flash的原理是什么？Flash主要有哪幾種？NOR Flash與NAND Flash有何不同？
2021-10-22 08:47:25
NOR Flash 和 NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR Flash 技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM(Electrically
2021-07-22 08:16:03
（NOR Flash與NAND Flash連接線）：NOR Flash與主控芯片的連接線分為數(shù)據(jù)線和地址線，所以可以隨時(shí)訪問任意地址。而NAND Flash與主控芯片的連接線只有一種，所以此線是復(fù)用...
2021-07-22 09:26:53
韋老師講NOR啟動(dòng)、NAND啟動(dòng)時(shí)，NOR啟動(dòng)，nor地位0，SRAM為0x4000,0000，SDRAM 0x3000,0000 這些數(shù)據(jù)是什么意思，這些地址是怎么來的？比如說我以后用的不是
2019-05-06 09:21:48
。===========================================ARM的nor flash與nand flash啟動(dòng)過程區(qū)別B，s3c2440啟動(dòng)過程詳解1:地址空間的分配2:開發(fā)板上一般都用SDRAM做內(nèi)存，flash（nor
2018-03-12 10:19:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 編輯
NOR和NAND flash的區(qū)別
2012-08-09 09:15:10
文件（特別是連續(xù)的大文件）時(shí)速度非?？?，非常適用于順序讀取的場合，而NOR的讀取速度很快，在隨機(jī)存取的應(yīng)用中有良好的表現(xiàn)。NOR與NAND各有所長，但兩種優(yōu)勢無法在一個(gè)芯片上得到體現(xiàn)。所以，設(shè)計(jì)人員在
2014-04-23 18:24:52
，設(shè)計(jì)人員也可以把兩種閃存芯片結(jié)合起來使用，用NOR芯片存儲(chǔ)程序，用NAND芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，使兩種閃存的優(yōu)勢互補(bǔ)。事實(shí)上，這種聰明的設(shè)計(jì)早已普遍應(yīng)用于手機(jī)、PocketPC、PDA及電子詞典等設(shè)備中了。在
2013-04-02 23:02:03
: S3C2400A芯片問題發(fā)生描述:視頻中老師講到Nor啟動(dòng)還有Nand啟動(dòng)，涉及到的SRAM地址是不一樣的，Nor啟動(dòng)和Nand啟動(dòng)指定的SRAM是同一塊嗎？若是同一塊，為什么SRAM的地址會(huì)變，不是固定的嗎？ 是因?yàn)槠瑑?nèi)SRAM接的地址總線隨著Nor或者Nand啟動(dòng)，發(fā)生變化了，所以SRAM的地址不同嗎？
2019-04-09 07:45:01
是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些?！ ) 位交換
2018-08-09 10:37:07
如題，手機(jī)上，內(nèi)存大小的問題是什么因素決定，主控型號(hào)還是其它外部因素，如高通的芯片，各位大神指點(diǎn)一下，坐等……
2015-06-05 09:51:12
各位專家好！我在做C6678的 NAND&NOR boot ，根據(jù)說明燒寫完eeprom IBL和NOR、NAND flash代碼后，選擇NAND Boot:Set the dip
2018-08-06 06:37:35
地位。本博客將詳細(xì)介紹Flash存儲(chǔ)芯片中的NOR Flash、NAND Flash、UFS和eMMC，分析它們的用途、優(yōu)缺點(diǎn)，并對(duì)其進(jìn)行比較。
1.Nor Flash
1.1 用途特性
2024-04-03 12:05:59
Flash按照內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的不同，可以分為哪幾種？Nor Flash 和Nand Flash有什么區(qū)別？SPI NAND Flash和SPI NOR Flash的區(qū)別在哪里？
2021-06-18 08:46:32
幾乎所有微控制器都使用內(nèi)部 NOR 閃存作為隨機(jī)存取指令或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。NAND 內(nèi)存是從起始頁面地址開始的順序訪問，不支持直接獲取指令（必須先將內(nèi)容復(fù)制到 RAM）。這是閃存架構(gòu)的根本區(qū)別。我不記得 ST 明確聲明內(nèi)部閃存是基于 NOR 的，但這等同于聲明 ST 控制器使用基于半導(dǎo)體的門來實(shí)現(xiàn)邏輯。
2023-01-31 07:34:49
如題，本人想玩下STM32對(duì)NAND FLASH ,NOR FLASH ,SRAM的訪問，來熟悉這些器件的應(yīng)用，不知這里有哪位大俠用STM32玩過這些,可以交流交流。。。
2020-05-25 20:04:22
我用OFLASH可以燒nand flash ，但是不能燒nor flash 內(nèi)存，是不是NOR FLASH壞了
2019-09-25 05:45:09
什么是SLC NAND？它有什么特點(diǎn)嗎？和SPI NOR FLASH相比，SLC NAND有什么優(yōu)勢？
2021-06-18 07:26:48
）
磨損均衡與垃圾回收
OP（預(yù)留空間）策略
當(dāng)這些機(jī)制完善后，尤其是 SLC NAND，其性能和壽命遠(yuǎn)優(yōu)于 NOR，且容量價(jià)格優(yōu)勢明顯。
六、CS SD NAND：讓 NAND 的優(yōu)勢變得
2025-12-08 17:54:19
網(wǎng)盤中007_clk_010_002文件夾下的bin文件，切換NAND啟動(dòng)和NOR啟動(dòng)，發(fā)現(xiàn)LED閃爍的速度明顯不同，不知道這是什么原因引起的？輸出的錯(cuò)誤信息:
2019-04-12 07:02:15
和閃存管理算法的軟件，包括性能優(yōu)化。在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持，在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時(shí)，通常需要驅(qū)動(dòng)程序，也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序(MTD)，NAND和NOR器件在進(jìn)行寫入和擦除
2018-06-14 14:34:31
*/ldr r0, =0x53000000ldr r1, =0str r1, [r0]/* 設(shè)置內(nèi)存: sp 棧 *//* 分辨是nor/nand啟動(dòng)* 寫0到0地址, 再讀出來* 如果得到0, 表示0地址
2019-04-18 06:26:29
，否則速率很慢；燒寫Nand Flash只是從理論上能夠達(dá)到，但是還沒有人直接實(shí)現(xiàn)這點(diǎn)。本文使用一個(gè)間接的方法來實(shí)現(xiàn)對(duì)S3C2410、S3C2440開發(fā)板的Nor、Nand Flash的燒寫。原理為
2009-03-27 09:51:32
各們大師們，你們好！兄弟我最近在搗鼓一小東西，急需手機(jī)內(nèi)存卡插座PCB封裝，求大師幫助感激
2012-12-29 19:32:52
各位大師們，你們好！本人最近在搗鼓一小東西，需要手機(jī)內(nèi)存卡插座封裝，請(qǐng)大師們幫幫忙..感激
2012-12-29 19:27:09
卡大量收購，高價(jià)回收，批量回收容量大量不等的手機(jī)內(nèi)存卡，收購 4G 8G 16G 32G 64G 128G...... 手機(jī)內(nèi)存卡，回收全新原裝手機(jī)內(nèi)存卡，回收組裝的，同時(shí)也優(yōu)勢收購拆機(jī)手機(jī)內(nèi)存卡。導(dǎo)航儀
2021-06-26 15:53:33
在Flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR 的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度
2022-06-16 17:22:00
、DRAM和Nand Flash，區(qū)別在于其產(chǎn)品的最終形態(tài)不同，計(jì)算機(jī)內(nèi)部的形態(tài)為CPU+內(nèi)存條+硬盤，而手機(jī)則采用eMMC或eMCP兩種形式：“處理器+eMCP”或“集成了LPDDR的處理器+eMMC
2023-02-17 14:06:29
請(qǐng)問nand flash和nor flash有什么不同？
2020-11-05 08:03:50
高價(jià)求購手機(jī)內(nèi)存卡大量回收手機(jī)內(nèi)存卡，高價(jià)收購手機(jī)內(nèi)存卡，深圳帝歐回收手機(jī)內(nèi)存卡，帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。帝歐有多年的回收電子經(jīng)驗(yàn)
2021-10-26 19:20:44
高價(jià)求購手機(jī)內(nèi)存卡大量回收手機(jī)內(nèi)存卡，高價(jià)收購手機(jī)內(nèi)存卡，深圳帝歐回收手機(jī)內(nèi)存卡，帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。帝歐有多年的回收電子經(jīng)驗(yàn)
2021-12-02 19:04:39
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NANDflash結(jié)構(gòu)，
2010-07-15 11:38:41
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NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01183 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988
2010-11-03 16:40:29112 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了
2006-04-17 20:48:524120 nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231522 From M-system公司Arie TAL NAND和NOR的比較
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年
2009-09-13 14:07:371267 NAND成本優(yōu)勢明顯，NOR成明日黃花
市場研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告”指出，NOR閃存在512Mb是個(gè)門檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同
2009-11-25 10:26:21886 
手機(jī)內(nèi)置游戲 手機(jī)內(nèi)置游戲功能即手機(jī)內(nèi)
2009-12-19 14:19:59908 手機(jī)內(nèi)存 手機(jī)的尺寸越來越
2009-12-19 14:32:04556 小型機(jī)內(nèi)存容量
最大內(nèi)存容量
2009-12-21 11:32:361241 打印機(jī)內(nèi)存
HP430/750打印機(jī)內(nèi)
2009-12-29 10:14:08855 交換機(jī)內(nèi)存
2010-01-08 11:16:362990 小型機(jī)內(nèi)存類型 小型機(jī)
2010-01-08 11:49:021018 什么是手機(jī)內(nèi)置游戲
手機(jī)內(nèi)置游戲功能即手機(jī)內(nèi)自帶的幾款游戲，可供用戶休閑娛樂。各品牌手機(jī)廠家的手機(jī)內(nèi)置游
2010-01-28 10:32:35686 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358955 蘋果系統(tǒng)最新版ios10.3， 升級(jí)后手機(jī)內(nèi)存變大
2017-02-23 10:08:4617894 3D NAND克服了與2D平面NAND微縮有關(guān)的挑戰(zhàn)，在嵌入于智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備時(shí)，能夠大幅改善內(nèi)存級(jí)儲(chǔ)存，并因應(yīng)在儲(chǔ)存容量方面的巨大成長潛力，加速智能手機(jī)應(yīng)用的新時(shí)代來臨。
2018-07-14 09:08:001783 
內(nèi)存SRAM-NOR-NAND資料匯總（附程序及原理圖）
2017-11-29 17:49:5012 當(dāng)時(shí)光回到十年前，智能手機(jī)還處在萌芽階段的時(shí)候，那個(gè)時(shí)候可沒有像網(wǎng)盤這么便利的東西。我們手上的所有資料，都存在這部方寸間的手機(jī)里面。而在那個(gè)時(shí)候，我們對(duì)手機(jī)內(nèi)存（嚴(yán)格講是閃存）的容量也沒有現(xiàn)在那么渴望與追求。
2017-12-18 10:05:3725218 當(dāng)手機(jī)內(nèi)存卡出現(xiàn)讀不出來的現(xiàn)象時(shí)，一種最為直接的方法就是利用手機(jī)自帶的工具對(duì)內(nèi)存卡進(jìn)行格式化操作。具體操作方法：進(jìn)入手機(jī)“設(shè)置”列表，找到“存儲(chǔ)”選項(xiàng)并點(diǎn)擊，并打開的列表中選擇“格式化SD卡”項(xiàng)進(jìn)行手機(jī)內(nèi)存卡的格式化操作。
2018-02-19 05:28:0012134 
NOR Flash和NAND Flash作為存儲(chǔ)的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5123827 存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33113864 搭”般的存在，內(nèi)存也是非常重要的。手機(jī)中的內(nèi)存相當(dāng)于PC上的內(nèi)存+硬盤，運(yùn)行內(nèi)存就是PC上的內(nèi)存，內(nèi)置存儲(chǔ)就是硬盤了，其功能特性也是和PC大同小異。
2018-06-06 03:00:0014701 本文首先介紹了風(fēng)光互補(bǔ)太陽能路燈原理，其次闡述了風(fēng)光互補(bǔ)太陽能路燈的配件及優(yōu)勢，最后介紹了選用風(fēng)光互補(bǔ)路燈要注意的問題及光互補(bǔ)路燈的保養(yǎng)。
2018-05-23 10:48:2022166 現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲(chǔ)介質(zhì)，就是各類移動(dòng)終端及手機(jī)的主要存儲(chǔ)介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲(chǔ)芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢? 我們總是在說手機(jī)內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲(chǔ)的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲(chǔ)介質(zhì)。
2018-07-02 09:50:004779 
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。
2018-09-18 15:10:1610662 
在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢，典型的NAND塊尺寸為NOR器件的八分之一，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
2018-10-07 15:37:0013945 NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡單，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。
2018-10-07 15:41:0025356 手機(jī)的內(nèi)存被占用的太多，就會(huì)引起手機(jī)的卡頓、使用不流暢發(fā)熱等，那么如何清理手機(jī)的內(nèi)存騰出空間呢？以下幾種方法給你答案。
2018-11-22 17:29:3712395 華為用戶注意！不關(guān)閉這個(gè)選項(xiàng)，手機(jī)內(nèi)存就會(huì)下降很快
2019-08-24 10:42:238192 
手機(jī)內(nèi)存到底怎么選？這三種配置最推薦，你選對(duì)了嗎？
2019-08-28 17:17:1511976 兆易創(chuàng)新的NOR Flash和SPI NAND Flash在容量、傳輸速度、可靠性、安全性、低功耗及小型化等方面具備創(chuàng)新性的技術(shù)優(yōu)勢。
2020-03-19 18:02:003439 很多時(shí)候當(dāng)我們拿起手機(jī)時(shí)，突然提示我們手機(jī)內(nèi)存不足，無法安裝應(yīng)用，部分功能受影響，手機(jī)最近頻頻提醒內(nèi)存空間不足，隨著手機(jī)使用時(shí)間的延長，手機(jī)不可避免的越來越臃腫，手機(jī)運(yùn)行速度也是一卡再卡。怎么辦？沒關(guān)系，又顯示內(nèi)存不足了，這可如何是好？下面，小編給大家講解手機(jī)內(nèi)存不足的清理方法。
2020-05-20 09:49:5910750 經(jīng)常會(huì)有很多朋友和小編說，手機(jī)內(nèi)存不夠了什么的，那么手機(jī)內(nèi)存不夠的話應(yīng)該怎么辦呢？不用擔(dān)心，今天小編就來告訴大家，如何給手機(jī)內(nèi)存擴(kuò)展的方法，一起來看看吧！
2020-05-26 10:55:166173 一些手機(jī)用戶想知道：手機(jī)內(nèi)存怎么清理？在今天的手機(jī)教程，我們就給大家介紹一下清理手機(jī)內(nèi)存的4個(gè)方法，這四個(gè)方法包括：正確退出軟件程序、及時(shí)刪除數(shù)據(jù)、恢復(fù)手機(jī)的出廠設(shè)置以及刷機(jī)等，一起來具體了解一下！
2020-05-29 10:10:5418582 會(huì)給手機(jī)帶來什么好處？大內(nèi)存的手機(jī)扣除系統(tǒng)程序占用的內(nèi)存后是否還夠大？是否還能夠運(yùn)行流暢？筆者帶大家聊聊手機(jī)內(nèi)存的運(yùn)行機(jī)制，簡單盤點(diǎn)下市售大內(nèi)存手機(jī)，看看它們真正可用的內(nèi)存大小究竟如何。
2020-06-11 10:43:313294 “手機(jī)的“內(nèi)存”通常指“運(yùn)行內(nèi)存”及“非運(yùn)行內(nèi)存”。手機(jī)的“運(yùn)行內(nèi)存”相當(dāng)于電腦的內(nèi)存，即RAM。而手機(jī)的“非運(yùn)行內(nèi)存”，相當(dāng)于電腦的硬盤，廠家常直接稱其為手機(jī)內(nèi)存，也就是所謂的ROM。RAM越大，手機(jī)能運(yùn)行多個(gè)程序且流暢；ROM越大，就像硬盤越大，能存放更多的數(shù)據(jù)。
2020-07-30 14:17:408260 關(guān)于存儲(chǔ)器件，在數(shù)月之前我們提到過NOR FLASH，并簡略地將之與EMMC、SRAM、NAND FLASH 等做過比較，其中，比較詳盡描述過NAND FLASH。 之前也提到過，自從全面屏手機(jī)
2020-11-28 11:38:274111 
大家買手機(jī)一定要買大內(nèi)存的，不然空間不足的時(shí)候，天天都要清理。今天就來教大家，正確清理蘋果手機(jī)內(nèi)存的方法，清理后和新機(jī)一樣流暢。一、清理照片殘留我們平時(shí)將相冊(cè)里的照片刪掉，你以為真的被刪掉了嗎？不妨點(diǎn)擊底部的【相簿】，選擇【最近刪除】，這里面積累著大量照片，需要全部清空
2020-12-24 14:36:153764 據(jù)FT報(bào)道，三星電子日前表示，全球半導(dǎo)體短缺打擊了全球汽車制造商，這也可能打亂智能手機(jī)內(nèi)存芯片的訂單。
2021-01-29 11:18:561831 Flash在我們生活中無處不在，比如：U盤、固態(tài)硬盤、SD卡、內(nèi)存卡等。 同時(shí)，在單片機(jī)開發(fā)過程中也會(huì)遇到各種各樣的Flash，比如：SPI Flash、Nor Flash、 Nand Falsh等
2021-10-09 15:01:556632 1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址線
2021-12-02 12:21:0630 使用FlashMemory作為存儲(chǔ)介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲(chǔ)原理的不同，F(xiàn)lash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類。主要的差異如下所示： NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1262317 
在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域，作為存儲(chǔ)設(shè)備的NOR Flash和NAND Flash，大家應(yīng)該不陌生。早期NOR Flash的接口是并行口的形式，也就是把數(shù)據(jù)線，地址線并排設(shè)置在IC的管腳中。但是由于不同容量
2023-03-06 09:49:179263 非易失性存儲(chǔ)元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:054233 
為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲(chǔ)器是一種常用的非易失性存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價(jià)值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù)，同時(shí)因?yàn)闆]有
2023-10-29 16:32:582219 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:203960 
在討論NAND Flash和NOR Flash哪個(gè)更好時(shí)，我們需要從多個(gè)維度進(jìn)行深入分析，包括它們的技術(shù)特性、應(yīng)用場景、成本效益以及未來發(fā)展趨勢等。
2024-07-29 16:59:383426 ，寫入速度慢等成為瓶頸，很多工程師開始轉(zhuǎn)向使用CS SD NAND這種NAND Flash產(chǎn)品. 在使用NAND過程中時(shí)如果仍然沿用 NOR 的寫法，就容易遇到兩個(gè)問題： 1?? 壽命容易折損 2
2025-12-16 17:11:001193 
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