02射頻電路電源設(shè)計注意事項

（1）電源線是EMI 出入電路的重要途徑。

通過電源線，外界的干擾可以傳入內(nèi)部電路，影響RF電路指標(biāo)。

為了減少電磁輻射和耦合，要求DC-DC模塊的一次側(cè)、二次側(cè)、負(fù)載側(cè)環(huán)路面積最小。

電源電路不管形式有多復(fù)雜，其大電流環(huán)路都要盡可能小。

電源線和地線總是要很近放置。

（2）如果電路中使用了開關(guān)電源，開關(guān)電源的外圍器件布局要符合各功率回流路徑最短的原則。

濾波電容要靠近開關(guān)電源相關(guān)引腳。

使用共模電感，靠近開關(guān)電源模塊。

（3）單板上長距離的電源線不能同時接近或穿過級聯(lián)放大器（增益大于45dB）的輸出和輸入端附近。

避免電源線成為RF信號傳輸途徑，可能引起自激或降低扇區(qū)隔離度。

長距離電源線的兩端都需要加上高頻濾波電容，甚至中間也加高頻濾波電容。

（4）RF PCB的電源入口處組合并聯(lián)三個濾波電容，利用這三種電容的各自優(yōu)點分別濾除電源線上的低、中、高頻。

例如：10uf，0.1uf，100pf。

并且按照從大到小的順序依次靠近電源的輸入管腳。

（5）用同一組電源給小信號級聯(lián)放大器饋電，應(yīng)當(dāng)先從末級開始，依次向前級供電，使末級電路產(chǎn)生的EMI 對前級的影響較小。

且每一級的電源濾波至少有兩個電容：0.1uf，100pf。

當(dāng)信號頻率高于1GHz時，要增加10pf濾波電容。

（6）常用到小功率電子濾波器，濾波電容要靠近三極管管腳，高頻濾波電容更靠近管腳。

三極管選用截止頻率較低的。

如果電子濾波器中的三極管是高頻管，工作在放大區(qū)，外圍器件布局又不合理，在電源輸出端很容易產(chǎn)生高頻振蕩。

線性穩(wěn)壓模塊也可能存在同樣的問題，原因是芯片內(nèi)存在反饋回路，且內(nèi)部三極管工作在放大區(qū)。在布局時要求高頻濾波電容靠近管腳，減小分布電感，破壞振蕩條件。

（7）PCB的POWER部分的銅箔尺寸符合其流過的最大電流，并考慮余量（一般參考為1A/mm線寬）。

（8）電源線的輸入輸出不能交叉。

（9）注意電源退耦、濾波，防止不同單元通過電源線產(chǎn)生干擾，電源布線時電源線之間應(yīng)相互隔離。

電源線與其它強干擾線（如CLK）用地線隔離。

（10）小信號放大器的電源布線需要地銅皮及接地過孔隔離，避免其它EMI干擾竄入，進(jìn)而惡化本級信號質(zhì)量。

（11）不同電源層在空間上要避免重疊。

主要是為了減少不同電源之間的干擾，特別是一些電壓相差很大的電源之間，電源平面的重疊問題一定要設(shè)法避免，難以避免時可考慮中間隔地層。

（12）PCB板層分配便于簡化后續(xù)的布線處理，對于一個四層PCB板(WLAN中常用的電路板)，在大多數(shù)應(yīng)用中用電路板的頂層放置元器件和RF引線，第二層作為系統(tǒng)地，電源部分放置在第三層，任何信號線都可以分布在第四層。

第二層采用連續(xù)的地平面布局對于建立阻抗受控的RF信號通路非常必要，它還便于獲得盡可能短的地環(huán)路，為第一層和第三層提供高度的電氣隔離，使得兩層之間的耦合最小。

當(dāng)然，也可以采用其它板層定義的方式(特別是在電路板具有不同的層數(shù)時)，但上述結(jié)構(gòu)是經(jīng)過驗證的一個成功范例。

（13）大面積的電源層能夠使Vcc布線變得輕松，但是，這種結(jié)構(gòu)常常是引發(fā)系統(tǒng)性能惡化的導(dǎo)火索，在一個較大平面上把所有電源引線接在一起將無法避免引腳之間的噪聲傳輸。

反之，如果使用星型拓?fù)鋭t會減輕不同電源引腳之間的耦合。

上圖給出了星型連接的Vcc布線方案，該圖取自MAX2826 IEEE 802.11a/g收發(fā)器的評估板。

圖中建立了一個主Vcc節(jié)點，從該點引出不同分支的電源線，為RF IC的電源引腳供電。

每個電源引腳使用獨立的引線在引腳之間提供了空間上的隔離，有利于減小它們之間的耦合。

另外，每條引線還具有一定的寄生電感，這恰好是我們所希望的，它有助于濾除電源線上的高頻噪聲。

使用星型拓?fù)銿cc引線時，還有必要采取適當(dāng)?shù)碾娫慈ヱ睿ヱ铍娙荽嬖谝欢ǖ募纳姼小?/p>

事實上，電容等效為一個串聯(lián)的RLC電路，電容在低頻段起主導(dǎo)作用，但在自激振蕩頻率(SRF)：

之后，電容的阻抗將呈現(xiàn)出電感性。由此可見，電容器只是在頻率接近或低于其SRF時才具有去耦作用，在這些頻點電容表現(xiàn)為低阻。

給出了不同容值下的典型S11參數(shù)，從這些曲線可以清楚地看到SRF，還可以看出電容越大，在較低頻率處所提供的去耦性能越好(所呈現(xiàn)的阻抗越低)。

在Vcc星型拓?fù)涞闹鞴?jié)點處最好放置一個大容量的電容器，如2.2μF。

該電容具有較低的SRF，對于消除低頻噪聲、建立穩(wěn)定的直流電壓很有效。

IC的每個電源引腳需要一個低容量的電容器(如10nF)，用來濾除可能耦合到電源線上的高頻噪聲。

對于那些為噪聲敏感電路供電的電源引腳，可能需要外接兩個旁路電容。

例如：用一個10pF電容與一個10nF電容并聯(lián)提供旁路，可以提供更寬頻率范圍的去耦，盡量消除噪聲對電源電壓的影響。

每個電源引腳都需要認(rèn)真檢驗，以確定需要多大的去耦電容以及實際電路在哪些頻點容易受到噪聲的干擾。

良好的電源去耦技術(shù)與嚴(yán)謹(jǐn)?shù)腜CB布局、Vcc引線(星型拓?fù)?相結(jié)合，能夠為任何RF系統(tǒng)設(shè)計奠定穩(wěn)固的基礎(chǔ)。

盡管實際設(shè)計中還會存在降低系統(tǒng)性能指標(biāo)的其它因素，但是，擁有一個“無噪聲”的電源是優(yōu)化系統(tǒng)性能的基本要素.

審核編輯：湯梓紅