近日全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司(簡(jiǎn)稱IR)推出針對(duì)感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽(yáng)能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2011-09-07 09:24:54
2185 國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列,適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,包括冰箱和空調(diào)的壓縮機(jī)。
2012-09-05 11:09:19
1327 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出堅(jiān)固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及不間斷電源 (UPS) 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2013-06-14 15:22:00
1842 今天給大家分享的是:IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)
2023-08-25 09:39:18
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絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一種功率半導(dǎo)體,具有MOSFET 的高速、電壓相關(guān)柵極開(kāi)關(guān)特性以及 BJT 的最小導(dǎo)通電阻(低飽和電壓)特性。
2024-02-27 16:08:49
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如果平衡電阻與發(fā)射極串聯(lián),則雙極晶體管(BJT)可以并聯(lián)連接。隨著溫度的升高,BJT通常會(huì)變得更具導(dǎo)電性。以下MMBT2222A數(shù)據(jù)表中的示例顯示了該器件的典型增益如何隨溫度在允許的工作范圍內(nèi)變化而
2018-10-26 14:45:42
:dodo1999@vip.163.com雙極晶體管陣列 (BJT)DMMT5401-7晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 200 mA, SOT-26封裝, 300 MHz, 6引腳規(guī)格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個(gè))、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
不同分類角度,有幾種不同的分類方法。在這里,從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中,本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中,分功率型和小信號(hào)型,IGBT原本是為處理大功率而開(kāi)發(fā)
2018-11-28 14:29:28
創(chuàng)建通道來(lái)導(dǎo)通。另外,柵極通過(guò)源極及漏極與氧化膜被絕緣,因此不會(huì)流過(guò) “導(dǎo)通”意義上的電流。但是,需要被稱為“Qg”的電荷。 關(guān)于MOSFET,將再次詳細(xì)介紹。 IGBT為雙極晶體管與MOSFET
2020-06-09 07:34:33
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一.絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理: 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料,供感興趣
2009-05-12 20:44:23
絕緣柵雙極晶體管基礎(chǔ)IGBT結(jié)構(gòu)及工作原理IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率
2009-05-24 16:43:05
絕緣柵雙極晶體管晶體管的發(fā)展1947年的圣誕前某一天,貝爾實(shí)驗(yàn)室中,布拉頓平穩(wěn)地用刀片在三角形金箔上劃了一道細(xì)痕,恰到好處地將頂角一分為二,分別接上導(dǎo)線,隨即準(zhǔn)確地壓進(jìn)鍺晶體表面的選定部位。電流表
2012-08-02 23:55:11
絕緣柵雙極型晶體管檢測(cè)方法
2009-12-10 17:18:39
絕緣柵雙級(jí)晶體管IGBT
2012-08-20 09:46:02
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅(qū)動(dòng)器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管,即 IGBT,結(jié)合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術(shù)和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性,因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
您好,為了模擬ADS軟件中基于雙極晶體管的電路,我們將基板與發(fā)射器連接,還是允許空氣?謝謝 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文hello,to simulate a circuit based
2018-12-18 16:11:14
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)?IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫,也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)?IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫,也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-03-27 06:20:04
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)...
2022-02-16 06:48:11
MAPRST0912-50硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MAPRST0912-50報(bào)價(jià)MAPRST0912-50代理MAPRST0912-50咨詢熱線MAPRST0912-50現(xiàn)貨,王先生
2018-08-09 09:57:23
MRF422硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF422報(bào)價(jià)MRF422代理MRF422MRF422現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司MRF422主要用于高功率線性放大器的設(shè)計(jì),從2到30 MHz優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品
2018-10-09 12:10:05
源電流IDSS是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管中,柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流。(2)夾斷電壓夾斷電壓UP是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道
2019-04-04 10:59:27
的電荷量變化小于一個(gè)電子,則不會(huì)有電流通過(guò)量子點(diǎn)。因此,電流-電壓關(guān)系不是正常的線性關(guān)系,而是階梯形關(guān)系。該實(shí)驗(yàn)是歷史上第一次手動(dòng)控制電子的運(yùn)動(dòng),為制造單個(gè)電子晶體管提供了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)?!?絕緣柵雙極晶體管
2023-02-03 09:36:05
運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪幾種分類場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導(dǎo)電方式:耗盡
2019-05-08 09:26:37
。對(duì)于NPN,它是灌電流。 達(dá)林頓晶體管開(kāi)關(guān) 這涉及使用多個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管,因?yàn)橛袝r(shí)單個(gè)雙極晶體管的直流增益太低而無(wú)法切換負(fù)載電壓或電流。在配置中,一個(gè)小輸入雙極結(jié)型晶體管(BJT)晶體管參與打開(kāi)和關(guān)閉
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分組成的?絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)?如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)有哪些應(yīng)用呢?如何去實(shí)現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的電磁兼容設(shè)計(jì)呢?
2022-01-14 07:02:41
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
2012-08-20 08:57:47
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個(gè))、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
求購(gòu)雙極晶體管BD249C,NPN,30個(gè),要求現(xiàn)貨。2-4天能到北京
2019-07-23 05:27:32
半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件時(shí) IGBT(絕緣柵雙極晶體管)集合了BJT 和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)??墒撬灾贿m合較低頻率、大電流裝置。試問(wèn)頻率的高低判斷標(biāo)準(zhǔn)是多少呀??
2011-05-16 22:00:58
柵雙極晶體管(IGBT)實(shí)現(xiàn)此類拓?fù)洹1疚闹?,我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn),包括更低的開(kāi)關(guān)損耗、更佳的壓擺率控制和改進(jìn)的器件保護(hù)。
2020-10-27 06:43:42
雙極結(jié)型晶體管/絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管/PN結(jié)晶體管習(xí)題集:第二章 PN結(jié)填空題1、若某硅突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為NA=1.5×1016cm-3,則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子
2010-06-05 10:30:26
13 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
基礎(chǔ)知識(shí)絕緣柵雙極晶體管(Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT)GTR和MOSFET復(fù)合,結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)1986年投
2009-04-14 22:13:39
7311 
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極晶體管級(jí)聯(lián)視頻放大器電路圖
2009-04-15 08:48:05
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絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
一.絕緣柵雙極晶
2009-05-12 20:42:00
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絕緣柵雙極晶體管原理、特點(diǎn)及參數(shù)
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
2009-10-06 22:56:59
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絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點(diǎn),具有
2009-11-05 11:40:14
722
雙極晶體管
2009-11-07 10:44:02
1733
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)
2009-12-10 14:24:31
1861 IGBT絕緣柵極雙極晶體管過(guò)壓保護(hù)電路
IGBT的柵極過(guò)壓的
2010-02-17 17:13:01
2144 
絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件,屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件
2010-03-04 15:54:15
5131 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管是什么意思
異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(Hetero-junction Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱HBT)基區(qū)(base)異質(zhì)結(jié)SiGe外延(圖1):其原理是在基
2010-03-05 10:56:55
5648 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是什么意思
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2010-03-05 11:42:02
9634 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的資料大全
絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體
2010-03-05 11:46:07
7916 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成,它是利用電流來(lái)控制。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:46
6586 聯(lián)柵晶體管(GAT)是什么意思?
聯(lián)柵晶體管是一種新型功率開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體器件,簡(jiǎn)稱GAT。GAT是介于雙極型晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)之間的特種器
2010-03-05 14:35:24
3367 什么是絕緣柵極雙極性晶體管
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質(zhì)上是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個(gè)P型層.根據(jù)國(guó)際電工委員會(huì)IEC/TC(CO)1
2010-03-05 15:49:22
4527 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管“放電式”長(zhǎng)延時(shí)電路圖
2010-03-30 14:44:54
1879 
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管長(zhǎng)延時(shí)電路圖
2010-03-30 14:45:53
1671 
雙極晶體管屬于電流控制器件,即加入變動(dòng)的基極電流,產(chǎn)生集電極電流的變動(dòng)。
2011-03-03 11:40:34
150 《晶體管精華集錦》技術(shù)專題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊(cè)、晶體管電路圖、晶體管電路設(shè)計(jì)、晶體管應(yīng)用(主要含晶體管收音機(jī)、晶體管測(cè)試儀)以及常見(jiàn)的晶體管(如:場(chǎng)效應(yīng)晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等)。本專題內(nèi)容豐富、包羅萬(wàn)象,希望對(duì)各位有所幫助!
2012-08-03 09:12:48

絕緣柵雙極晶體管(IGBT, Insulated-Gate Bipolar Transistor)需要充分的保護(hù)以避免短路、過(guò)載和過(guò)電壓等錯(cuò)誤情況所造成的損壞和故障,這些保護(hù)是確保如電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及
2017-09-12 11:00:40
18 絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點(diǎn),具有良好的特性,應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發(fā)射極。
2017-11-29 15:39:21
17184 
功率雙極晶體管的損耗是開(kāi)關(guān)電源總損耗中的最多的器件之一, 采用10M eV電子輻照來(lái)降低功率雙極晶體管的下降延時(shí), 以此來(lái)降低功率雙極晶體管的關(guān)斷損耗。在一個(gè)典型的充電器開(kāi)關(guān)電源中, 85 V 交流
2019-09-15 04:36:00
2672 
本文將介紹雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)。雙極晶體管是雙極型結(jié)型晶體管(BJT)的簡(jiǎn)稱,在電力半導(dǎo)體中,也稱作大功率晶體管(GTR),在現(xiàn)代電力電子變換器中大多已經(jīng)被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現(xiàn)代功率器件的結(jié)構(gòu)。
2018-03-05 16:12:14
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目前,產(chǎn)業(yè)化的高電壓大功率絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)普遍采用新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制造技術(shù),以ABB、三菱、東芝和日立等為代表的國(guó)際領(lǐng)先研發(fā)
2018-04-24 16:12:51
10 晶體管配置是NPN晶體管。我們還了解到雙極晶體管的結(jié)可以以三種不同的方式偏置 -公共基極,公共發(fā)射極和公共集電極。在本教程中,關(guān)于雙極晶體管,我們將更詳細(xì)地討論使用雙極NPN晶體管的“共發(fā)射極”配置,并舉例說(shuō)明NPN晶體管的構(gòu)造以及晶體管電流特性
2019-06-25 15:14:16
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本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是IEC60747-9-2019半導(dǎo)體裝置絕緣柵雙極晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2020-04-17 08:00:00
221 本期介紹:本期ROHM君想與大家一同學(xué)習(xí)絕緣柵雙極晶體管——IGBT,認(rèn)識(shí)其原理及其應(yīng)用。IGBT是一種功率開(kāi)關(guān)晶體管,它結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn),用于電源和電機(jī)控制電路 該絕緣柵雙極晶體管
2022-12-08 16:01:26
2780 先說(shuō)個(gè)冷笑話,IGBT,不是LGBT,不是性少數(shù)群體的意思……好了,回到正題。 IGBT晶體管,英文全稱是「Insulated Gate Bipolar Transistor」,中文名叫「絕緣柵
2021-02-03 17:37:15
15588 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是XNS20N60T絕緣柵雙極型晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2021-03-02 14:52:29
32 電力電子設(shè)備,其內(nèi)置器件包括金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFETs)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和雙極CMOS-雙擴(kuò)散MOS集成電路(BCD)
2022-08-01 16:23:05
1432 根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。
2022-08-23 09:37:21
4867 雙極晶體管(BJT)是最基礎(chǔ)的集成電路器件之一,在集成電路發(fā)展史中起著重要的作用。因?yàn)檫@種晶體管工作時(shí),電子和空穴兩種載流子均參與導(dǎo)電,所以被稱為雙極性結(jié)型晶體管,簡(jiǎn)稱雙極晶體管。
2022-09-07 09:27:16
4469 一.晶體管包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、場(chǎng)效應(yīng)管(FET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。通常說(shuō)的三極管是指雙極結(jié)型晶體管,其按PN結(jié)結(jié)構(gòu)分為NPN型和PNP型;
2022-10-25 09:06:39
24999 N溝絕緣柵雙極晶體管JT05N065RED/VED/SED/FED規(guī)格書免費(fèi)下載。
2022-12-02 10:48:05
0 N溝絕緣柵雙極晶體管JT010N065SED/CED/FED規(guī)格書免費(fèi)下載。
2022-12-02 10:49:36
1 N溝絕緣柵雙極晶體管JT015N065FED規(guī)格書免費(fèi)下載。
2022-12-02 10:50:49
1 N溝絕緣柵雙極晶體管JT020N065SED/CED/WED/FED規(guī)格書
2022-12-02 10:51:47
1 N溝絕緣柵雙極晶體管JT030N065WED/FED規(guī)格書免費(fèi)下載。
2022-12-02 10:53:13
1 N溝絕緣柵雙極晶體管JT040K065WED/AED規(guī)格書
2022-12-02 10:54:05
1 N溝絕緣柵雙極晶體管JT050N065WED規(guī)格書
2022-12-02 10:55:03
0 N溝絕緣柵雙極晶體管JT075N065WED規(guī)格書免費(fèi)下載。
2022-12-02 10:56:11
2 N溝絕緣柵雙極晶體管JT075N120GPED規(guī)格書免費(fèi)下載。
2022-12-02 10:57:05
2 所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。
2022-12-20 10:38:11
5148 晶體管包括NPN晶體管、PNP晶體管、雙極晶體管、三極晶體管等。
2023-02-17 16:32:49
3587 PNP/PNP匹配大功率雙雙極晶體管-PHPT610035PK
2023-02-27 18:50:02
0 PNP/PNP大功率雙雙極晶體管-PHPT610030PK
2023-02-27 18:50:15
0 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT)和絕緣柵型
2023-05-20 15:19:12
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“晶體管”現(xiàn)在可以分為多種類型,每種類型具有不同的功能和結(jié)構(gòu),例如FET、MOS FET、CMOS等也是廣義上的晶體管。當(dāng)然,它仍然是有源的,主要用于電壓/信號(hào)放大和開(kāi)關(guān)控制。在本文中,工程師將解釋這種雙極晶體管是什么,以及它的原理、機(jī)制和特點(diǎn)。
2023-07-07 10:14:49
5308 絕緣柵雙極晶體管也簡(jiǎn)稱為IGBT ,是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體,使其成為理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:29
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選型IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是電子設(shè)備設(shè)計(jì)中的重要任務(wù),因?yàn)檎_的IGBT選擇對(duì)于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT,并解釋IGBT的關(guān)鍵特性以及如何閱讀IGBT的數(shù)據(jù)表。
2023-09-13 15:47:56
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供應(yīng)igbt絕緣柵雙極晶體管SGTP75V65SDB1P7,提供SGTP75V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 14:04:59
7 絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡(jiǎn)史
2023-11-24 14:45:34
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【科普小貼士】什么是雙極晶體管(BJT)?
2023-12-13 14:38:56
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絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱IGBT絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱
2024-01-03 15:14:22
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與作為電流控制器件的雙極晶體管不同,場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計(jì)方式與雙極晶體管電路的設(shè)計(jì)方式大不相同。
2024-01-09 15:38:40
1879 如何去識(shí)別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢? IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了雙極型晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的特點(diǎn)。IGBT通常用于高電壓和高電流應(yīng)用,例如工業(yè)
2024-01-12 11:18:10
1486 這是絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的實(shí)用指南。您將從實(shí)際的角度學(xué)習(xí)如何使用它——而無(wú)需深入研究它內(nèi)部的物理外觀。IGBT通常被描述為復(fù)雜而先進(jìn)的東西。但是,當(dāng)你剝離物理解釋并開(kāi)始練習(xí)時(shí),將其放入電路中是很簡(jiǎn)單的。
2024-02-11 10:57:00
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什么是絕緣柵雙極型晶體管的開(kāi)通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間? 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種主要應(yīng)用于功率電子裝置中的半導(dǎo)體器件,其具有低導(dǎo)通壓降和高關(guān)斷速度等優(yōu)點(diǎn)。開(kāi)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間是評(píng)估IGBT性能
2024-02-20 11:19:16
2976 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON),宣布推出采用了新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59
1748 近日,智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON),最新發(fā)布第 7代1200VQDual3 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊,與其他同類產(chǎn)品相比,該模塊
2024-06-12 14:05:32
1311 浮柵晶體管主要是應(yīng)用于于非易失性存儲(chǔ)器之中,比如nand flash中的基本單元,本文介紹了浮柵晶體管的組成結(jié)構(gòu)以及原理。 ? ? 上圖就是浮柵晶體管大致的組成圖,是在NMOS的基礎(chǔ)上在控制柵極下
2024-11-24 09:37:23
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評(píng)論