作者：Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各種拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)中SiC MOSFET的出現(xiàn)大大提高了性能和效率。但是，如果使用不當(dāng)，工程師會(huì)很快發(fā)現(xiàn)自己對(duì)設(shè)備故障感到沮喪
2021-03-11 11:38:03
3365 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>
2023-08-03 11:09:572587 
如圖2b、c和d所示。在實(shí)際應(yīng)用中，一般不特指時(shí)的MOSFET都是增強(qiáng)型MOSFET，即在柵極不控制時(shí)，漏極-源極之間可以承受正偏置電壓。
在圖1中，點(diǎn)劃線框內(nèi)就是典型的MOS結(jié)構(gòu)，或者稱為MOS柵
2024-06-13 10:07:47
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導(dǎo)通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過的電流占支配低位。為方便從結(jié)構(gòu)角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）?！ GBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請(qǐng)點(diǎn)擊這里聯(lián)系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對(duì)SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機(jī)
2018-11-27 16:38:39
專門的溝槽式柵極結(jié)構(gòu)（即柵極是在芯片表面構(gòu)建的一個(gè)凹槽的側(cè)壁上成形的），與平面式SiC MOSFET產(chǎn)品相比，輸入電容減小了35%，導(dǎo)通電阻減小了50%，性能更優(yōu)異。圖4 SCT3030KL的內(nèi)部電路
2019-07-09 04:20:19
，基于 Si-IGBT 設(shè)計(jì)的緩沖吸收電路參數(shù)并不適用于 SiC-MOSFET 的應(yīng)用場(chǎng)合。為了使本研究不失一般性，本文從基于半橋結(jié)構(gòu)的 SiC-MOSFET 電路出發(fā)，推導(dǎo)出關(guān)斷尖峰電壓和系統(tǒng)寄生參數(shù)以及緩沖
2025-04-23 11:25:54
（MPS）結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)保持最佳場(chǎng)分布，但通過結(jié)合真正的少數(shù)載流子注入也可以增強(qiáng)浪涌能力。如今，SiC二極管非?？煽?，它們已經(jīng)證明了比硅功率二極管更有利的FIT率?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET替代品 2008年推出
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定，通常如果將勢(shì)壘高度
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構(gòu)成中，SiC-MOSFET切換（開關(guān)）時(shí)高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產(chǎn)生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動(dòng)作的現(xiàn)象。通過下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
結(jié)構(gòu) 引言 功率MOSFET以其開關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小和功耗低等優(yōu)點(diǎn)在中小容量的變流器中得到了廣泛的應(yīng)用。當(dāng)采用功率MOSFET橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)時(shí)，同一橋臂上的兩個(gè)功率器件在轉(zhuǎn)換過程中，柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)
2018-08-27 16:00:08
阻斷電壓：1200V
連續(xù)漏極電流：450A。
電氣特性
漏源電阻（RDS(on)）：3.7mΩ
柵源閾值電壓：1.8V
柵電荷：1330nC。
熱性能
工作溫度范圍：-40°C 至 +175°C
2025-03-17 09:59:21
失效模式等。項(xiàng)目計(jì)劃①根據(jù)文檔，快速認(rèn)識(shí)評(píng)估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準(zhǔn)備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項(xiàng)目開展，按時(shí)間計(jì)劃實(shí)施，④項(xiàng)目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計(jì)成果分享項(xiàng)目的開展，實(shí)施，結(jié)果過程，展示項(xiàng)目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
項(xiàng)目名稱：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全
橋、LLC和全
橋逆變等電路拓?fù)?。?/div>
2020-04-24 18:08:05
導(dǎo)電溝道越大，則導(dǎo)通電阻越?。坏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)電壓太大的話，很容易將柵極和漏極之間絕緣層擊穿，造成Mosfet管的永久失效；3.為了增加開關(guān)管的速度，減少開關(guān)管的關(guān)斷時(shí)間是有必要的；且為了提高Mosfet管
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
MOSFET柵極為低電平時(shí)，其漏極電壓上升直至使SiC JFET的GS電壓達(dá)到其關(guān)斷的負(fù)壓時(shí)，這時(shí)器件關(guān)斷。Cascode結(jié)構(gòu)主要的優(yōu)點(diǎn)是相同的導(dǎo)通電阻有更小的芯片面積，由于柵極開關(guān)由Si MOSFET控制
2022-03-29 10:58:06
，而且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單 ?？娠@著減少SiC MOSFET選型和柵極驅(qū)動(dòng)電路調(diào)整等 設(shè)計(jì)和評(píng)估工時(shí) 。 內(nèi)置各種保護(hù)功能 ，基本上只需根據(jù)要設(shè)計(jì)的電源規(guī)格設(shè)置外置元器件的常數(shù)即可，使利用了SiC MOSFET性能
2022-07-27 11:00:52
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯(cuò)式硬開關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開關(guān)損耗使得開關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
2的結(jié)構(gòu)，用深度來換面積，將柵極埋入基體中，形成垂直的溝道，從而保持溝道的寬度，這樣形成的結(jié)構(gòu)稱為垂直導(dǎo)電的溝槽結(jié)構(gòu)。圖3：N溝道垂直導(dǎo)電的溝槽結(jié)構(gòu)及Rdson組成 工作原理是：柵極和源極間加正向電壓
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開發(fā)了一種測(cè)試板，其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見圖3。 圖3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
MOSFET一般工作在橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)模式下，如圖1所示。由于下橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的參考點(diǎn)為地，較容易設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路，而上橋的驅(qū)動(dòng)電壓是跟隨相線電壓浮動(dòng)的，因此如何很好地驅(qū)動(dòng)上橋MOSFET成了設(shè)...
2021-07-27 06:44:41
升壓轉(zhuǎn)換器。不幸的是，二極管橋式整流器的傳導(dǎo)損耗效率不高，也不支持雙向操作［5］。接下來，考慮使用圖騰柱無橋PFC升壓轉(zhuǎn)換器，以減少二極管數(shù)量并提高效率［6］，［7］。然而，硅MOSFET體二極
2023-02-27 09:44:36
） MOSFET很難在圖騰柱PFC拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下工作，因?yàn)轶w二極管的反向恢復(fù)特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的技術(shù)，比Si MOSFET具有更勝一籌的開關(guān)性能、極小
2022-04-19 08:00:00
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C
2019-09-17 09:05:05
SiCMOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
柵極處獲得 20V，以便在最小 RDSon 時(shí)導(dǎo)通?！ ‘?dāng)以0V關(guān)閉SiC MOSFET時(shí)，必須考慮一種效應(yīng)，即Si MOSFET中已知的米勒效應(yīng)。當(dāng)器件用于橋式配置時(shí)，這種影響可能會(huì)出現(xiàn)問題，尤其是
2023-02-24 15:03:59
小型化。然而，必須首先解決一個(gè)問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導(dǎo)通會(huì)造成導(dǎo)通電阻性能下降。將肖特基勢(shì)壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結(jié)構(gòu)，但發(fā)現(xiàn)用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
輸入動(dòng)作禁止功能）、過流保護(hù)、二次側(cè)電壓過壓保護(hù)等。在高耐壓應(yīng)用中，與Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET具有開關(guān)損耗及傳導(dǎo)損耗少、溫度帶來的特性波動(dòng)小的優(yōu)點(diǎn)。這些優(yōu)點(diǎn)有利于解決近年來的重要課題
2018-11-27 16:54:24
使用圖騰柱無橋PFC升壓轉(zhuǎn)換器，以減少二極管數(shù)量并提高效率[6]，[7]。但是，硅MOSFET體二極管的反向恢復(fù)會(huì)導(dǎo)致連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）中的高功率損耗，從而使其不適用于高功率應(yīng)用。隨后，與SiC
2019-10-25 10:02:58
） MOSFET很難在圖騰柱PFC拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下工作，因?yàn)轶w二極管的反向恢復(fù)特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的技術(shù)，比Si MOSFET具有更勝一籌的開關(guān)性能、極小
2022-05-30 10:01:52
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
請(qǐng)問：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
。
圖中的波形從上往下依次為柵極電壓Vgs、漏源電壓Vds和漏源電流Ids。在測(cè)試過程中，SiC MOSFET 具有極快的開關(guān)速度，可在十幾納秒內(nèi)完成開關(guān)轉(zhuǎn)換。然而，由于高速開關(guān)過程中產(chǎn)生的電磁干擾（EMI
2025-04-08 16:00:57
由于SiC MOSFET開關(guān)速度較快，使得橋式電路中串?dāng)_問題更加嚴(yán)重，這樣不僅限制了SiC MOSFET開關(guān)速度的提升，也會(huì)降低電力電子裝置的可靠性。針對(duì)SiC MOSFET的非開爾文結(jié)構(gòu)封裝
2018-01-10 15:41:22
3 下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用 SiC MOSFET 時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式 boost 電路。該電路中使用的 SiC MOSFET 的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止 HS 和 LS
2020-12-07 22:44:0028 中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。關(guān)于柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說明。
2021-06-12 17:12:003577 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。 在本文中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。 什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的
2021-06-10 16:11:442954 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:534312 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:531289 近年來超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:191306 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:213059 
從本文開始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22877 
本文將針對(duì)上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行解說。
2023-02-08 13:43:231302 
在上一篇文章中，對(duì)SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行了解說。
2023-02-08 13:43:23780 
上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作情況。
2023-02-08 13:43:231106 
上一篇文章中介紹了LS開關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作：下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:231163 
在上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始，將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:151757 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則很難通過米勒鉗位進(jìn)行抑制。作為米勒鉗位的替代方案，可以通過增加誤導(dǎo)通抑制電容器來處理。
2023-02-09 10:19:151943 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:161830 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說明，如果需要了解,請(qǐng)參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20963 
通過驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20997 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:105634 
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。但是，溝槽結(jié)構(gòu)可以增加單元密度，沒有JFET效應(yīng)，寄生電容更小，開關(guān)速度快，開關(guān)損耗非常低；而且
2023-02-16 09:43:013341 
如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內(nèi)部二極管”。對(duì)于MOSFET來說，體二極管的性能是重要的參數(shù)之一，在應(yīng)用中使用時(shí)，其性能發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
2023-02-24 11:47:404750 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時(shí)導(dǎo)通，設(shè)置了兩個(gè)SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時(shí)間。右下方的波形表示其門極信號(hào)（VG）時(shí)序。
2023-02-27 13:41:582279 
下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的同步式boost電路，LS開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻，HS和LS的SiC MOSFET的VDS和ID的變化帶來的各處的柵極電流（綠色線）。
2023-02-27 13:43:311436 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0483 忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。在本文中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。
2023-02-28 11:36:501615 
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
2023-04-01 09:37:173263 SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2023-04-06 09:11:461833 
布局注意事項(xiàng)。 橋式結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的柵極信號(hào)，由于工作時(shí)MOSFET之間的動(dòng)作相互關(guān)聯(lián)，因此導(dǎo)致SiC MOSFET的柵－源電壓中會(huì)產(chǎn)生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據(jù)具體情況，參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:022133 SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2023-05-08 11:23:141571 采用SiC MOSFET的3kW圖騰柱無橋PFC和次級(jí)端穩(wěn)壓LLC電源
2023-11-24 18:06:322938 
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
2023-12-05 14:46:221105 
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)
2023-12-05 16:35:571015 
如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:291783 
SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:213737 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:171189 
SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
2023-12-07 15:52:381285 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:261150 
MOSFET（U-MOSFET）作為新一代功率器件，近年來備受關(guān)注。本文將詳細(xì)解析溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)、特性、制造工藝、應(yīng)用及其技術(shù)挑戰(zhàn)。
2025-02-02 13:49:001996 BASiC_62mm SiC MOSFET半橋模塊和驅(qū)動(dòng)方案介紹
2025-09-01 15:23:110 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論