SiGe整流器集肖特基整流器的效率與快速恢復二極管的熱穩(wěn)定性于一身，讓工程師能夠優(yōu)化100-200V功率電路的設計，從而達到更高的效率。該器件面向汽車、服務器市場和通信基礎設施中的應用。這款符合AEC-Q101標準的SiGe整流器提供擴展的安全工作區(qū)域，在175°C以下不會發(fā)生熱失控，特別適合高環(huán)境溫度的應用。

以前設計100-200 V范圍內(nèi)的整流器電路時，工程師必須在效率和工作溫度之間進行折衷。雖然肖特基整流器提供很高的效率，但在達到特定溫度閾值后，它們會發(fā)生熱失控。因此，它們不太適合引擎控制單元(ECU)或燃油噴射系統(tǒng)中的功率電路，因為這些部件的溫度通常會上升至150°C以上。替代方案是使用快速恢復整流器。此類整流器具有極高的熱穩(wěn)定性，但它們的正向電壓非常高，因而效率較低。

SiGe和理想整流器性能

與硅技術相比，SiGe技術具有更小的禁帶寬度、更快速的開關頻率和更高的固有載流子密度。 這在高頻率開關特性方面帶來了優(yōu)勢，正因為如此，SiGe技術已經(jīng)集成在IC內(nèi)部的射頻晶體管中。但在以前，SiGe只是作為大學論文的主題。

多年以來，Nexperia一直致力于開發(fā)SiGe整流器技術，我們已經(jīng)擁有了一些專利，能夠同時滿足高效率和高溫工作這兩種明顯相互沖突的需求。但與其他重大技術創(chuàng)新相同，我們了解這種技術如何真正為客戶設計增加價值，因而只向市場發(fā)布經(jīng)過驗證的可擴展技術。

圖1是Nexperia的新型SiGe整流器內(nèi)部結構的簡化示意圖。為了進一步增強這些SiGe整流器的性能，它們采用了兩引腳夾片粘合FlatPower(CFP)封裝（CFP3和CFP5），這些封裝本身就提供優(yōu)良的散熱性能。它還實現(xiàn)了腳對腳兼容，為肖特基整流器和快速恢復整流器提供簡易替代。

圖1：肖特基整流器和SiGe整流器的結構比較

如圖2所示，新器件保持了高熱穩(wěn)定性，并且擴展了安全工作溫度范圍– 在本例中達到145 °C，超過這個溫度之后，肖特基整流器就開始出現(xiàn)熱失控。相反，我們的SiGe整流器在超過175°C的溫度下也能保持穩(wěn)定，這個溫度是CFP封裝的指定極限。

圖2：肖特基整流器和SiGe整流器的泄漏電流與外殼溫度。當泄漏電路的增長成為超指數(shù)增長時，就會發(fā)生熱失控。

為了解決效率問題，我們在圖3中看到，快速恢復整流器的正向電壓通常大約為0.9 V。Nexperia的第一款SiGe二極管具有整個系列產(chǎn)品中目前最低的泄漏電流(1 nA)，如曲線所示，這等同于大約0.75 V的正向電壓，具有150 mV的優(yōu)勢。因而傳導損耗減少了大約20%。這種優(yōu)勢如何轉(zhuǎn)化為效率，取決于多個因素，最重要的是應用的占空比。據(jù)粗略估計，效率預期會提高5%至10%，保持與最佳快速恢復二極管相同的熱穩(wěn)定性。

圖3：肖特基整流器、SiGe整流器、快速恢復整流器的前向電壓與泄漏電流之間的權衡。SiGe整流器的泄漏電流比肖特基整流器低兩個數(shù)量級，前向壓降比快速恢復整流器低大約20%。

新產(chǎn)品系列的起步

新技術的問世似乎很有希望解決一大設計難題，但在解決技術方面的問題之后，人們擔憂的下一個問題是“它的易用性如何？”。SiGe是一種新的整流器材料，使用SiGe整流器也沒有技術限制。事實上，在某些情況下，我們的SiGe整流器基本上是肖特基整流器的簡易替代。同樣，也不存在生產(chǎn)問題，Nexperia在漢堡前端生產(chǎn)基地中處理標準硅晶圓。

新的SiGe整流器是Nexperia功率二極管產(chǎn)品的完美補充，該產(chǎn)品采用夾片粘合CFP封裝，目前包括100多個肖特基整流器和快速恢復整流器，這一數(shù)字還在繼續(xù)增加。最早的四款120 V SiGe整流器已經(jīng)推出，在今后幾周內(nèi)，我們還將發(fā)布額定電壓為150 V或200 V的八款器件。所有器件都符合AEC-Q101標準，適合汽車應用，根據(jù)幾家汽車制造商的要求，它們甚至通過了2倍AEC-Q101使用壽命測試。SiGe整流器設想中的其他大規(guī)模市場應用包括LED照明和通信基礎設施。

審核編輯：郭婷