美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2900 在這篇文章里，我們首先會列出宇航和國防戶最關鍵的需求，然后詳細闡述Teledyne e2v的微處理器是如何完美地滿足這些高可性的需求，接著深入介紹這些高可靠性微處理器的質(zhì)量認證。
2020-01-06 18:58:242477 電源模塊發(fā)熱問題會嚴重危害模塊的可靠性，使產(chǎn)品的失效率將呈指數(shù)規(guī)律增加，電源模塊發(fā)熱嚴重怎么辦？本文從模塊的熱設計角度出發(fā)，為你介紹各類低溫升、高可靠性的電源設計及應用解決方案。
2018-08-03 09:19:568235 
1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴大了設計人員對效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 14:47:031990 
mm○BSM300D12P2E001300BSM400D12P3G002-4~2240010G Type62×152×17mmBSM600D12P3G001600※產(chǎn)品陣容中還包括斬波型產(chǎn)品。關于新產(chǎn)品的詳細信息，請聯(lián)系ROHM銷售部門或點擊這里。ROHM還提供可輕松評估全SiC功率模塊柵極驅(qū)動器評估板。
2018-12-04 10:20:43
3G核心網(wǎng)網(wǎng)元是什么？為什么要提高3G核心網(wǎng)高的可靠性設計？3G核心網(wǎng)高可靠性設計方法有哪些？
2021-05-25 07:04:23
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當。除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
家公司已經(jīng)建立了SiC技術作為其功率器件生產(chǎn)的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
進行半導體元器件的評估時，電氣/機械方面的規(guī)格和性能當然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
率為一個平穩(wěn)值，意味著產(chǎn)品進入了一個穩(wěn)定的使用期。耗損失效期的失效率為遞增形式，即產(chǎn)品進入老年期，失效率呈遞增狀態(tài)，產(chǎn)品需要更新。提高可靠性的措施可以是：對元器件進行篩選;對元器件降額使用，使用容錯法
2015-08-04 11:04:27
高可靠性的線路板具有什么特點？
2021-04-25 08:16:53
EFR32介紹EFR32 Mighty Gecko ZigBee 和 Thread 的 SoC 系列是無線 Gecko 產(chǎn)品系列的組成部分。 Mighty Gecko SoC 是實現(xiàn) IoT 設備
2021-07-23 06:21:18
采用IR51H420構(gòu)成的高可靠性節(jié)能燈電子鎮(zhèn)流器電路圖
2019-10-31 09:10:48
MGDS-150系列是GAIA電源致力于航空、航天、軍事及高端工業(yè)應用研發(fā)的高可靠性DC-DC轉(zhuǎn)換器，其核心設計主要包括超薄型化結(jié)構(gòu)、超高功率密度、超寬頻率范圍、多功能保護系統(tǒng)四大性能，能夠滿足極端
2025-07-29 09:35:07
IGBT2/IGBT3的功率周次曲線 圖8 1200V/1700V IGBT4的功率周次曲線3. PrimePACK針對封裝技術做了改進來提高模塊的溫度周次能力：采用了增強型Al2O3，從而減小了襯底和銅
2018-12-04 09:59:11
愿景，以企業(yè)文化“革新觀念、凝聚智慧、點燃斗志、激發(fā)潛能”。2)經(jīng)營理念：追求卓越品質(zhì)，打造極致用戶體驗高可靠性是廣大客戶賴以生存和發(fā)展的命脈！“華秋”把“卓越品質(zhì)、極致體驗”當做行動指南滲透至日
2020-07-09 11:54:01
，美國50%的電子設備在儲存期間就失效、60%的機載電子設備運到遠東后不能使用。美國發(fā)現(xiàn)不可靠電子設備影響戰(zhàn)爭的進行，而且年均維修費是設備采購費用的2倍。1949年，美國無線電工程師學會成立了第一個可靠性
2020-07-03 11:09:11
秋”把“打造高可靠PCB、履行社會責任”當做全體成員為之奮斗的共同愿景，以企業(yè)文化“革新觀念、凝聚智慧、點燃斗志、激發(fā)潛能”。2)經(jīng)營理念：追求卓越品質(zhì)，打造極致用戶體驗高可靠性是廣大客戶賴以生存
2020-07-08 17:10:00
采購費用的2倍。949年，美國無線電工程師學會成立了第一個可靠性專業(yè)學術組織——可靠性技術組。1950年12月，美國成立了“電子設備可靠性專門委員會”，軍方、武器制造公司及學術界開始介入可靠性研究，到
2020-07-03 11:18:02
MOSFET相比，SiC MOSFET的功率轉(zhuǎn)換效率可提升高達5%采用準諧振方式，可實現(xiàn)更低EMI通過減少元器件數(shù)量，可實現(xiàn)顯著的小型化和更高可靠性可確保長期穩(wěn)定供應，很適合工業(yè)設備應用產(chǎn)品陣容新增4款保護功能
2022-07-27 11:00:52
擊穿電壓仿真工具中實現(xiàn)，因此假定電荷為零。采用深P-區(qū)域可減少軸向壽命殺傷器（如氦氣或質(zhì)子）的泄漏電流，并使器件在硬開關條件下具有魯棒性。圖 1：1700V 器件的平面結(jié) VLD 端接的橫截面。圖 2
2023-02-27 09:32:57
分享一款不錯的高可靠性CAN-bus以太網(wǎng)冗余組網(wǎng)方案
2021-05-26 06:37:56
高可靠性永遠是計算機系統(tǒng)中必不可少的重要需求，尤其是對于整個系統(tǒng)中用來產(chǎn)生統(tǒng)一時間信號的專用設備來說，其可靠性和精準性非常重要。時統(tǒng)模塊的功能就是保證整個系統(tǒng)處在統(tǒng)一時間的基準上，它接收時統(tǒng)站發(fā)來
2019-08-26 06:27:46
Proteus仿真-基于ICL7107的±2V電壓表頭ICL7107介紹管腳說明元器件選擇說明200mv的參考圖Proteus仿真ICL7107介紹ICL7107是3位半位雙積分型A/D轉(zhuǎn)換器，屬于
2022-01-25 08:12:52
高可靠性系統(tǒng)設計包括使用容錯設計方法和選擇適合的組件，以滿足預期環(huán)境條件并符合標準要求。本文專門探討實現(xiàn)高可靠性電源的半導體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導體技術的改進和新的安全功能怎樣簡化了設計，并提高了組件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
高可靠性系統(tǒng)設計包括使用容錯設計方法和選擇適合的組件，以滿足預期環(huán)境條件并符合標準要求。本文專門探討實現(xiàn)高可靠性電源的半導體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導體技術的改進和新的安全功能怎樣簡化了設計，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
本文擬從印制板下游用戶安裝后質(zhì)量、直接用戶調(diào)試質(zhì)量和產(chǎn)品使用質(zhì)量三方面研究印制板的可靠性，從而表征出印制板加工質(zhì)量的優(yōu)劣并提供生產(chǎn)高可靠性印制板的基本途徑。
2021-04-21 06:38:19
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
如何采用功率集成模塊設計出高能效、高可靠性的太陽能逆變器？
2021-06-17 06:22:27
mm○BSM300D12P2E001300BSM400D12P3G002-4~2240010G Type62×152×17mmBSM600D12P3G001600※產(chǎn)品陣容中還包括斬波型產(chǎn)品。關于新產(chǎn)品的詳細信息，請聯(lián)系ROHM銷售部門或點擊這里。ROHM還提供可輕松評估全SiC功率模塊柵極驅(qū)動器評估板。
2018-12-04 10:19:59
。右圖為SiC-MOSFET＋SiC-SBD組成的全SiC模塊BSM300D12P2E001（1200V/300A）與IGBT＋FRD的模塊在同一環(huán)境下實測的開關損耗結(jié)果比較。Eon是開關導通時的損耗
2018-12-04 10:14:32
的感覺，但僅僅因為軟件在受控條件下的那一刻運行正常并不意味著明天或一年后還會運行正常。從規(guī)范完善的開發(fā)周期到嚴格執(zhí)行和系統(tǒng)檢查，開發(fā)高可靠性嵌入式系統(tǒng)的技術有許多種。本文介紹了7個易操作且可以長久使用的技巧，它們對于確保系統(tǒng)更加可靠地運行并捕獲異常行為大有幫助。
2019-09-29 08:10:15
甲烷傳感器的特點甲烷傳感器的工作原理新型高可靠性甲烷傳感器的原理與設計
2021-04-09 06:41:47
用于高可靠性醫(yī)療應用的混合信號解決方案
2019-09-16 06:34:54
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設計演示板。該設計采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
用于額溫計的信號調(diào)理芯片NSA2300/NSA2302介紹
2021-06-16 08:18:14
阻并提高可靠性。東芝實驗證實，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設計結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
G.DMOS)18010Etype有BSM300D12P2E001(2G. DMOS)3007.3由ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成的“全SiC”功率模塊 重點必看開關損耗更低，頻率更高，應用設備體積更?。?相關產(chǎn)品信息 ＞全SiC功率模塊SiC-MOSFETSiC-SBD
2018-12-04 10:11:50
集成電路為高可靠性電源提供增強的保護和改進的安全功能
2019-06-11 16:25:31
驅(qū)動1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設計:通過對幾種常用的1700V IGBT 驅(qū)動專用集成電路進行詳細的分析，對M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列進行深入的討論，給出了電氣特性參數(shù)和內(nèi)部
2009-06-19 20:29:52
40 E2PROM 是較常用的存儲器件。但在特殊的場合，其可靠性或其使用壽命對系統(tǒng)的正常運行有很大影響。為此介紹了I2C 總線及E2PROM 的工作原理，提出了一種具有較高可靠性的E2PROM 控制
2010-01-13 15:14:5315 周 品牌：PICO產(chǎn)品詳情介紹70565是一款高可靠性的Pico音頻變壓器。音頻變壓器是音頻范圍內(nèi)使用的變壓器，它可以提供電流隔離、信號增益
2024-03-20 20:05:32
UACHV225S高壓AC-DC電源模塊高可靠性重要參數(shù) 輸入電壓：85~265Vac輸出電壓： 225Vdc電源精度：1%功率： 250w訂貨周期：6-8周品牌：PICO產(chǎn)品詳情介紹
2024-03-20 20:36:19
高可靠性微控制器設計研究
摘要：本文目標是根據(jù)航天電子設計的需要，提出一種高可靠性微處理器設計的設計方案。在分析了單粒子效應的和總結(jié)了高可靠性設計
2010-01-08 10:44:48835 
Mouser Electronics供貨帶防偽驗證系統(tǒng)的TDK LGJ系列高可靠性功率電感器。
2013-07-15 17:26:511512 日前，全球高可靠性半導體解決方案供應商e2v宣布推出P2041和P3041處理器，這兩款處理器均為高可靠性Freescale四核QorIQ處理器版本，適用于航空航天與國防等功率敏感與計算密集型應用。
2013-07-16 16:29:352595 全球知名半導體制造商ROHM面向工業(yè)設備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V/300A的“全SiC”功率模塊“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:441022 功率計量芯片HLW8012介紹及應用 簡單易用 使用方便 程序簡單
2015-11-20 16:28:12127 主要研究了紅外熱像儀可靠性的設計技術。分析了紅外熱像儀的常見故障，建立了紅外熱像儀 典型的可靠性模型。理論分析了可靠性的主要限制因素及其影響程度，提出了高可靠性紅外熱像儀的 設計方法，并給出了試驗驗證結(jié)果。最后對比介紹了國內(nèi)外典型紅外熱像儀可靠性的增長情況。
2015-12-31 11:17:267 學習完本課程，您應該能夠：了解什么是高可靠性技術，了解高可靠性技術包含哪些技術類別。
2016-04-12 17:38:5815 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:004336 
羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1314691 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產(chǎn)品更加豐富。
2018-09-26 11:32:174502 功率模塊封裝目前有幾項關鍵技術，如塑封成型、高溫芯片粘接與連接等。模塊必須擁有良好的熱效率和電效率，同時保持小質(zhì)量和小體積。此外，為了保持競爭力，功率模塊制造商需要保證產(chǎn)品高可靠性的同時，具有成本效益。
2019-03-11 16:46:397774 ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實現(xiàn)行業(yè)領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:523238 對BSM250D17P2E004和同等IGBT模塊實施了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗，試驗條件為在85℃/85%的高溫高濕環(huán)境下，施加1360V。試驗結(jié)果是IGBT模塊比較早期出現(xiàn)絕緣劣化或絕緣擊穿導致的漏電流增加現(xiàn)象，在1,000小時內(nèi)發(fā)生了故障。
2019-08-22 09:05:594643 E2V是醫(yī)療、科學、航空、國防和工業(yè)領域創(chuàng)新解決方案專用部件和子系統(tǒng)的全球領先企業(yè)。提供高性能和高可靠性的半導體解決方案。 E2V提供了許多標準產(chǎn)品的一系列特別合格的版本。定制解決方案也是為了滿足
2020-08-11 10:05:544751 金升陽緊跟功率半導體市場動向，推出QAxx3D-2GR3（下文稱：QA-R3系列驅(qū)動電源），可有效應用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上。
2021-05-07 11:49:581827 。 該板有三個輸出：+15V、-15V和+24V，輸出功率高達62.5W。 該板使用TO-263 7L表面貼裝器件（SMD）封裝的1700V CoolSiC MOSFET作為主開關，非常適合高輸入電壓
2021-09-07 14:11:033834 
?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025818 半導體于2021年推出SiC MOSFET產(chǎn)品，不僅一如既往的追求高可靠性，同時也擁有業(yè)內(nèi)領先的高性能和競爭力。
2022-02-18 16:44:105625 
相比于硅基高壓器件，碳化硅開關器件擁有更小的導通電阻和開關損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動功率器件，為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設計更簡單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:584654 Infineon，最新1700V的SiC MOSFET產(chǎn)品。62W輔助電源參考設計
2022-08-28 11:17:069 SiC作為半導體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實際使用業(yè)績還遠遠無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗數(shù)據(jù)。
2023-02-08 13:43:18985 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:211335 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 10:19:231760 
ROHM面向工業(yè)設備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:051819 
轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05617 ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522 
1700V以下大功率IGBT智能驅(qū)動模塊使用手冊 （采用100%國產(chǎn)化元器件設計） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅(qū)動模塊是特別為100%國產(chǎn)化需求企業(yè)推出的一款可靠、安全的高性能驅(qū)動模塊
2023-02-16 15:01:5514 繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:281234 
前幾天，三一集團的SiC重卡打破了吉尼斯紀錄（.點這里.），很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應商是誰，今天答案正式揭曉！
2023-06-14 18:19:552105 新品EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊和2200VEasyBRIDGE整流模塊1700V電機驅(qū)動功率半導體解決方案，包括EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊
2023-01-29 17:41:443272 
功率器件可靠性
2023-08-07 14:51:534 芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應速度更快、體積縮小、壽命延長等，對提升車輛電源系統(tǒng)整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:311230 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:492169 
電源中，由于母線電壓和功率不同，一般會選用單管反激或雙管反激拓撲，無論那種拓撲都離不開核心的功率器件，即1500V~1700V 功率MOS。
2023-10-16 11:38:052882 
了許多電子產(chǎn)品的基本要求。接下來深圳PCB板廠就為大家介紹下高可靠性PCB的重要特征。 高可靠性PCB的重要特征 1、做到25μm的孔壁銅厚可以增強可靠性，包括改進Z軸的耐膨脹能力; 2、完美的電路可確保可靠性和安全性，高可靠性的PCB一般都無焊接修理或斷
2023-11-20 10:14:081109 11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，
2023-11-30 09:39:183074 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《5V轉(zhuǎn)220V新一代無變壓器大功率升壓模塊XKT203-08介紹.docx》資料免費下載
2024-02-26 09:12:44159 的功率密度和更長的使用壽命。目前的EconoDUAL3Wave產(chǎn)品組合新增了1700V電壓等級的900A模塊。產(chǎn)品型號：FF900R17ME7W_B11900A170
2024-08-13 08:14:431056 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《針對高可靠性應用的電壓轉(zhuǎn)換.pdf》資料免費下載
2024-09-18 14:46:140 近日，全球碳化硅（SiC）功率半導體領域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉(zhuǎn)換應用而設計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:581001 由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級價值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓擴展至2000V，新的可能性隨之而來。以前需要
2025-03-14 11:01:15793 
深度分析：從IGBT模塊可靠性問題看國產(chǎn)SiC模塊可靠性實驗的重要性 某廠商IGBT模塊曾因可靠性問題導致國內(nèi)光伏逆變器廠商損失數(shù)億元，這一案例凸顯了功率半導體模塊可靠性測試的極端重要性。國產(chǎn)SiC
2025-03-31 07:04:501318 質(zhì)量亂象：未通過可靠性關鍵實驗的國產(chǎn)SiC功率模塊應用隱患與后果 國產(chǎn)SiC（碳化硅）功率模塊在APF（有源電力濾波器）和PCS（儲能變流器）等電力電子設備中的應用趨勢日益顯著，主要受益于技術性
2025-04-02 18:24:49826 
兩款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設計中廣受歡迎
2025-07-23 18:10:061031 
傾佳電子面向電力電子功率變換系統(tǒng)的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式輔助電源設計 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源
2025-11-03 11:26:47447 
5V2A 充電器憑借高可靠性與低成本的雙重優(yōu)勢，可廣泛適配手機、音響、交換機、攝像頭等多類設備。采用了U7711 同步整流 IC與SZ2525 電源管理 IC的組合。其中，U7711是高性能同步整流
2025-11-03 15:52:251
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